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AMEYA360:ROHM開發(fā)出安裝可靠性高的10種型號、3種封裝的車載Nch MOSFET

皇華ameya ? 來源:年輕是一場旅行 ? 作者:年輕是一場旅行 ? 2024-08-07 11:31 ? 次閱讀
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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出具有低導(dǎo)通電阻*1優(yōu)勢的車載NchMOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新產(chǎn)品非常適用于汽車門鎖和座椅調(diào)節(jié)裝置等所用的各種電機(jī)以及LED前照燈等應(yīng)用。目前,3種封裝10種型號的新產(chǎn)品已經(jīng)開始銷售,未來會繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容。

在汽車領(lǐng)域,隨著安全性和便捷性的提高,電子產(chǎn)品逐漸增加,使得所安裝的電子元器件數(shù)量也與日俱增,而且,為了提高燃油效率和降低電耗,還要求降低這些產(chǎn)品的功耗。其中,尤其是在對于車載開關(guān)應(yīng)用不可或缺的MOSFET市場,對導(dǎo)通電阻低、損耗低且發(fā)熱量低的產(chǎn)品需求高漲。

ROHM一直在為消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域提供采用中等耐壓新工藝的低導(dǎo)通電阻MOSFET。此次通過將這種新工藝應(yīng)用于對可靠性要求高的車載產(chǎn)品,又開發(fā)出具有低導(dǎo)通電阻優(yōu)勢的10款車載Nch MOSFET新產(chǎn)品。不僅有近年來需求高漲的2.0mm×2.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸的小型封裝產(chǎn)品,還有傳統(tǒng)的TO-252封裝產(chǎn)品,未來將會繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容并持續(xù)供應(yīng)。

新產(chǎn)品的耐壓分別為40V、60V和100V,均通過采用split gate*3實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻,有助于車載應(yīng)用的高效運(yùn)行。所有型號的新產(chǎn)品均符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101,并確保高可靠性。

封裝有適用于不同應(yīng)用的3種形式。小型封裝DFN2020Y7LSAA(2.0mm×2.0mm)和HSMT8AG(3.3mm×3.3mm)非常適用于高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)等安裝面積較小的應(yīng)用。另外還有已被廣泛用于車載電源等應(yīng)用的TO-252(DPAK)封裝(6.6mm×10.0mm)。DFN2020Y7LSAA封裝的引腳采用的是可潤濕側(cè)翼(Wettable Flank)成型技術(shù)*4,TO-252封裝的引腳采用的是鷗翼型結(jié)構(gòu)*5,安裝可靠性都非常高。

目前,新產(chǎn)品暫以月產(chǎn)1,000萬個(10種型號合計(jì))的規(guī)模量產(chǎn)(樣品價(jià)格500日元/個,不含稅)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.(日本滋賀工廠),后道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)和ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)。另外,新產(chǎn)品已經(jīng)開始通過電商進(jìn)行銷售,通過Ameya360電商平臺可購買。

未來,ROHM將致力于擴(kuò)大車載用中等耐壓Nch MOSFET的產(chǎn)品陣容。計(jì)劃于2024年10月開始量產(chǎn)DFN3333封裝(3.3mm×3.3mm)和HPLF5060封裝(5.0mm×6.0mm)的產(chǎn)品,于2025年開始量產(chǎn)80V耐壓的產(chǎn)品。另外還計(jì)劃增加Pch產(chǎn)品。ROHM將繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容,為車載應(yīng)用的高效運(yùn)行和小型化貢獻(xiàn)力量。

<產(chǎn)品陣容>

wKgaomay6piAdvn7AAd8KktpviY517.png

<應(yīng)用示例>

各種車載電機(jī)(汽車門鎖、座椅調(diào)節(jié)器、電動車窗等)

LED前照燈

信息娛樂系統(tǒng)、車載顯示器

高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)

<電商銷售信息>

電商平臺:Ameya360

(開始銷售時間:2024年6月)

wKgZomay6pqALzVdAAHdeytdGUU425.png

<術(shù)語解說>

01. 導(dǎo)通電阻(Ron)

MOSFET啟動(ON)時漏極與源極之間的電阻值。該值越小,運(yùn)行時的損耗(電力損耗)越少。

02. Nch MOSFET

通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。與Pch MOSFET相比,由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻,并且在各種電路中具有更出色的易用性,因而目前在市場上更受歡迎。

03. split gate

一種將MOSFET的柵極分為多段以有效調(diào)整電子流動的技術(shù)。利用該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高速且高可靠性的運(yùn)行。

04. 可潤濕側(cè)翼(Wettable Flank)成型技術(shù)

一種在底部電極封裝的引線框架側(cè)面進(jìn)行電鍍加工的技術(shù)。利用該技術(shù)可提高安裝可靠性。

05. 鷗翼型結(jié)構(gòu)

引腳從封裝兩側(cè)向外伸出的封裝形狀。散熱性優(yōu)異,可提高安裝可靠性。

審核編輯 黃宇

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