IGBT芯片工藝流程簡述
IGBT，全稱絕緣柵雙極性晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是由MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）和BJT（雙極性晶體管）組成的復(fù)合全控型功率半導(dǎo)體器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，通過十幾伏的門極控制信號，即可實現(xiàn)kV級電壓和kA級電流的控制，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極為廣泛。
準備好硅襯底材料
Boron局部注入形成場限環(huán)
Hardmask形成：通過CVD+光刻刻蝕
溝槽形成：深槽刻蝕
溝槽形成：柵極氧化和多晶填充
元胞注入：N型注入和P型注入
正面金屬形成：通過ILD淀積、接觸孔刻蝕和金屬濺射同步完成Emitter電極和終端區(qū)的金屬場板
背面形成：N型注入、P型注入后金屬濺射完成背面Collecter電極加工
好了，IGBT芯片的整個加工流程介紹完了，步驟里面只提到了Emitter和Collecter電極，那么大家想一想Gate電極又是在哪部形成的呢？
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原文標題：IGBT芯片工藝流程
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