在特拉華州舉行的四方領導人峰會之際，美國與印度攜手深化了半導體領域的合作，共同推出了一系列旨在促進技術創(chuàng)新與供應鏈韌性的重要舉措。9月21日，白宮發(fā)布的官方聲明揭示了美國總統(tǒng)拜登與印度總理莫迪達成的關鍵協(xié)議，宣布將合作建立一座先進的半導體制造工廠，專注于傳感、通信及電力電子產品的前沿生產。

這座新工廠將聚焦于紅外線、氮化鎵及碳化硅等高科技半導體材料的制造，并獲得了印度半導體領域代表團、Bharat Semi、3rdiTech公司以及美國太空軍等強大戰(zhàn)略伙伴的技術與資金支持。此舉旨在強化國家安全，推動下一代電信技術及綠色能源應用的革新與發(fā)展。

雙方領導人在聯(lián)合聲明中高度評價了為構建可靠且安全的半導體供應鏈所作的努力，特別提到了印度設立的格芯加爾各答“全球能力中心”，該中心致力于芯片制造技術的研發(fā)，旨在加速零排放與低排放汽車、物聯(lián)網設備、人工智能及數(shù)據(jù)中心等領域的進步。同時，雙方還探討了格芯與印度長期制造合作的潛力，期待為兩國創(chuàng)造更多高質量就業(yè)崗位。

此外，兩國政府還宣布了美國國務院與印度半導體代表團建立新戰(zhàn)略合作伙伴關系的消息，并與國際技術安全與創(chuàng)新（ITSI）基金保持戰(zhàn)略協(xié)同，以進一步鞏固雙方在半導體及相關領域的合作基礎。

聲明還強調了雙方在增強汽車市場供應鏈穩(wěn)定性方面的合作成果，包括福特汽車公司計劃利用其在印度的欽奈工廠進行出口業(yè)務的積極意向。

為了促進學術與科研交流，拜登與莫迪還宣布了在未來五年內將投入超過9000萬美元資金支持美印全球挑戰(zhàn)研究所，旨在加深兩國大學與研究機構之間的合作，推動高影響力研究項目的發(fā)展。同時，雙方還慶祝了美印先進材料研發(fā)論壇的成立，標志著兩國在科研合作領域的又一重要里程碑。

在人工智能、量子技術及其他前沿科技領域，雙方領導人也強調了日益增強的合作態(tài)勢，并提及了美印量子協(xié)調機制會議的召開及通過美印科技捐贈基金（IUSSTF）為兩國在AI與量子領域的研究提供新獎勵的舉措。特別地，IBM與印度政府簽署的諒解備忘錄，標志著雙方在AI創(chuàng)新與半導體研究方面的深度合作邁入新階段。

最后，雙方領導人對當前在5G部署及下一代電信技術方面的緊密合作表示贊賞，并提及了美國國際開發(fā)署投資700萬美元與印度機構合作擴大亞洲Open RAN學院的合作項目，彰顯了雙方在推動全球電信技術發(fā)展的共同愿景與努力。