12月16日，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲在半導體發(fā)展戰(zhàn)略研討會上表示，2018年是第三代半導體產(chǎn)業(yè)化準備的關(guān)鍵期。到2025年，第三代半導體器件將在移動通信、高效電能管理中國產(chǎn)化率占50%；LED通用照明市場占有率達到80%，核心器件國產(chǎn)化率達到95%；第三代半導體器件在新能源汽車、消費類電子領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模應(yīng)用。

第三代半導體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料。目前，第一代、第二代半導體技術(shù)在光電子、電力電子和射頻微波等領(lǐng)域器件性能的提升已經(jīng)逼近材料的物理極限，難以支撐新一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展，難以應(yīng)對能源與環(huán)境面臨的嚴峻挑戰(zhàn)，難以滿足高新技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)發(fā)展，迫切需要發(fā)展新一代半導體技術(shù)。

中微半導體副總經(jīng)理季華認為，第三代半導體產(chǎn)業(yè)化需要從全產(chǎn)業(yè)鏈考慮，不僅是制造和設(shè)備，還包括關(guān)鍵零部件。同時，國產(chǎn)設(shè)備企業(yè)需要參與全球競爭，才能夠?qū)崿F(xiàn)健康穩(wěn)健發(fā)展。

吳玲還稱，我國第三代半導體創(chuàng)新發(fā)展的時機已經(jīng)成熟，處于重要窗口期。但目前仍面臨多重緊迫性。其中，光電子材料和器件領(lǐng)域與國際先進水平相比處于并跑狀態(tài)；功率半導體材料和器件、射頻材料和器件與國際先進水平相比處于跟跑狀態(tài)。目前國際上已經(jīng)有近10家企業(yè)具有商業(yè)化產(chǎn)品，英飛凌量產(chǎn)器件2018年將大規(guī)模推出。此外，還有產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線薄弱、技術(shù)團隊缺乏等問題。

乾照光電董事長金張育表示，第三代半導體憑借其寬禁帶、高熱導帶、高擊穿電場、高抗輻射性能等特點，市場應(yīng)用潛力巨大。公司預(yù)計通過投資和并購的方式，吸收優(yōu)秀人才與研發(fā)力度走在行業(yè)前端。

興業(yè)證券認為，2018年第三代半導體設(shè)備行業(yè)將迎來景氣拐點。本輪投資以大陸本土企業(yè)為主導，國產(chǎn)設(shè)備公司將進入訂單和業(yè)績兌現(xiàn)期。半導體行業(yè)作為戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，技術(shù)突破與下游投資加速，將帶來設(shè)備需求規(guī)?？焖贁U張。

2016年，國務(wù)院印發(fā)《“十三五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃》，發(fā)布面向2030年的6項重大科技項目和9項重大工程，第三代半導體是“重點新材料研發(fā)及應(yīng)用”重大項目的組成部分。同年，國務(wù)院成立國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導小組，貫徹實施制造強國戰(zhàn)略，加快推進新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展。