1 引言

射頻功率放大器是無線發(fā)射機中的核心模塊之一，也是無線收發(fā)機*耗最大的模塊，為了 降低功耗，延長電池壽命，要求它具有高效和大功率輸出。隨著硅CMOS 工藝的不斷改進(jìn)，采用 標(biāo)準(zhǔn)CMOS 工藝實現(xiàn)高性能的功率放大器是當(dāng)今射頻電路向尺寸更小、價格更低以及全片集成方 向發(fā)展的必然趨勢，科研工作者們在相關(guān)理論研究以及電路性能的改進(jìn)方面做了大量工作[1~5]。 本文基于0.18μm CMOS 工藝，主要從高效率和集成化的角度優(yōu)化考慮，設(shè)計實現(xiàn)了一個工作頻 率在2.4GHz 處的兩級全集成E 類開關(guān)模式功率放大器，獲得較好的仿真效果。

2 工作原理

圖1 給出了標(biāo)準(zhǔn)E 類功率放大器工作原理電路。其中，扼流電感 L1 阻止交流信號通過，并 給晶體管提供直流電流。 L2 、 C2 組成一個串聯(lián)諧振網(wǎng)絡(luò)，以使流過該網(wǎng)絡(luò)的電流為理想的正弦 信號，所有諧波成分都被濾除。并聯(lián)接地電容 C1 由兩部分組成，一部分是晶體管的寄生電容，另 一部分是實際引入的電容。驅(qū)動電壓過驅(qū)動使得晶體管M1 可近似作為開關(guān)來使用，當(dāng)它導(dǎo)通時，晶體管上壓降為零；而當(dāng)它截止時，流過晶體管的電流為零。E 類功率放大器正是通過對開關(guān)上 的電壓整形，使得在開關(guān)導(dǎo)通瞬間，開關(guān)上的電壓和電壓變化斜率都近似為零，從而達(dá)到減小開 關(guān)損耗，提高效率的目的。通常電路元件參數(shù)可由以下公式大致確定[6]：

其中，Q為電路品質(zhì)因數(shù)，ω 為工作頻率， dc V 、dc I 為漏端電壓、電流， RL 為獲得所需功率out P 而將終端50Ω 電阻進(jìn)行阻抗變換得到的匹配電阻。

3 電路設(shè)計與分析

通常情況，單級功率放大器增益僅為 10dB 左右，需要增加高增益的驅(qū)動級來提高整體功放 的增益。因此，功率放大器設(shè)計一般就分為功率輸出級、輸出匹配、增益驅(qū)動級、級間匹配、輸 入匹配等部分。圖2 為本文基于這種結(jié)構(gòu)思想、采用0.18μm CMOS 工藝設(shè)計實現(xiàn)的兩級全集成 E 類開關(guān)模式功率放大器的具體電路，其中驅(qū)動級為準(zhǔn)F 類，輸出級為E 類。

3.1 功率輸出級

功率輸出級采用工作原理中介紹的標(biāo)準(zhǔn) E 類功率放大器結(jié)構(gòu)，這種直接由M3 管構(gòu)成的共源 結(jié)構(gòu)能夠充分利用電源電壓的幅度，提高輸出電壓擺幅。由于E 類功率放大器的漏端最高電壓可 能升高到3.6Vd 2 [1]，為保證MOS 管不被擊穿，電路選用2V 電壓供電。功率輸出級是射頻功率 放大器中最關(guān)鍵的一級，它的性能特性包括輸出功率、效率等將直接影響整個放大器的性能。晶 體管必須選取在最小電壓降時至少可以提供dc I 大小的直流電流，且工作在線性區(qū)。同時，還得 對該晶體管的輸出功率和效率進(jìn)行掃描*估，以確保選取的晶體管可以達(dá)到預(yù)設(shè)計的性能指標(biāo)要 求。我們在設(shè)計過程中的經(jīng)驗表明，通過負(fù)載牽引（Load-Pull）技術(shù)能有效的預(yù)測輸出晶體管的 輸出功率和效率，并在整體電路設(shè)計好后這兩項指標(biāo)還會有所提高。

3.2 輸出匹配網(wǎng)絡(luò)

通常電路終端接的是 50Ω 的電阻，為獲得理想的輸出功率由公式(1)計算得到的實際負(fù)載 RL 通常比較小，需要阻抗變換。輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的目的就是提供器件的輸出端到負(fù)載阻抗之間的最大 功率傳輸所需要的阻抗。為了最小化無源器件和有效濾除高次諧波分量，電路選用如圖3 線框中 所示的L 型低通阻抗匹配結(jié)構(gòu)。這樣， L 型低通阻抗變換電路電感 L3 便可與功率輸出級的串聯(lián) 諧振電感 L2 合二為一成電感L2&3 ，從而有效減少片上電感所占據(jù)的芯片面積。由于功率放大器 工作頻率較高，使得晶體管阻抗特性的各參數(shù)受到工作頻率、輸入電平、輸出端負(fù)載阻抗、電源 偏置以及溫度等的影響。功率放大器晶體管的阻抗一般來講是一個復(fù)數(shù)，并且不僅會隨著頻率的 變化而變化，還會隨輸出信號的電壓和電流而變化，這樣輸出級與天線之間的阻抗變換網(wǎng)絡(luò)的實 現(xiàn)就比較困難。在設(shè)計中，輸出阻抗變換網(wǎng)絡(luò)我們采用Load-Pull 技術(shù)來獲取最佳負(fù)載阻抗，然 后根據(jù)該阻值利用Smith 圖解設(shè)計工具便可獲得低通阻抗匹配元件的具體參數(shù)。

3.3 增益驅(qū)動級

增益驅(qū)動級采用由 M1、M2 組成的共源共柵（Cascode）結(jié)構(gòu)加兩個諧振網(wǎng)絡(luò)一起構(gòu)成的準(zhǔn) F 類放大器模式。共源共柵結(jié)構(gòu)可以有效降低Miller 電容的影響，提高輸入-輸出之間的隔離度。 兩個諧振網(wǎng)絡(luò)中： Cd1 和L d1 構(gòu)成的諧振器調(diào)諧在ω 處, Cd 3 和Ld 3 構(gòu)成的諧振器調(diào)諧在3ω 處。 通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)諧這四個參數(shù),確保諧振網(wǎng)絡(luò)對二次諧波短路，輸出電路為基波和三次諧波疊加， 從而獲得E 類放大器所需的近似方波驅(qū)動信號。在電路性能測試中我們發(fā)現(xiàn)，由于準(zhǔn)F 類放大器 結(jié)構(gòu)的開關(guān)電壓峰峰值可達(dá)到2Vd1，因此增益驅(qū)動級的電源電壓可以大大降低，從而可以有效減 少整個電路的直流功耗，提高電路的整體效率。

3.4 級間匹配網(wǎng)絡(luò)

級間匹配網(wǎng)絡(luò)需要匹配前一級器件的輸出阻抗和后一級器件的輸入阻抗，應(yīng)選擇高增益的級 間拓?fù)?，并實現(xiàn)平坦的增益響應(yīng)。級間匹配還應(yīng)具備級間隔直流功能，通常加入隔直電容Cd 。 電路并聯(lián)電感 Lm 可使功率輸出級輸入端看到的MOS 管寄生電容Cm 減小，從而提高電壓傳輸效 率[5]。級間匹配等效電路如圖4 所示，從增益驅(qū)動級輸出端看到的等效阻抗為：

增益驅(qū)動級的方波信號是由基波和三次諧波疊加而成，因此通過公式（5）要確保增益驅(qū)動 級輸出端看到的三次諧波和基波等效阻抗必須具有相同的容性或感性，否則會由于相位相反無法 形成方波。此外，測試中我們還發(fā)現(xiàn)Cd 值對傳輸效率影響比較敏感，為提高電壓傳輸效率， Cd 一般需要取較大值。

4 仿真分析

本設(shè)計基于0.18μm CMOS 工藝，充分考慮了片上電感品質(zhì)因數(shù)不高、電感值較小和占有面 積較大的局限條件下，實現(xiàn)了電路的全片集成。在2V 電源電壓條件下利用ADS2005A 進(jìn)行仿真， 仿真結(jié)果如圖5 所示。

當(dāng)電流Id 趨于零時電壓Vd達(dá)到峰值，而當(dāng)電流Id 達(dá)到峰值時電壓Vd趨于零，這與理想E 類開關(guān) 模式功率放大器的輸出目標(biāo)基本吻合，從而實現(xiàn)電路較大功率和較高效率的輸出。圖(d)表明，電 路在輸入功率為-10dBm 時的輸出功率約為21.5dBm，功率附加效率達(dá)到了57.69%的較好結(jié)果， 相應(yīng)功率增益為31dB。

在性能仿真過程中我們發(fā)現(xiàn)，電路各級的阻抗匹配對電路的影響都非常大，阻抗匹配是電路 設(shè)計成敗的關(guān)鍵。采用Load-Pull 技術(shù)是獲取最佳輸出匹配負(fù)載和預(yù)測晶體管輸出功率和效率的 有效且便捷的手段。此外，輸出晶體管尺寸對整體電路的輸出功率和效率有著密切的聯(lián)系，存在 最佳尺寸，使得電路主要性能達(dá)到最優(yōu)化，但相應(yīng)對電路的工作條件如驅(qū)動級電源電壓等的要求 更高，因此需要折中考慮。

5 結(jié)論

本文的創(chuàng)新點在于在輸入匹配晶體管柵-源間并接電容 Cp 極大的提高了在片電感選擇的靈 活性；同時采用準(zhǔn)F 類放大器作為驅(qū)動級，獲得了E 類功率放大器所需要的方波驅(qū)動信號。本文 設(shè)計的E 類開關(guān)模式功率放大器達(dá)到了全集成、高效、大功率輸出的目的，與國內(nèi)外設(shè)計相比達(dá) 到先進(jìn)水平[3-5]。隨著CMOS 工藝和電感工藝的不斷改進(jìn)，由該技術(shù)實現(xiàn)的功率放大器在未來無 線通信領(lǐng)域必將有著廣泛的應(yīng)用前景。