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可用于大規(guī)模量產(chǎn)的新型雙面銅鍍膜技術(shù), 王璐博士團(tuán)隊最新WILEY發(fā)文

美能光伏 ? 2024-11-12 01:06 ? 次閱讀
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在光伏行業(yè)中,降低產(chǎn)品的 “碳足跡”至關(guān)重要。銅在碳排放和成本方面優(yōu)于銀,因此用鍍銅觸點(diǎn)替代銀漿觸點(diǎn)是太陽能電池金屬化技術(shù)的發(fā)展趨勢。與金屬銀相比,銅具有低排放和低成本的特點(diǎn),能有效降低碳足跡。

不同金屬產(chǎn)出的溫室氣體排放分配情況

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基于不同定義方法的溫室氣體排放在不同產(chǎn)出金屬中的分配

圖中比較了銅和銀在不同分配條件下的碳足跡。結(jié)果顯示,在所有四種分配條件下,銅的碳足跡都小于銀。這表明在光伏產(chǎn)業(yè)中,使用銅作為金屬化材料相比于銀可以更有效地減少碳排放。

太陽能電池結(jié)構(gòu)


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具有雙面鎳/銅金屬化的 TOPCon 太陽能電池的示意圖

正面結(jié)構(gòu)紋理化:使用 NaOH 堿性溶液與硅襯底反應(yīng),形成高度約為 3μm 的均勻金字塔結(jié)構(gòu)。這種紋理化結(jié)構(gòu)可以有效減少光的反射,增加光在電池內(nèi)部的吸收路徑,從而提高光的利用率鈍化:先沉積 3nm的AlOx 層,再沉積80nm折射率為1.93的SiNx層作為減反射涂層。AlOx 層和 SiNx 層的鈍化作用可以降低硅表面的懸掛鍵,減少表面復(fù)合,提高少數(shù)載流子壽命,進(jìn)而提升電池的開路電壓和轉(zhuǎn)換效率。

金屬化:Cu金屬化層厚度超過5μm,為電池提供良好的導(dǎo)電性,確保光生載流子能夠有效地收集和傳輸?shù)酵獠侩娐?,減少電阻損耗,提高電池的填充因子。

背面結(jié)構(gòu)

隧穿氧化層:沉積 2nm 的超薄隧穿氧化層,該層允許多數(shù)載流子通過的同時阻礙少數(shù)載流子,有助于提高電池的鈍化效果,減少背面的載流子復(fù)合,從而提升電池的性能。

多晶硅層:制備約85nm的磷摻雜多晶硅,先通過PECVD沉積磷摻雜非晶硅,再退火形成多晶硅,其背面方塊電阻約為50Ω/sq。多晶硅層在電池中起到鈍化和載流子傳輸?shù)淖饔?,能夠進(jìn)一步提高電池的轉(zhuǎn)換效率。

鈍化與金屬化:PECVD 沉積82nm折射率為2.18的SiNx層進(jìn)行鈍化,背面介質(zhì)層開口約為16μm,通過光誘導(dǎo)電鍍方式進(jìn)Ni/Cu電鍍。SiNx層的鈍化作用與正面類似,而光誘導(dǎo)電鍍的 Ni/Cu 金屬化則為電池背面提供良好的導(dǎo)電性能,保證載流子的有效收集和傳輸。

激光圖案化工藝

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太陽能電池在經(jīng)過激光刻蝕過程后的表面圖像

激光消融寬度:從圖中可以清晰地看到,激光消融區(qū)域呈現(xiàn)出一定的寬度,約為 10μm。這個寬度對于太陽能電池的制造來說是一個關(guān)鍵參數(shù),因為它直接關(guān)系到后續(xù)金屬化過程中電極柵線的寬度。

SiNx 層去除效果:太陽能電池表面的SiNx層被超快激光完美去除,而原始的金字塔結(jié)構(gòu)仍然保留。這表明激光刻蝕過程硅基底損傷很小,有利于后續(xù)的金屬化過程。

通過顯微鏡圖像和SEM圖像展示了激光刻蝕過程對太陽能電池表面的影響,強(qiáng)調(diào)了激光刻蝕在太陽能電池金屬化過程中的重要性和有效性。

水平雙面電鍍金屬化設(shè)備

低破碎率:與其他電鍍方法相比,HDPLATE 不需要夾持硅片,這一特點(diǎn)使其具有低破碎率的優(yōu)勢。傳統(tǒng)的夾持方式可能會對硅片造成機(jī)械應(yīng)力,導(dǎo)致硅片破碎,而 HDPLATE 避免了這種情況的發(fā)生,提高了生產(chǎn)過程中的成品率,降低了生產(chǎn)成本。良好的導(dǎo)電效果:HDPLATE 具有獨(dú)特的導(dǎo)電裝置,從而具備了優(yōu)秀的導(dǎo)電效果。良好的導(dǎo)電效果可以確保在電鍍過程中電流均勻分布在硅片表面,使金屬鍍層均勻生長,從而提高電池的一致性可靠性,同時也有助于保護(hù)太陽能電池不受損壞。

可回收水系統(tǒng):設(shè)備配備了可回收水系統(tǒng),用于回收電鍍?nèi)芤?/strong>,使其能夠連續(xù)循環(huán)使用而無需更換。這一設(shè)計減少了電鍍?nèi)芤旱南模档土松a(chǎn)成本,符合綠色生產(chǎn)的理念。

太陽能電池的制備

制造TOPCon太陽能電池的七個主要步驟,從表面紋理化到雙面包覆Ni/Cu金屬化和燒結(jié),每個步驟都對電池的性能有重要影響。1、前表面紋理處理2、通過擴(kuò)散形成 P+層3、在背面制備隧道層和多晶硅層4、在前表面鍍覆氧化鋁(AIOx)和氮化硅(SiNx)5、在背面涂覆氮化硅(SiNx)6、激光開槽和高溫修復(fù)(T=750℃,t=30 秒)7、雙面Ni/Cu金屬化和燒結(jié)這個制備過程中的每個步驟相互配合、協(xié)同作用,從硅片的初始處理到正面和背面結(jié)構(gòu)的構(gòu)建,再到最后的金屬化和燒結(jié),全方位地優(yōu)化了太陽能電池的性能。通過精確控制各層的厚度、濃度、結(jié)構(gòu)等參數(shù),以及合理安排各工藝步驟,最終實(shí)現(xiàn)了雙面 Ni/Cu 金屬化 TOPCon 太陽能電池的高效光電轉(zhuǎn)換,為大規(guī)模生產(chǎn)高性能太陽能電池提供了可靠的技術(shù)方案。

太陽能電池性能測試與分析

拉伸測試

44bf73ca-a04f-11ef-8084-92fbcf53809c.png進(jìn)行了拉伸測試以確保太陽能電池的導(dǎo)電柵線滿足機(jī)械強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn),防止在使用過程中發(fā)生斷裂。測試結(jié)果顯示,采用電鍍工藝的太陽能電池柵線能夠承受超過規(guī)定的0.8 N的力,合格率達(dá)到100%,表明電鍍工藝生產(chǎn)的柵線在機(jī)械強(qiáng)度上是合格的,并且與傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷工藝相比,平均拉伸力更高,顯示了電鍍工藝的可靠性。

Ni/Cu接觸

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SEM圖像

通過SEM圖像觀察,Ni/Cu金屬化后的柵線寬度僅為17.6微米,相較于傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷技術(shù)大幅減少。這種細(xì)化的手指結(jié)構(gòu)不僅可以減少遮光區(qū)域,還能降低串聯(lián)電阻,從而顯著提高光電轉(zhuǎn)換效率。

高溫修復(fù)

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研究中使用了水平雙面包覆Ni/Cu金屬化工藝,并輔以高溫修復(fù),以提高太陽能電池的電氣性能。高溫修復(fù)后的太陽能電池效率分布更集中,整體效率比未進(jìn)行高溫修復(fù)的提高了0.422%,表明高溫修復(fù)是一個必要的工藝步驟。

電氣性能

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鎳/銅金屬化的電性能分布

使用I-V測試設(shè)備進(jìn)行測試,測試條件為AM1.5G,1000 W/m2,25°C。測試結(jié)果顯示,采用激光刻蝕和Ni/Cu金屬化的太陽能電池具有出色的電氣性能分布,表明水平雙面包覆Ni/Cu鍍膜技術(shù)的效果優(yōu)秀。

接觸電阻和網(wǎng)格電阻

45336136-a04f-11ef-8084-92fbcf53809c.png接觸電阻:Ni/Cu金屬化的接觸電阻為0.71 mΩ·cm2,而Ag/Al絲網(wǎng)印刷的接觸電阻為1.53 mΩ·cm2。這表明Ni/Cu金屬化技術(shù)具有更低的接觸電阻,這意味著在金屬和硅基底之間的電阻較小,有利于提高電流傳輸效率。網(wǎng)格電阻:在網(wǎng)格電阻方面,Ni/Cu金屬化的值為1.75×10?3 mΩ/cm,而Ag/Al絲網(wǎng)印刷的值為5×10?3 mΩ/cm。Ni/Cu金屬化技術(shù)的網(wǎng)格電阻更低,這有助于減少太陽能電池的串聯(lián)電阻,從而提高電池的整體效率

iVoc的影響

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太陽能電池iVoc的影響

45612f44-a04f-11ef-8084-92fbcf53809c.png太陽能電池經(jīng)過雙面硅氮化物鈍化后,iVoc約為750mV,激光刻蝕和Ni/Cu金屬化后,iVoc降低到約719mV。光電轉(zhuǎn)換效率:Ni/Cu金屬化電池的平均效率為26.259%,而Ag/Al絲網(wǎng)印刷電池的平均效率為26.117%。這表明Ni/Cu金屬化技術(shù)在提高電池效率方面與傳統(tǒng)的Ag/Al絲網(wǎng)印刷技術(shù)相當(dāng),甚至略有優(yōu)勢。

開路電壓:Ni/Cu金屬化電池的開路電壓為0.7182 V,而Ag/Al絲網(wǎng)印刷電池的開路電壓為0.7239 V。盡管Ni/Cu金屬化電池的開路電壓略低于Ag/Al絲網(wǎng)印刷電池,但差異不大。

短路電流Ni/Cu金屬化電池為18.82 A,Ag/Al絲網(wǎng)印刷電池為18.80 A。這表明兩種技術(shù)在收集光生載流子方面表現(xiàn)相似。

填充因子:Ni/Cu金屬化電池的填充因子為85.66%,而Ag/Al絲網(wǎng)印刷電池的填充因子為84.63%。Ni/Cu金屬化電池的填充因子略高,這可能是由于其更低的接觸和網(wǎng)格電阻導(dǎo)致的。

光致發(fā)光(PL)圖像分析

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前后表面激光刻蝕前后的光致發(fā)光(PL)圖像

光致發(fā)光(PL)成像原理:PL成像是一種用于評估半導(dǎo)體材料和太陽能電池內(nèi)部缺陷的技術(shù)。通過測量從電池表面發(fā)出的光量,可以識別材料中的重組中心和缺陷。

激光刻蝕對PL的影響:展示了激光刻蝕前后前后表面的PL圖像灰度值變化。激光刻蝕用于去除表面的SiNx層,以便進(jìn)行金屬化。

前表面PL變化:顯示了激光刻蝕后前表面的PL灰度值明顯下降。這表明激光刻蝕后,前表面的重組活動增加,可能是由于激光刻蝕引入的表面損傷或缺陷。

后表面PL變化:顯示了激光刻蝕后后表面的PL灰度值變化較小。這可能表明后表面的多晶硅層對激光刻蝕有保護(hù)作用,減少了表面損傷。

水平雙面銅金屬化技術(shù)在太陽能電池制造領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。通過對 TOPCon 太陽能電池的研究,我們看到該技術(shù)在提升電池性能方面的顯著優(yōu)勢,包括提高光電轉(zhuǎn)換效率、降低串聯(lián)電阻、增強(qiáng)電極可靠性等,為太陽能電池的大規(guī)模生產(chǎn)提供了一種新的、有效的金屬化方法。

美能TLM接觸電阻率測試儀

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美能TLM接觸電阻測試儀所具備接觸電阻率測試功能,可實(shí)現(xiàn)快速、靈活、精準(zhǔn)檢測。

  • 靜態(tài)測試重復(fù)性≤1%,動態(tài)測試重復(fù)性≤3%
  • 線電阻測量精度可達(dá)5%或0.1Ω/cm
  • 接觸電阻率測試與線電阻測試隨意切換

定制多種探測頭進(jìn)行測量和分析

隨著太陽能電池技術(shù)的不斷進(jìn)步,對金屬化工藝的精確控制和性能評估變得尤為重要。美能TLM接觸電阻測試儀作為一種先進(jìn)的測試工具,為太陽能電池制造商提供了一種高效、準(zhǔn)確的測量方法,用以評估金屬化層與硅基底之間的接觸電阻

原文出處:A Horizontal Double-Sided Copper Metallization Technology Designed for Solar Cell Mass-Production;https://doi.org/10.1002/pip.3863

*特別聲明:「美能光伏」公眾號所發(fā)布的原創(chuàng)及轉(zhuǎn)載文章,僅用于學(xué)術(shù)分享和傳遞光伏行業(yè)相關(guān)信息。未經(jīng)授權(quán),不得抄襲、篡改、引用、轉(zhuǎn)載等侵犯本公眾號相關(guān)權(quán)益的行為。內(nèi)容僅供參考,若有侵權(quán),請及時聯(lián)系我司進(jìn)行刪除。

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    EBSD分析中的荷電效應(yīng)控制:導(dǎo)電<b class='flag-5'>鍍膜技術(shù)</b>的應(yīng)用