chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

DDR內(nèi)存與SDRAM的區(qū)別 DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存哪個(gè)好

科技綠洲 ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-11-29 14:57 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

DDR內(nèi)存與SDRAM的區(qū)別

1. 定義與起源

  • SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) :同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是一種早期的內(nèi)存技術(shù),它與系統(tǒng)總線同步工作,以提高數(shù)據(jù)傳輸效率。
  • DDR (Double Data Rate) :雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是SDRAM的后繼者,它通過(guò)在時(shí)鐘周期的上升沿和下降沿都進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸來(lái)實(shí)現(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)傳輸速率。

2. 性能

  • SDRAM :在單個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi),只能進(jìn)行一次數(shù)據(jù)傳輸。
  • DDR :在單個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi),可以進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸,因此DDR內(nèi)存的帶寬是SDRAM的兩倍。

3. 功耗

  • SDRAM :功耗相對(duì)較高,因?yàn)樗枰嗟碾娏?lái)維持?jǐn)?shù)據(jù)的穩(wěn)定性。
  • DDR :由于采用了更高效的數(shù)據(jù)傳輸方式,DDR內(nèi)存的功耗相對(duì)較低。

4. 速度

  • SDRAM :速度較慢,因?yàn)樗臄?shù)據(jù)傳輸速率受限于單個(gè)時(shí)鐘周期。
  • DDR :速度更快,因?yàn)樗梢栽诿總€(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)。

5. 兼容性

  • SDRAM :隨著技術(shù)的發(fā)展,SDRAM已經(jīng)逐漸被DDR內(nèi)存所取代,現(xiàn)代的主板和處理器不再支持SDRAM。
  • DDR :兼容性更好,因?yàn)樗乾F(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的主流內(nèi)存技術(shù)。

DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存哪個(gè)好

1. 性能提升

  • DDR4 :相較于DDR3,DDR4內(nèi)存提供了更高的數(shù)據(jù)傳輸速率。DDR4的起始速度為2133MHz,而DDR3的起始速度為1600MHz。
  • DDR3 :雖然速度較慢,但對(duì)于不需要高性能計(jì)算的用戶來(lái)說(shuō),DDR3內(nèi)存仍然可以滿足日常使用需求。

2. 功耗降低

  • DDR4 :DDR4內(nèi)存在提供更高速度的同時(shí),還降低了功耗。DDR4的電壓從DDR3的1.5V降低到了1.2V。
  • DDR3 :功耗相對(duì)較高,特別是在高負(fù)載工作時(shí)。

3. 容量提升

  • DDR4 :DDR4內(nèi)存支持更高的內(nèi)存容量,單個(gè)模塊可以達(dá)到16GB甚至更高。
  • DDR3 :雖然也有高容量版本,但普遍容量較低。

4. 兼容性

  • DDR4 :需要主板和處理器支持DDR4內(nèi)存,否則無(wú)法使用。
  • DDR3 :兼容性較好,大多數(shù)現(xiàn)代主板都支持DDR3內(nèi)存。

5. 成本

  • DDR4 :由于是較新的技術(shù),DDR4內(nèi)存的價(jià)格相對(duì)較高。
  • DDR3 :由于技術(shù)成熟,DDR3內(nèi)存的價(jià)格相對(duì)較低。

6. 總結(jié)

DDR4內(nèi)存在性能、功耗和容量方面都優(yōu)于DDR3內(nèi)存,但成本也相對(duì)較高。對(duì)于追求高性能和最新技術(shù)的用戶來(lái)說(shuō),DDR4內(nèi)存是更好的選擇。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • SDRAM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    449

    瀏覽量

    57268
  • 存儲(chǔ)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    39

    文章

    7713

    瀏覽量

    170779
  • DDR內(nèi)存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    22

    瀏覽量

    7319
  • DDR3內(nèi)存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    4

    瀏覽量

    5930
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    DDR4價(jià)格瘋漲!現(xiàn)貨市場(chǎng)狂飆!

    下,渠道搶貨助推價(jià)格上漲。未來(lái)隨著大廠的減產(chǎn),其他內(nèi)存廠商承接市場(chǎng)需求或?qū)⒊掷m(xù)影響DDR4的供需走勢(shì)。 ? 極速漲價(jià) ? CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示,近期渠道資源從高端到底部低端料號(hào)價(jià)格自上而下全線走高,渠道存儲(chǔ)廠商仍堅(jiān)定強(qiáng)勢(shì)拉漲DDR4
    的頭像 發(fā)表于 06-19 00:54 ?9751次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR4</b>價(jià)格瘋漲!現(xiàn)貨市場(chǎng)狂飆!

    DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 11-05 17:04 ?1次下載

    回收DDR內(nèi)存芯片 收購(gòu)DDR全新拆機(jī)帶板

    回收DDR2,回收DDR3,收購(gòu)DDR2,收購(gòu)DDR3 DDR4 DDR5長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收
    發(fā)表于 10-09 14:15

    ?TPS65295 DDR4內(nèi)存電源解決方案技術(shù)文檔總結(jié)

    TPS65295器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 DDR4 上電和斷電序列要求的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。該TPS65295集成了兩個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器
    的頭像 發(fā)表于 09-09 14:16 ?1603次閱讀
    ?TPS65295 <b class='flag-5'>DDR4</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b>電源解決方案技術(shù)文檔總結(jié)

    漲價(jià)!部分DDR4DDR5價(jià)差已達(dá)一倍!

    (2GX8)內(nèi)存在6月2日的報(bào)價(jià)為5.171美元,當(dāng)時(shí)比DDR5低約8%。然而,最新報(bào)價(jià)顯示DDR4已上漲至8.633美元,不到一個(gè)月時(shí)間內(nèi)漲幅高達(dá)67%,且已經(jīng)超過(guò)DDR5的價(jià)格的4
    的頭像 發(fā)表于 06-27 00:27 ?4224次閱讀

    DDR內(nèi)存市場(chǎng)現(xiàn)狀和未來(lái)發(fā)展

    DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR
    的頭像 發(fā)表于 06-25 11:21 ?1689次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b>市場(chǎng)現(xiàn)狀和未來(lái)發(fā)展

    看點(diǎn):三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20% 華為與優(yōu)必選全面合作具身智能

    給大家?guī)?lái)一些業(yè)界資訊: 三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20%? 存儲(chǔ)器價(jià)格跌勢(shì)結(jié)束,在2025年一季度和第二季度,價(jià)格開(kāi)始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報(bào)道稱,三星公司DDR4內(nèi)存開(kāi)始漲價(jià)
    的頭像 發(fā)表于 05-13 15:20 ?1097次閱讀

    DDR4漲價(jià)20%,DDR5上調(diào)5%!

    最新消息,三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致。DDR4 DRAM價(jià)格平均上漲兩位數(shù)百分比;DDR5價(jià)格上漲個(gè)位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%,DDR5 上調(diào)
    的頭像 發(fā)表于 05-13 01:09 ?6488次閱讀

    TPS51116 完整的DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3DDR4 電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

    TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3
    的頭像 發(fā)表于 04-29 16:38 ?903次閱讀
    TPS51116 完整的<b class='flag-5'>DDR</b>、<b class='flag-5'>DDR</b>2、<b class='flag-5'>DDR3</b>、<b class='flag-5'>DDR3</b>L、LPDDR<b class='flag-5'>3</b> 和 <b class='flag-5'>DDR4</b> 電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

    TPS51916 DDR2/3/3L/4 內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

    TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)
    的頭像 發(fā)表于 04-28 10:58 ?590次閱讀
    TPS51916 <b class='flag-5'>DDR</b>2/<b class='flag-5'>3</b>/<b class='flag-5'>3</b>L/<b class='flag-5'>4</b> <b class='flag-5'>內(nèi)存</b>電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

    DDR3 SDRAM配置教程

    DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品,相
    的頭像 發(fā)表于 04-10 09:42 ?3739次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR3</b> <b class='flag-5'>SDRAM</b>配置教程

    燦芯半導(dǎo)體推出DDR3/4和LPDDR3/4 Combo IP

    燦芯半導(dǎo)體(上海)股份有限公司(燦芯股份,688691)宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺(tái)的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性
    的頭像 發(fā)表于 03-21 16:20 ?873次閱讀

    DDR內(nèi)存控制器的架構(gòu)解析

    DDR內(nèi)存控制器是一個(gè)高度集成的組件,支持多種DDR內(nèi)存類型(DDR2、DDR3、
    的頭像 發(fā)表于 03-05 13:47 ?3203次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b>控制器的架構(gòu)解析

    DDR4或年內(nèi)停產(chǎn),三大廠商引發(fā)內(nèi)存市場(chǎng)變局

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,日前,日媒報(bào)道由于DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)下滑,全球三大原廠三星、SK海力士和美光計(jì)劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示,2025年1月,DDR4
    發(fā)表于 02-21 00:10 ?2636次閱讀

    三大內(nèi)存原廠或?qū)⒂?025年停產(chǎn)DDR3/DDR4

    據(jù)報(bào)道,業(yè)內(nèi)人士透露,全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光,有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級(jí)平臺(tái)的更
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:11 ?3140次閱讀