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雷射的發(fā)展歷史

Semi Connect ? 來源:Semi Connect ? 2024-12-06 16:26 ? 次閱讀
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LASER是“l(fā)ight amplification by stimulated emission of radiation”的縮寫,臺(tái)灣音譯為雷射,中國(guó)大陸意譯為激光,意指光在受激發(fā)放大情況下所產(chǎn)生的同調(diào)光源。在1964年諾貝爾物理獎(jiǎng)?lì)C發(fā)給公認(rèn)雷射理論奠基者包含Charles Townes, Nikolay Basov 與Alexander Prokhorov三人之前,不同種類的雷射以及相關(guān)專利已經(jīng)陸續(xù)被實(shí)際制作出來,包括1960年在休斯實(shí)驗(yàn)室 (Hughes Research Laboratories)任職的梅曼(Theodore Maiman)[1]利用閃光燈脈沖光源激發(fā)紅寶石晶體產(chǎn)生有史以來第一道人造的同調(diào)光源,發(fā)光波長(zhǎng)為694.3nm,同一年任職于美國(guó)電話電報(bào)公司(AT&T)貝爾實(shí)驗(yàn)室(Bell Lab.)的AliJavan,William Bennett和Donald Herriott成功制作了第一臺(tái)利用氦氣和氖氣作為增益介質(zhì)的氣體雷射(HeNe laser)[2],這也是第一個(gè)連續(xù)波(continuous wave, CW) 操作的雷射光源,發(fā)光波長(zhǎng)為1153nm[3],半年后另一團(tuán)隊(duì)所制作的氦氖雷射發(fā)光波長(zhǎng)632.8nm成為稍后較為普遍被采用的紅光雷射光源[4]。

Ali Javan與Nikolay Basov提出利用半導(dǎo)體材料制作雷射二極體的構(gòu)想,但是稍早在1956年的時(shí)候日本東北大學(xué)的西澤潤(rùn)一教授已經(jīng)提出雷射二極體的專利申請(qǐng),甚至比1958年Gordon Gould提出LASER名詞縮寫的時(shí)間都還要更早。在1962年Robert N.Hall首次利用砷化鎵(GaAs)材料同質(zhì)接面(homojunction)結(jié)構(gòu)制作出第一個(gè)雷射二極體[5],發(fā)光波長(zhǎng)為842nm,可以在77K液態(tài)氮溫度下脈沖操作(pulse operation),同年Nick Holonyak Jr.教授在任職于通用電氣公司(General Electric Co.) 時(shí)率先采用磷砷化鎵(GaAsP)制作出第一個(gè)可見光波段的紅光半導(dǎo)體雷射二極體[6]并發(fā)明了第一個(gè)紅光發(fā)光二極體 (light emitting diodes, LED),在1962年底前GE已經(jīng)開始販?zhǔn)跼obert N. Hall開發(fā)的砷化鎵雷射二極體和Nick Holonyak Jr.教授開發(fā)的磷砷化鎵雷射二極體與發(fā)光二極體,其中紅光LED一顆售價(jià)260美元,砷化鎵紅外光雷射二極體售價(jià)1300美元,磷砷化鎵紅光雷射二極體售價(jià)2600美元,同時(shí)期德州儀器公司(Texas Instruments, TI) 販?zhǔn)鄣纳榛壖t外光發(fā)光二極體售價(jià)為130美元。

在1969年時(shí)任職于貝爾實(shí)驗(yàn)室的林嚴(yán)雄(Izuo Hayashi)和Morton Panish利用P型砷化鋁鎵一砷化鎵單異質(zhì)接面結(jié)構(gòu)(p-AlGaAS/p-GaAs heterostructure)首次制作出可以在室溫下連續(xù)波操作的半導(dǎo)體雷射二極體 ,任職于美國(guó)無線電公司RCA的HenryKressel也采用類似結(jié)構(gòu)[10],同時(shí)期Zhores I.Alferov和Herbert Kroemer分別在俄國(guó)和美國(guó)發(fā)展出具有雙異質(zhì)接面結(jié)構(gòu)(double heterostructure, DHS)的半導(dǎo)體雷射[11]與高速雙載子電晶體(heterojunction bipolar transistor, HBT)制作技術(shù),采用該方法作為半導(dǎo)體雷射主動(dòng)層增益介質(zhì)可以有效提升注入載子局限(carrier confinement)能力,顯著降低達(dá)到雷射輸出所需的閾值電流(threshold current)值,該技術(shù)迅速提升半導(dǎo)體雷射操作特性,使得雷射技術(shù)更為實(shí)用,因此兩人連同積體電路發(fā)明人之一的Jack Kilby共同獲頒2000年諾貝爾物理獎(jiǎng)。

時(shí)至今日有許多不同的材料可以用來作為雷射操作所需的增益介質(zhì),包括各種固態(tài)晶體(例如最早發(fā)出雷射光的紅寶石雷射、摻釔鋁石榴石雷射Nd:YAG laser[12])、氣體(例如氦氖雷射、二氧化碳雷射等)、染料雷射、化學(xué)雷射、準(zhǔn)分子雷射、光子晶體雷射、光纖雷射甚至不需要增益介質(zhì)直接借由調(diào)控電子運(yùn)動(dòng)發(fā)出同調(diào)的電磁波的自由電子雷射,但是其中應(yīng)用范圍最廣泛的仍然非半導(dǎo)體雷射二極體莫屬。

半導(dǎo)體雷射已經(jīng)成為現(xiàn)代資訊社會(huì)中最重要的光源之一,也是引領(lǐng)人們進(jìn)入網(wǎng)路資訊數(shù)位時(shí)代不可或缺的原動(dòng)力。目前半導(dǎo)體雷射在電子資訊領(lǐng)域最重要的應(yīng)用可大致區(qū)分為光資訊與光通訊兩大主軸;而依照元件結(jié)構(gòu)的主要差異,半導(dǎo)體雷射又可區(qū)分為邊射型雷射(edge emitting laser, EEL)與垂直共振腔面射型雷射。其中較晚開始發(fā)展的面射型雷射技術(shù)與傳統(tǒng)邊射型雷射結(jié)構(gòu)相較之下具有許多先天上的優(yōu)點(diǎn),因此在光資訊與光通訊的應(yīng)用上具有顯著的優(yōu)勢(shì)。

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原文標(biāo)題:雷射發(fā)展歷史

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