兩家公司預(yù)展第十代3D閃存技術(shù)，為性能、能效和位密度設(shè)立新標(biāo)準(zhǔn)

舊金山, 國際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）——鎧俠株式會(huì)社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布一項(xiàng)尖端3D閃存技術(shù)，憑借4.8Gb/s NAND接口速度、卓越的能效以及更高的位密度，樹立了行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)。

兩家公司在2025年國際固態(tài)電路會(huì)議上展示了這項(xiàng)3D閃存創(chuàng)新技術(shù)，它與公司突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲(chǔ)陣列）技術(shù)1相結(jié)合，采用最新的NAND閃存接口標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR6.0以及SCA（獨(dú)立命令地址）協(xié)議2（一種全新的接口命令地址輸入方式），同時(shí)還整合了PI-LTT（電源隔離低抽頭終端）技術(shù)3（在進(jìn)一步降低功耗方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用）。

基于此獨(dú)有的高速技術(shù)優(yōu)勢，兩家公司的新一代3D閃存較目前量產(chǎn)的第八代產(chǎn)品（BiCSFLASH? generation8）實(shí)現(xiàn)了33%的NAND接口速度提升，達(dá)到4.8Gb/s。此外，該技術(shù)也顯著提升了數(shù)據(jù)輸入/輸出的能效，輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%，成功實(shí)現(xiàn)了高性能與低功耗的最優(yōu)平衡。兩家公司預(yù)展第十代3D閃存（BiCSFLASH? generation10）技術(shù)時(shí)介紹，通過將存儲(chǔ)層數(shù)增至332層并優(yōu)化晶圓平面布局以提高平面密度，使位密度提升了59%。

鎧俠首席技術(shù)官宮島英史表示：“隨著人工智能技術(shù)的普及，預(yù)計(jì)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量將顯著增加，同時(shí)現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心對(duì)能效提升的需求也在增長。鎧俠深信，這項(xiàng)新技術(shù)將實(shí)現(xiàn)更大容量、更高速度和更低功耗的產(chǎn)品，包括用于未來存儲(chǔ)解決方案的SSD產(chǎn)品，并為人工智能的發(fā)展奠定基礎(chǔ)?！?/p>

閃迪公司全球戰(zhàn)略與技術(shù)高級(jí)副總裁Alper Ilkbahar表示：“隨著人工智能的進(jìn)步，客戶對(duì)存儲(chǔ)器的需求日益多樣化。我們通過CBA技術(shù)創(chuàng)新，致力于推出在容量、速度、性能和資本效率方面達(dá)到最佳組合的產(chǎn)品，以滿足各細(xì)分市場客戶的需求?！?/p>

鎧俠和閃迪還分享了即將推出的第九代3D閃存（BiCSFLASH? generation9）計(jì)劃。通過其獨(dú)特的CBA技術(shù)，兩家公司能夠?qū)⑿碌腃MOS技術(shù)與現(xiàn)有的存儲(chǔ)單元技術(shù)相結(jié)合，從而提供資本效率高、性能優(yōu)異且功耗低的產(chǎn)品。兩家公司將繼續(xù)致力于開發(fā)前沿閃存技術(shù)，提供定制化解決方案以滿足客戶需求，并為數(shù)字社會(huì)的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。

關(guān)于鎧俠

鎧俠是全球存儲(chǔ)器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者，致力于開發(fā)、生產(chǎn)和銷售閃存及固態(tài)硬盤（SSD）。東芝公司于1987年發(fā)明了NAND閃存， 在2017年4月鎧俠前身東芝存儲(chǔ)器集團(tuán)從東芝公司剝離。鎧俠致力于通過提供產(chǎn)品、服務(wù)和系統(tǒng)，為客戶創(chuàng)造選擇并為社會(huì)創(chuàng)造基于記憶的價(jià)值，以“記憶”提升世界。鎧俠的創(chuàng)新 3D 閃存技術(shù) BiCS FLASH?，正在塑造諸多高密度應(yīng)用的未來存儲(chǔ)方式，其中包括高級(jí)智能手機(jī)、PC、SSD、汽車、數(shù)據(jù)中心和生成式AI系統(tǒng)。

關(guān)于閃迪

閃迪致力于提供創(chuàng)新的閃存解決方案和先進(jìn)的存儲(chǔ)技術(shù)，滿足個(gè)人和企業(yè)用戶的關(guān)鍵需求，助力他們突破創(chuàng)新邊界，成就更多可能。閃迪公司是西部數(shù)據(jù)（納斯達(dá)克股票代碼：WDC）的全資子公司。關(guān)注閃迪官方社交媒體：Instagram、Facebook、X、LinkedIn、Youtube。在Instagram上加入TeamSandisk。

注：

(1)CMOS晶圓和單元儲(chǔ)存陣列晶圓都在更優(yōu)的條件下單獨(dú)制造然后鍵合在一起的技術(shù)。

(2)將命令/地址輸入總線與數(shù)據(jù)傳輸總線完全分離并實(shí)現(xiàn)并行運(yùn)行的技術(shù)，可減少數(shù)據(jù)輸入/輸出所需時(shí)間。

(3)在NAND接口電源中同時(shí)使用現(xiàn)有1.2V電源和額外低壓電源的技術(shù)，可降低數(shù)據(jù)輸入/輸出過程中的功耗。

* 1Gbps按1,000,000,000 bits/s計(jì)算。該數(shù)值是在鎧俠株式會(huì)社的特定測試環(huán)境中獲得，可能會(huì)因用戶環(huán)境的不同而改變。

* 所有公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。