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ADL8105 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,5GHz至20GHz技術(shù)手冊(cè)

要長(zhǎng)高 ? 2025-03-10 11:45 ? 次閱讀
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概述
ADL8105是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器,工作頻率范圍為5 GHz至20 GHz。

在12 GHz至17 GHz范圍內(nèi),ADL8105提供27 dB典型增益、1.8 dB典型噪聲系數(shù)和30.5 dBm典型輸出三階交調(diào)截點(diǎn)(OIP3)以及高達(dá)20.5 dBm的飽和輸出功率(P SAT ),采用5 V電源電壓時(shí)功耗僅為90 mA??赏ㄟ^(guò)犧牲OIP3和輸出功率(P OUT )來(lái)降低功耗。ADL8105還具有內(nèi)部匹配50 Ω的輸入和輸出。RFIN和RFOUT引腳均內(nèi)部交流耦合,同時(shí)集成了偏置電感,使其非常適合基于表貼技術(shù)(SMT)的高容量微波無(wú)線電應(yīng)用。

ADL8105采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的2 mm × 2 mm 8引腳LFCSP封裝。
數(shù)據(jù)表:*附件:ADL8105 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,5GHz至20GHz技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

特性

  • 單正電源(自偏置)
  • 增益:27 dB(典型值,12 GHz至17 GHz時(shí))
  • OP1dB:18 dB(典型值,12 GHz至17 GHz時(shí))
  • OIP3:30.5 dBm(典型值,12 GHz至17 GHz時(shí))
  • 噪聲系數(shù):1.8 dB(典型值,12 GHz至17 GHz時(shí))
  • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的2 mm x 2 mm、8引腳LFCSP封裝

框圖
image.png

引腳配置
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接口示意圖
image.png

ADL8105具有交流耦合的單端輸入和輸出端口,在5 GHz至20 GHz頻率范圍內(nèi),其阻抗標(biāo)稱(chēng)值等于50ω。不需要外部匹配元件。要調(diào)整lDo,請(qǐng)?jiān)赗BlAS和VDD引腳之間連接一個(gè)外部電阻。圖73顯示了簡(jiǎn)化框圖。
image.png

ADL8105在指定頻率范圍內(nèi)工作的基本連接如圖74所示。不需要外部偏置導(dǎo)體,允許將5 V電源連接到VDD引腳。建議使用0.01 uF和100電源去耦電容。圖74所示的電源去耦電容代表用于表征和驗(yàn)證ADL8105的配置。
image.png

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