由于單片機具有功能強，使用靈活，體積小，性價比高等特點，近年來在測控系統(tǒng)中得到廣泛應用。而在許多場合，單片機作為下位機，擔負著控制數(shù)據(jù)測量、采集和向上位機傳送的任務，也即起著收集、緩沖和存儲數(shù)據(jù)的作用。動態(tài)存儲器DRAM具有容量大，價格低的特點，適合于數(shù)據(jù)量比較大的單片機應用系統(tǒng)；但其不足之處在于，必須在規(guī)定的時間范圍內(nèi)進行定時刷新。本節(jié)介紹一種單片機控制的動態(tài)數(shù)據(jù)緩存器，通過合理設(shè)計軟硬件，即可實現(xiàn)對DRAM的控制，特別適合性價比高的單片機系統(tǒng)。

控制電路

為了便于說明，給出單片機系統(tǒng)的部分組成電路，如圖1所示。單片機采用51系列的8031，外擴16 KB的EPROM，動態(tài)存儲器采用1 MB的微機內(nèi)存，Jl為其插座及其各引腳信號。1 MB的動態(tài)存儲器行、列地址各用10位，即用10根地址線A0～A9。

DRAM的控制電路如圖2所示。其核心為一正沿觸發(fā)雙D觸發(fā)器74LS74，由8031和TO、Tl、PSEN和EN、WR信號控制其工作狀態(tài)。讀／寫數(shù)據(jù)時，TO、Tl置高電平；刷新DRAM時，TO置1，PSEN有效；當T0、T1都置0時，行、列選通關(guān)閉，禁止對DRAM讀／寫操作。