答案：會。在PCS（電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)）老化測試過程中，由于電力電子器件的高頻開關(guān)和電流變化，必然會產(chǎn)生一定強(qiáng)度的磁場。以下從產(chǎn)生原理、影響因素、測試場景及防護(hù)措施等角度展開分析：

一、磁場產(chǎn)生的核心原理

電流與電磁場的關(guān)系

根據(jù)麥克斯韋方程組，任何電流（尤其是時變電流）均會產(chǎn)生磁場。

高頻開關(guān)器件（如IGBT、SiC MOSFET）在老化測試中頻繁切換（kHz至MHz級頻率），導(dǎo)致電流劇烈變化，磁場強(qiáng)度顯著增加。

電路布局與磁通路徑

大電流回路（如直流母線、濾波電感）的布線形狀直接影響磁場分布。例如，未絞合的平行導(dǎo)線會形成環(huán)形磁場，磁通密度可達(dá)數(shù)十μT至數(shù)mT（毫特斯拉）。

二、影響磁場強(qiáng)度的關(guān)鍵因素

工作狀態(tài)與負(fù)載條件

滿載測試：電流峰值高（如100A以上），磁場強(qiáng)度隨電流線性增加。

動態(tài)負(fù)載切換：模擬電網(wǎng)波動時，電流突變（如階躍響應(yīng)）會引發(fā)瞬態(tài)磁場脈沖。

設(shè)備結(jié)構(gòu)與屏蔽設(shè)計(jì)

無屏蔽措施：開放式機(jī)柜或散熱孔可能導(dǎo)致磁場泄漏，局部區(qū)域磁場強(qiáng)度可能超過1μT（典型環(huán)境本底約為0.05μT）。

金屬屏蔽層：采用鋁制外殼或鐵磁材料可衰減磁場50%-90%，但成本與散熱需權(quán)衡。

三、磁場對測試環(huán)境的影響

設(shè)備干擾風(fēng)險

精密儀器：磁場可能干擾示波器、傳感器等設(shè)備的信號采集（如霍爾傳感器誤觸發(fā)）。

鄰近電子系統(tǒng)：未隔離的通信線路（RS485、CAN總線）易受磁場耦合噪聲影響，導(dǎo)致誤碼率上升。

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審核編輯 黃宇