概述

HMC260A 是一款通用型雙平衡混頻器芯片，可用作 10 GHz 至 26 GHz 的上變頻器或下變頻器。此微型單片混頻器 (MMIC) 不需要外部組件或匹配電路。

HMC260A 采用優(yōu)化的平衡/不平衡轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)，因此可提供出色的 LO 到 RF 和 LO 到 IF 抑制特性。此混頻器可在 13 dBm 或以上的 LO 驅(qū)動(dòng)電平下正常工作。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC260A 10GHz至26GHz GaAs MMIC基本混頻器技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無線電
• 單點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)無線電和甚小孔徑終端 (VSAT)
• 測(cè)試設(shè)備和傳感器
• 軍事最終用途

特性

• 下變頻器?
  • 轉(zhuǎn)換損耗
    • 10 GHz 至 18 GHz 時(shí)為 7.5 dB（典型值）
    • 18 GHz 至 26 GHz 時(shí)為 8.5 dB（典型值）
  • LO 到 RF 隔離：40 dB（典型值）
  • LO 到 IF 隔離
    • 10 GHz 至 18 GHz 時(shí)為 34 dB（典型值）
    • 18 GHz 至 26 GHz 時(shí)為 37 dB（典型值）
  • RF 到 IF 隔離
    • 10 GHz 至 18 GHz 時(shí)為 18 dBm（典型值）
    • 10 GHz 至 18 GHz 時(shí)為 20 dB（典型值）
    • 18 GHz 至 26 GHz 時(shí)為 31 dB（典型值）
  • 輸入 3 階交調(diào)點(diǎn) (IP3)：
    • 18 GHz 至 22 GHz 時(shí)為 26 dBm（典型值）
  • 1 dB 壓縮的輸入功率 (P1dB)
    • 10 GHz 至 18 GHz 時(shí)為 9.5 dB（典型值）
    • 18 GHz 至 26 GHz 時(shí)為 12 dB（典型值）
• IF 帶寬：直流至 8 GHz
• 無源：不需要直流偏壓
• 小封裝尺寸：0.94 mm × 0.59 mm × 0.102 mm

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

典型應(yīng)用電路

圖 35 展示了 HMC260A 的典型應(yīng)用電路。HMC260A 是一款無源器件，無需任何外部組件。本振（LO）引腳和射頻（RF）引腳內(nèi)部采用直流耦合。當(dāng)直到直流（dc）才需要中頻（IF）操作時(shí)，建議在中頻端口使用一個(gè)交流耦合電容。

毫米波GAASICS的安裝和鍵合技術(shù)

安裝與鍵合技術(shù)

使用共晶焊接或?qū)щ姯h(huán)氧樹脂將芯片直接連接到接地層。

為了將射頻信號(hào)引入和引出芯片，在厚度為0.127毫米（5密耳）的氧化鋁薄膜基板上使用50歐姆的微帶傳輸線（見圖37）。

如果必須使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化鋁薄膜基板，需將芯片抬高0.150毫米（6密耳），使芯片表面與基板表面共面。

實(shí)現(xiàn)這種結(jié)構(gòu)的一種方法是將0.102毫米（4密耳）厚的芯片連接到0.150毫米（6密耳）厚的鉬散熱片（鉬片）上，然后將鉬片連接到接地層（見圖38）。

微帶基板應(yīng)盡可能靠近芯片，以盡量縮短鍵合線的長(zhǎng)度。芯片與基板之間的典型間距為0.075毫米（3密耳）。建議使用寬度為0.075毫米（3密耳）且最小長(zhǎng)度小于0.31毫米（小于12密耳）的金絲鍵合線，以盡量減小射頻、本振和中頻端口上的電感。