概述
HMC6505A 是一款采用兼容 RoHS 的封裝的緊湊型砷化鎵 (GaAs)、贗晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、微波單片集成電路 (MMIC) 升頻器，工作頻率范圍為 5.5 GHz 至 8.6 GHz。此器件提供 15 dB 的小信號轉(zhuǎn)換增益，以及 22 dBc 的邊帶抑制。HMC6505A 在可變增益放大器 (VGA) 之前使用同相和正交 (I/Q) 混頻器，該混頻器由主動本地振蕩器 (LO) 驅(qū)動。提供 IF1 和 IF2 混頻器輸入，并需要采用外部 90° 混合模式選擇所需的邊帶。I/Q 混頻器拓撲結(jié)構(gòu)減少了對不必要的邊帶進行過濾的需要。HMC6505A 是混合式單邊帶 (SSB) 升頻器組件的小型替代方案，它可以使用表面安裝制造技術(shù)，這消除了對引線鍵合的需要。

HMC6505A 提供 5 mm × 5 mm、32 端子無引線芯片載體 (LCC) 封裝，可在 ?40°C 至 +85°C 的溫度范圍內(nèi)工作。HMC6505A 的評估板還可按需提供。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC6505A 5.5GHz到8.6GHz，GaAs，MMIC，I Q升頻器技術(shù)手冊.pdf

應用

• 點到點和單點對多點無線電
• 軍用雷達、電子戰(zhàn) (EW) 和電子智能 (ELINT)
• 衛(wèi)星通信
• 傳感器

特性

• 轉(zhuǎn)換增益：15 dB（典型值）
• 邊帶抑制：22 dBc（典型值）
• 增益最大時的輸出 P1dB 壓縮：22 dBm（典型值）
• 增益最大時的輸出 IP3：35 dBm（典型值）
• LO 到 RF 隔離：4 dB（典型值）
• LO 到 IF 隔離：9 dB（典型值）
• RF 回波損耗：20 dB（典型值）
• LO 回波損耗：10 dB（典型值）
• IF 回波損耗：20 dB（典型值）
• 裸焊盤，5 mm × 5 mm，32 端子，無引線芯片載體封裝

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

典型應用電路

圖103展示了HMC6505A的典型應用電路。要選擇合適的邊帶，需要一個外部90°混合耦合器。對于不需要直流工作的應用，使用片外隔直電容。對于需要抑制輸出端本振信號的應用，如圖所示，使用偏置三通或射頻饋電。

為防止損壞器件，每個中頻 （IF）端口用于本振抑制的源電流或灌電流需小于3毫安。每個中頻端口的共模電壓為0V。

若要選擇上邊帶，將IF1引腳連接到混合耦合器的90°端口，IF2引腳連接到混合耦合器的0°端口。若要選擇下邊帶，將IF1引腳連接到混合耦合器的0°端口，IF2引腳連接到混合耦合器的90°端口。