概述
HMC-MDB171是一款單芯片I/Q混頻器，可用作鏡像抑制混頻器(IRM)或單邊帶上變頻器。 此款無源MMIC混頻器采用GaAs異質結雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術制造。 針對下變頻應用，外部正交混合器件可用于選擇所需邊帶同時抑制圖像信號。 所有焊盤和芯片背面都經過Ti/Au金屬化。 HMC-MDB171 I/Q MMIC混頻器可兼容常規(guī)的芯片貼裝方法，以及熱壓縮和熱超聲線焊，非常適合MCM和混合微電路應用。 此處顯示的所有數(shù)據(jù)均是芯片在50 Ohm環(huán)境下使用RF探頭接觸測得。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC-MDB171 IQ混頻器 IRM芯片技術手冊.pdf

應用

• 點對點無線電
• 測試和測量設備
• 衛(wèi)星通信
• 傳感器

特性

• 寬IF帶寬： DC - 5 GHz
• 高鏡像抑制： 25 dB
• LO至RF高隔離
• 無源： 無需直流偏置
• 裸片尺寸： 1.5 x 2.0 x 0.1 mm

框圖

焊盤描述

應用電路

應用電路1展示了混頻器等效電路。應用電路2描繪了使用90°混合耦合器實現(xiàn)信號鏡像抑制的混頻器。所有中頻（IF）參數(shù)均基于理想的90°混合耦合器在IF輸出端口進行設定。在應用電路1中，將端口1和/或端口2（混頻器）端接為50Ω后測量轉換損耗。三階輸入截點（IP3）表示為一個輸入IP3數(shù)值，它是在假定存在理想混合耦合器的情況下得出的。