部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商避談柵氧可靠性以及TDDB（時間相關(guān)介電擊穿）和HTGB（高溫柵偏）報告作假的現(xiàn)象，反映了行業(yè)深層次的技術(shù)矛盾、市場機(jī)制失衡與監(jiān)管漏洞。以下從根本原因和行業(yè)亂象兩方面展開分析：

一、部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商避談柵氧可靠性的根本原因

技術(shù)矛盾：電性能與可靠性的權(quán)衡
碳化硅MOSFET設(shè)計中，柵氧可靠性與電性能參數(shù)（如導(dǎo)通電阻Rds(on)、開關(guān)損耗Qg）存在物理規(guī)律上的沖突。例如，減薄柵氧厚度可顯著降低導(dǎo)通電阻，但會導(dǎo)致柵極電場強(qiáng)度超過4 MV/cm的安全閾值，加速TDDB失效。部分廠商為在參數(shù)競賽中勝出，通過工藝捷徑犧牲可靠性換取短期市場優(yōu)勢。

市場需求與客戶認(rèn)知偏差
下游客戶（如充電樁、光伏逆變器廠商）更關(guān)注顯性參數(shù)（如成本、效率）而非隱性質(zhì)量（如長期可靠性），倒逼上游廠商優(yōu)先優(yōu)化電性能。例如，車載OBC廠商因價格敏感，可能忽視碳化硅器件MOSFET在長期工作后的柵氧可靠性隱患。

驗(yàn)證能力與認(rèn)證漏洞
多數(shù)客戶缺乏獨(dú)立驗(yàn)證柵氧可靠性的能力（如HTGB需高溫高壓測試2000小時以上），而車規(guī)認(rèn)證（如AEC-Q101）未強(qiáng)制公開原始數(shù)據(jù)（如失效時間分布），部分廠商通過“擦邊”測試蒙混過關(guān)。

成本競爭與短期利益驅(qū)動
部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET廠商為搶占市場份額，采用低成本工藝，導(dǎo)致批次間可靠性差異大。例如，部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET器件柵氧TDDB壽命僅10?小時（約1.14年）。

二、國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的體現(xiàn)與后果

數(shù)據(jù)造假與報告不透明

選擇性披露：部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商僅宣稱“通過認(rèn)證”，但回避具體測試條件（如HTGB具體的電壓）和原始數(shù)據(jù)，掩蓋工藝缺陷。

偽造檢測報告：部分檢測機(jī)構(gòu)配合國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商出具虛假報告，如采樣時設(shè)備未滿負(fù)荷運(yùn)行，導(dǎo)致數(shù)據(jù)失真。這類行為在充電樁和車載OBC領(lǐng)域引發(fā)批量故障與召回。

工藝缺陷與質(zhì)量隱患

柵氧均勻性差：部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商因工藝水平不足，導(dǎo)致柵氧缺陷密度高，長期使用易引發(fā)閾值電壓漂移或擊穿。

動態(tài)工況下的加速失效：充電源電源模塊和車載OBC需承受高頻開關(guān)和雪崩能量沖擊，部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET器件在柵極動態(tài)應(yīng)力下柵氧壽命遠(yuǎn)低于實(shí)驗(yàn)室靜態(tài)測試結(jié)果。

市場機(jī)制失衡與監(jiān)管缺位

價格倒掛引發(fā)惡性競爭：國產(chǎn)SiC MOSFET價格已低于進(jìn)口硅基IGBT，但低價策略依賴犧牲可靠性，形成“劣幣驅(qū)逐良幣”效應(yīng)。

認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行不嚴(yán)：車規(guī)認(rèn)證缺乏對關(guān)鍵數(shù)據(jù)（如TDDB失效分布）的透明化要求，導(dǎo)致早期設(shè)計缺陷未被識別。

長期后果與行業(yè)信任危機(jī)
車載等高可靠領(lǐng)域一旦“爆雷”（如OBC批量故障），將嚴(yán)重?fù)p害品牌聲譽(yù)，甚至導(dǎo)致國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商被剔除供應(yīng)鏈。充電樁行業(yè)已因早期工藝缺陷出現(xiàn)部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET批量退貨，車載領(lǐng)域因驗(yàn)證周期長，國產(chǎn)導(dǎo)入比例較低，問題可能滯后爆發(fā)。

三、破局方向與行業(yè)建議

技術(shù)升級：優(yōu)化柵氧工藝，平衡性能與可靠性。

數(shù)據(jù)透明化：強(qiáng)制公開TDDB/HTGB詳細(xì)測試數(shù)據(jù)，堵住認(rèn)證漏洞。

產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同：推動襯底、外延到封測的全鏈條工藝優(yōu)化，提升良率與一致性。

客戶教育：引導(dǎo)下游企業(yè)評估“全生命周期成本”，而非僅關(guān)注初期采購價。

監(jiān)管強(qiáng)化：加大對檢測機(jī)構(gòu)SiC碳化硅MOSFET的TDDB和HTGB測試數(shù)據(jù)造假的處罰力度，完善行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

結(jié)論

國產(chǎn)SiC MOSFET廠商避談柵氧可靠性的本質(zhì)，是技術(shù)規(guī)律與商業(yè)利益的博弈，而TDDB（時間相關(guān)介電擊穿）和HTGB（高溫柵偏）報告作假則是短期利益驅(qū)動的惡性結(jié)果。行業(yè)需通過技術(shù)深耕、標(biāo)準(zhǔn)升級與生態(tài)重構(gòu)，實(shí)現(xiàn)從“低價內(nèi)卷”到“高可靠賦能”的轉(zhuǎn)型，避免在新能源，充電樁電源模塊，儲能變流器PCS與車載市場的關(guān)鍵窗口期失去競爭根基。

審核編輯 黃宇