概述
HMC-XTB110是一款單芯片x3無源倍頻器，采用GaAs肖特基二極管技術，具有低轉換損耗和高度Fo隔離。 這款寬帶x3倍頻器無需直流電源，適用于低頻率的3倍頻率比直接生成高頻率更加經(jīng)濟的大規(guī)模應用。 所有焊盤和芯片背面都經(jīng)過Ti/Au金屬化。 HMC-XTB110無源x3 MMIC可兼容常規(guī)的芯片貼裝方法，以及熱壓縮和熱超聲線焊，非常適合MCM和混合微電路應用。 此處顯示的所有數(shù)據(jù)均是芯片在50 Ohm環(huán)境下使用RF探頭接觸測得。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC-XTB110 無源x3倍頻器，24-30GHz輸入技術手冊.pdf

應用

• E波段通信系統(tǒng)
• 短程/高容量無線電
• 汽車雷達
• 測試和測量設備
• 衛(wèi)星通信

特性

• 轉換損耗： 19 dB
• 輸入驅動： +13 dBm
• 無源： 無需直流偏置
• 裸片尺寸： 1.1 x 1.4 x 0.1 mm

框圖

電氣規(guī)格

外形圖

毫米波砷化鎵單片微波集成電路（GaAs MMIC）的安裝與鍵合技術

芯片應通過導電方式直接連接到接地層，或使用導電環(huán)氧樹脂進行連接（詳見HMC通用操作、安裝、鍵合說明）。建議在0.127毫米（5密耳）厚的氧化鋁薄膜微帶線上布置50歐姆的微帶傳輸線，用于傳輸射頻信號并連接至芯片（見圖1）。如果使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底，需將芯片抬高0.150毫米（6密耳），使芯片表面與襯底表面齊平。實現(xiàn)這一點的一種方法是將0.102毫米（4密耳）厚的芯片連接到0.150毫米（6密耳）厚的鉬散熱片（鉬片）上，然后將鉬片連接到接地層（見圖2）。

微帶襯底應盡可能靠近芯片放置，以減小鍵合線長度。典型的芯片與襯底間距為0.076毫米至0.152毫米（3至6密耳）。

操作注意事項

遵循以下預防措施，以免造成永久性損壞。

• 存儲 ：所有裸芯片應放置在防靜電華夫盒或凝膠基防靜電容器中，然后密封在防靜電袋中運輸。防靜電袋開封后，芯片應存放在干燥的氮氣環(huán)境中。
• 清潔度 ：在清潔環(huán)境中操作芯片。請勿使用液體清潔系統(tǒng)清潔芯片。
• 靜電敏感性 ：遵循防靜電措施，防止靜電沖擊。
• 瞬態(tài) ：施加偏置時，抑制儀器和偏置電源的瞬態(tài)。使用屏蔽信號和偏置電纜，以減少電感耦合。
• 一般操作 ：使用真空吸筆或鋒利的彎頭鑷子夾持芯片邊緣。芯片表面可能有脆弱的空氣橋，請勿用真空吸筆、鑷子或手指觸碰。

安裝

芯片背面有金屬化層，可使用金錫共晶預制件或導電環(huán)氧樹脂進行芯片安裝。安裝表面應保持清潔和平整。

• 共晶焊接 ：建議使用80/20金錫預制件，工作表面溫度為255°C，工具溫度為265°C。使用90/10氮氣/氫氣混合氣體時，工具尖端溫度應為290°C。芯片溫度超過320°C的時間不得超過20秒。連接過程中擦拭時間不應超過3秒。
• 環(huán)氧樹脂粘貼 ：在安裝表面涂抹適量環(huán)氧樹脂，確保芯片放置到位后，其周邊出現(xiàn)一圈薄的環(huán)氧樹脂邊。按照制造商的固化時間表固化環(huán)氧樹脂。

引線鍵合

建議使用0.003英寸×0.0005英寸的帶狀射頻鍵合線。這些鍵合線應采用熱超聲鍵合，鍵合力為40 - 60克。推薦使用直徑0.001英寸（0.025毫米）的直流鍵合線，采用熱超聲鍵合。球鍵合的鍵合力應為40 - 50克，楔形鍵合的鍵合力應為18 - 22克。所有鍵合應在標稱階段溫度150°C下進行。為實現(xiàn)可靠鍵合，應施加最小量的超聲能量。所有鍵合線應盡可能短，長度小于12密耳（0.31毫米）。