防反接電路是一種用于防止電源極性接反導(dǎo)致設(shè)備損壞的保護(hù)電路，常見類型有二極管防反接、整流橋防反接、MOS管防反接及保險絲+穩(wěn)壓管防反接電路等。

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二極管防反接電路

工作原理：
當(dāng)電源正接時，二極管D1處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時V+輸入到負(fù)載上的電壓等于V+減去二極管D1上的壓降。當(dāng)電源反接時，由于二極管具有單向?qū)ㄐ?，此時電路無法導(dǎo)通。注意事項(xiàng)：① 在運(yùn)用二極管的過程中，務(wù)必保證流經(jīng)二極管的實(shí)際電流不高于其額定電流數(shù)值。還需重點(diǎn)留意系統(tǒng)上電瞬間產(chǎn)生的瞬態(tài)電流，防止該電流超過二極管所能承受的最大額定峰值電流。② 二極管反向偏置時，所承受的電壓不能超過其反向擊穿電壓。③ 低壓環(huán)境中二極管的壓降可能過大，容易引發(fā)后級負(fù)載電壓不足的狀況；大電流環(huán)境下二極管的功耗會隨之顯著增大，其本身壓降較大使得損耗偏高。雖然使用肖特基二極管能夠在一定程度上減小損耗，但是當(dāng)電源電壓更低時，即便采用肖特基二極管，仍會給電路帶來較大影響。④ 使用二極管時要注意手冊里的幾個重要參數(shù)：? Peak Repetitive Peak Reverse Voltage（重復(fù)性峰值反向電壓）；? RMS Reverse Voltage（反向有效值電壓）設(shè)計(jì)上要注意留余量，余量建議按80%設(shè)計(jì)；? Average Forward Rectified Current（平均正向整流電流）就是二極管正向?qū)〞r流過的平均電流，設(shè)計(jì)上要注意留余量，余量建議按80%設(shè)計(jì)，瞬間峰值電流可以超過這個值；? Peak Forward Surge Current（峰值正向浪涌電流）。

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整流橋型防反接電路

工作原理：
無論輸入的交流電是正半周還是負(fù)半周，電流在負(fù)載上的方向始終是一致的，從而實(shí)現(xiàn)了將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的功能。注意事項(xiàng)：① 通過整流橋的作用，交流電被轉(zhuǎn)換為直流電，但輸出的直流電仍然存在一定的波動。為了獲得更穩(wěn)定的直流電，通常會在整流橋的輸出端連接濾波電路，進(jìn)一步平滑直流電壓。② 使用整流橋時會產(chǎn)生1.2~1.4V的壓降，這個壓降會使輸出的直流電壓比輸入的交流電壓峰值低，在設(shè)計(jì)電路時需要考慮到這一點(diǎn)，以確保后續(xù)電路能夠獲得合適的工作電壓。使用MOSFET管或肖特基二極管來代替普通二極管會有效降低整流橋的壓降和功耗。

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穩(wěn)壓二極管和保險絲防反接電路

工作原理：
由于二極管存在壓降問題，會影響電路的供電電壓，因此我們使用保險絲和二極管的合并防反接電路來代替單獨(dú)的二極管防反接電路。當(dāng)電源正接時，電路會產(chǎn)生很小的壓降。當(dāng)電源反接時，二極管D1導(dǎo)通，將負(fù)載兩端的反向電壓鉗位在二極管的導(dǎo)通壓降（約0.7V），從而負(fù)載相當(dāng)于被旁路保護(hù)，電壓基本全部落在保險絲F1上，當(dāng)電流超過F1的熔斷電流時，保險絲F1斷開電源斷開。注意事項(xiàng)：① 如果想給負(fù)載輸出一個穩(wěn)定的電壓可以把普通二極管換成穩(wěn)壓二極管。② 電源反接時會給負(fù)載一個負(fù)壓，可能會導(dǎo)致后級負(fù)載設(shè)備損壞。③ 保險絲可以采用自恢復(fù)保險絲。

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MOS管防反接電路

（1）NMOS管防反接電路

① R2和R3是一個電阻分壓為MOS管G級提供開啟電壓。
② MOS管內(nèi)部寄生二極管是有一個擊穿電壓的，當(dāng)未達(dá)到擊穿電壓時內(nèi)部寄生二極管不會導(dǎo)通的，因此MOS管防反接的電路當(dāng)電源反接時，電路關(guān)斷。③ 對于電路中并聯(lián)在分壓電阻上的穩(wěn)壓二極管，因?yàn)閳鲂?yīng)管的輸入電阻是很高的，它是一個壓控型器件，G級電壓要控制在20V內(nèi)，過高的電壓脈沖會導(dǎo)致G級的擊穿，這個穩(wěn)壓二極管就是起一個保護(hù)場效應(yīng)管防止擊穿的作用。④ 并聯(lián)在場效應(yīng)管D與S之間的阻容串聯(lián)電路，用作脈沖吸收或延時。用在這里要視負(fù)載的情況而定，加了或許反而不好。畢竟這會導(dǎo)致電源在反接的時候會有一個短暫的導(dǎo)通脈沖。

（2）PMOS管防反接電路

① G級和S級之間并聯(lián)的電阻的作用是：釋放寄生電容C3的電流；保證MOS管有效關(guān)斷。
② G級串聯(lián)電阻的作用是：減小G級電流的瞬間值；與MOS管寄生電感一起形成LC振蕩電路，減小振蕩。