2025年第一季度,南京芯干線科技以第三代半導(dǎo)體技術(shù)為核心驅(qū)動力,在AI算力基礎(chǔ)設(shè)施、消費電子快充、高端音響電源及商用儲能領(lǐng)域連破壁壘,成功打入多個全球一線品牌供應(yīng)鏈,用硬核技術(shù)實力詮釋“中國芯”的國際競爭力。這四大標(biāo)志性成果不僅印證了公司在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,更勾勒出其布局全球高端市場的戰(zhàn)略藍(lán)圖。
01AI算力基建破局
打入全球一線Ai服務(wù)器供應(yīng)鏈,開啟Ai算力電源新篇章
在人工智能算力需求呈指數(shù)級增長的背景下,芯干線自主研發(fā)的 700V增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率器件及1200V碳化硅(SIC)MOSFET,經(jīng)過21年到24年近三年的從器件單體到系統(tǒng)集成等多輪多環(huán)境測試,順利通過某全球某一線AI服務(wù)器品牌系統(tǒng)商的可靠性驗證,預(yù)計在25年第二季度正式接單量產(chǎn)。
此次突破的核心優(yōu)勢在于“高頻高效 + 高可靠性”的技術(shù)組合,實現(xiàn)服務(wù)器電源模塊效率突破96%以上,同時將體積壓縮至硅基方案的1/3。這一特性對于部署超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的科技巨頭而言至關(guān)重要:以10萬臺AI服務(wù)器集群為例,芯干線方案可節(jié)省約30%的散熱能耗,年運營成本降低超千萬元。
行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,2025年全球AI服務(wù)器市場規(guī)模將達(dá)2980億美元,芯干線已憑借技術(shù)先發(fā)優(yōu)勢,與全球一線AI服務(wù)器供應(yīng)鏈建立深度合作,有望在算力基建國產(chǎn)化浪潮中占據(jù)關(guān)鍵席位。
02消費電子快充賽道領(lǐng)跑
全球一線手機(jī)品牌PD快充量產(chǎn)落地,定義全新充電體驗
在3C消費電子領(lǐng)域,芯干線為某全球一線手機(jī)品牌定制的45W氮化鎵PD快充方案Q1實現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)。該方案集成了公司第三代 GaN HEMT器件(X3G6516B5),X3G6516B5是700V增強(qiáng)型(E-mode)氮化鎵功率器件,通態(tài)電阻150mΩ,DFN5x6封裝。
從手機(jī)快充全行業(yè)來看,隨著蘋果、華為等多品牌陸續(xù)在2025年旗艦機(jī)型中標(biāo)配百瓦級快充,芯干線已進(jìn)入多品牌同步供貨階段。
據(jù)供應(yīng)鏈透露,其業(yè)務(wù)的爆發(fā)式增長,不僅夯實了公司在消費電子領(lǐng)域的技術(shù)話語權(quán),更通過終端產(chǎn)品觸達(dá)數(shù)億消費者,實現(xiàn)品牌價值的高頻次曝光。
03高端音響電源革新
全球一線音響功放電源行業(yè)量產(chǎn),為行業(yè)植入新活力
在專業(yè)音頻領(lǐng)域,芯干線針對高端音響功放開發(fā)的氮化鎵電源方案,已通過國際一線品牌的認(rèn)證并實現(xiàn)量產(chǎn)。傳統(tǒng)硅基電源在驅(qū)動高保真音響時,因開關(guān)噪聲導(dǎo)致的THD+N(總諧波失真+噪聲)普遍高于0.5%,而芯干線方案憑借純凈電源輸出技術(shù),將該指標(biāo)降至0.08%,達(dá)到專業(yè)監(jiān)聽級水準(zhǔn)。
氮化鎵(GaN)的高頻特性對音響音質(zhì)有積極影響。氮化鎵是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有快速的開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻,這使得它在D類音頻放大器中表現(xiàn)出色。具體來說,氮化鎵的高頻特性可以顯著減少開關(guān)過程中的能量損耗,從而提高放大器的效率。
此外,氮化鎵高開關(guān)頻率使得電源在轉(zhuǎn)換過程中產(chǎn)生的能量波動更為細(xì)微和迅速。這意味著其輸出的電流和電壓更加平穩(wěn),大大減少了電磁噪音的產(chǎn)生,進(jìn)一步提升音質(zhì)。?
更值得關(guān)注的是,其1200W 功放電源模塊體積僅為傳統(tǒng)方案的1/5,適配高端音響 “輕量化+大功率” 的設(shè)計趨勢,已被多品牌應(yīng)用于最新款桌面 Hi-Fi系統(tǒng)及車載音響。
數(shù)據(jù)顯示,2025年全球高端音響市場規(guī)模將達(dá)120億美元,芯干線作為少數(shù)掌握全鏈路GaN音頻電源方案的供應(yīng)商,正加速收割國際品牌訂單,預(yù)計Q2音頻業(yè)務(wù)營收環(huán)比增長50%。
04商用儲能定制化突圍
1200V碳化硅MOSFET量產(chǎn),開啟高壓儲能新紀(jì)元
在新能源儲能領(lǐng)域,芯干線為國內(nèi)某頭部商用儲能企業(yè)定制的1200V全碳化硅模塊,(XS004HB120N6、XS003HB120N6),于Q1正式投產(chǎn)。3mΩ超低導(dǎo)通電阻,在導(dǎo)通電阻與動態(tài)性能上均實現(xiàn)了相當(dāng)大的提升。這一卓越的性能優(yōu)勢,不僅提高了能源轉(zhuǎn)換效率,還降低了系統(tǒng)的功耗,為用戶帶來了更高效、更可靠的使用體驗。無論是在電動汽車領(lǐng)域,還是其他新能源應(yīng)用中,全SIC模塊技術(shù)平臺都展現(xiàn)出了強(qiáng)大的競爭力。
這標(biāo)志著芯干線產(chǎn)品已滿足北美、歐洲等成熟市場的準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn)。隨著全球儲能裝機(jī)量預(yù)計2025年突破500GWh,公司正加速布局1700V高壓SIC模塊,目標(biāo)覆蓋電網(wǎng)級儲能、新能源汽車電驅(qū)等千億級市場,形成“材料研發(fā)—器件制造—系統(tǒng)集成”的全產(chǎn)業(yè)鏈競爭力。
四大業(yè)務(wù)齊頭并進(jìn),源于芯干線獨特的“場景定義技術(shù)” 研發(fā)策略
垂直整合能力:三大實驗室兩大測試中心,建湖工廠專業(yè)化半導(dǎo)體封測基地,讓芯干線實現(xiàn)從晶圓設(shè)計到模塊封裝的全流程自主可控,關(guān)鍵工藝良率達(dá)99.2%以上;
客戶協(xié)同創(chuàng)新:與國際一線品牌建立聯(lián)合實驗室,針對AI服務(wù)器的液冷散熱、手機(jī)快充的低溫啟動等場景定制化開發(fā),縮短技術(shù)落地周期;
專利壁壘構(gòu)建:累計申請GaN/SIC相關(guān)專利100+,其中 “高頻器件熱管理技術(shù)”“多芯片集成封裝”等核心專利已形成技術(shù)護(hù)城河。
展望2025,芯干線計劃將研發(fā)投入提升至營收的25%,重點突破車規(guī)級SIC MOSFET與800V高壓快充方案,目標(biāo)在新能源汽車功率半導(dǎo)體市場實現(xiàn)從0到1的突破。
正如公司CEO在季度會議上所言:“我們不僅是器件供應(yīng)商,更是能源效率革命的推動者。當(dāng)AI算力、綠色能源與消費電子的技術(shù)需求在第三代半導(dǎo)體上交匯,芯干線正成為連接未來的‘功率橋梁’?!?/p>
南京芯干線2025年Q1的成績單,不僅是技術(shù)突破的注腳,更是中國半導(dǎo)體企業(yè)從“跟跑”到“并跑”的縮影。在AI算力爆發(fā)、碳中和目標(biāo)驅(qū)動的雙重機(jī)遇下,公司用四個細(xì)分領(lǐng)域的領(lǐng)先,證明了功率半導(dǎo)體賽道的“中國方案”已具備定義全球標(biāo)準(zhǔn)的實力。
隨著Q2量產(chǎn)大幕的開啟,芯干線正以技術(shù)為槳,在全球高端市場的浪潮中全速航行,為“中國芯”的崛起書寫新的篇章。
關(guān)于芯干線
芯干線科技是一家由功率半導(dǎo)體資深海歸博士、電源行業(yè)市場精英和一群有創(chuàng)業(yè)夢想的年輕專業(yè)人士所創(chuàng)建寬禁帶功率器件原廠。2022年被評為規(guī)模以上企業(yè),2023年國家級科技型中小企業(yè)、國家級高新技術(shù)企業(yè),通過了ISO9001生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認(rèn)證。在2024年通過了IATF16949汽車級零部件生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認(rèn)證。
公司自成立以來,深耕于功率半導(dǎo)體Si MOS & IGBT、GaN HEMT、SiC MOS & SBD、IGBT 和 SiC Module等功率器件及模塊的研發(fā)和銷售。產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于消費、光伏、儲能、汽車、Ai服務(wù)器、工業(yè)自動化等能源電力轉(zhuǎn)換與應(yīng)用領(lǐng)域。
公司總部位于南京,分公司遍布深圳、蘇州、江蘇等國內(nèi)多地,并延伸至北美與臺灣地區(qū),業(yè)務(wù)版圖不斷拓展中。
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原文標(biāo)題:芯干線Q1:四大領(lǐng)域齊發(fā)力,引領(lǐng)國產(chǎn)半導(dǎo)體全球突圍
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