LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標準 DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接，帶 VDDQ分鐘 的 1.35 V。該器件包含一個高速運算放大器，可提供出色的響應 負載瞬變。輸出級可防止擊穿，同時提供 1.5 A 連續(xù)電流 以及 DDR-SDRAM 端接所需的應用中高達 3 A 的瞬態(tài)峰值。LP2998 系列 還集成了 VSENSE 引腳，以提供出色的負載調(diào)節(jié)和 V裁判輸出作為芯片組和 DIMM 的參考。
*附件：lp2998.pdf

LP2998 的另一個功能是低電平有效關斷 （SD） 引腳，提供 Suspend To RAM （STR） 功能。當 SD 被拉低時，VTToutput 將三態(tài) 提供高阻抗輸出，但是，V裁判將保持活動狀態(tài)。一 在此模式下，可以通過較低的靜態(tài)電流獲得 SAVINGS ADVANTAGE。

特性

• AEC-Q100 測試指南，結果如下（SO PowerPAD-8）：
  • 器件 HBM ESD 分類等級 H1C
  • 結溫范圍 –40°C 至 125°C
• 1.35 V 最小 VDDQ
• 拉電流和吸收電流
• 低輸出電壓偏移
• 無需外部電阻器
• 線性拓撲
• 掛起到 RAM （STR） 功能
• 外部元件數(shù)量少
• 熱關斷

參數(shù)

方框圖

一、概述

LP2998是一款線性調(diào)節(jié)器，專為滿足JEDEC SSTL-2和SSTL-18規(guī)范而設計，用于DDR-SDRAM和DDR2內(nèi)存的終止。該器件還支持DDR3和DDR3L VTT總線終止，并包含高速運算放大器以提供優(yōu)異的負載瞬態(tài)響應。

二、主要特性

• ?AEC-Q100測試認證?：適用于汽車應用
• ?最低VDDQ電壓?：1.35V
• ?輸出電流能力?：連續(xù)1.5A，瞬態(tài)峰值可達3A
• ?無需外部電阻?：簡化設計
• ?VSENSE引腳?：提供卓越的負載調(diào)節(jié)
• ?VREF輸出?：作為芯片組和DIMM的參考電壓
• ?掛起至RAM（STR）功能?：通過SD引腳實現(xiàn)低功耗模式
• ?熱關斷保護?：防止過熱損壞

三、引腳功能與配置

• ?GND?：地
• ?SD?：關斷引腳，低電平有效
• ?VSENSE?：反饋引腳，用于調(diào)節(jié)VTT
• ?VREF?：緩沖內(nèi)部參考電壓輸出
• ?AVIN?：模擬輸入電源引腳
• ?PVIN?：電源輸入引腳，用于輸出級
• ?VTT?：輸出電壓，用于連接終止電阻
• ?EP?（Exposed Pad）：熱連接，應接地

四、電氣特性

• ?VTT輸出電壓?：根據(jù)VDDQ和輸出電流的不同，在1.125V至1.390V之間
• ?靜態(tài)電流?：典型值為500μA
• ?關斷電流?：SD引腳拉低時，典型值為150μA
• ?熱關斷溫度?：165°C

五、應用

• ?DDR1、DDR2、DDR3及DDR3L終止?
• ?汽車信息娛樂系統(tǒng)?
• ?FPGA設備供電?
• ?工業(yè)/醫(yī)療設備?

六、封裝信息

• ?SO PowerPAD-8?：4.89mm x 3.90mm
• ?SOIC-8?：4.90mm x 3.91mm
• ? SO PowerPAD-8（Q1版本） ?：4.89mm x 3.90mm

七、布局與布線指南

• ?輸入電容?：推薦在PVIN引腳附近放置電容，以改善大負載瞬態(tài)下的性能
• ?VSENSE引腳連接?：應連接到VTT終止總線的中點，以提供更佳的負載分布
• ?VREF旁路電容?：推薦在VREF引腳附近放置0.1μF至0.01μF的陶瓷電容，以減少噪聲
• ?熱管理?：通過多層布線和熱過孔優(yōu)化散熱

八、注意事項

• ?ESD保護?：器件具有有限的內(nèi)置ESD保護，存儲或處理時需采取適當?shù)撵o電防護措施
• ?電源排序?：PVIN電壓應等于或低于AVIN電壓
• ?熱關斷?：若結溫超過熱關斷閾值，器件將進入關斷狀態(tài)，直至溫度降至閾值以下

九、文檔與支持

• 提供相關的技術文檔、社區(qū)資源、工具和軟件支持
• 可通過TI的官方渠道獲取樣品和購買產(chǎn)品

以上是LP2998 DDR終止調(diào)節(jié)器的總結，涵蓋了其主要特性、引腳功能、電氣特性、應用、封裝信息、布局布線指南、注意事項以及文檔與支持信息。