UCC21550-Q1 是隔離式雙通道柵極驅動器系列，具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計，可驅動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管。

UCC21550-Q1 可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。輸入側通過 5kVRMS 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離，具有最小 125V/ns 的共模瞬態(tài)抗擾度 （CMTI）。
*附件：ucc21550-q1.pdf

保護功能包括：電阻器可編程死區(qū)時間、同時關閉兩個輸出的禁用功能，以及拒絕短于 5ns 的輸入瞬變的集成去毛刺濾波器。所有電源均具有 UVLO 保護。

憑借所有這些高級功能，UCC21550-Q1 器件可在各種電源應用中實現(xiàn)高效率、高功率密度和穩(wěn)健性。

特性

• 通用：雙低側、雙高側或半橋驅動器
• 符合 AEC-Q100 標準，結果如下
  • 設備溫度等級 1
• 結溫范圍 –40 至 +150°C
• 高達 4A 的峰值拉電流和 6A 峰值灌電流輸出
• 共模瞬態(tài)抗擾度 （CMTI） 大于 125V/ns
• 高達 25V VDD 輸出的驅動電源
  • 5V、8V、12V VDD UVLO 選項
• 切換參數(shù)：
  • 33ns 典型傳播延遲
  • 5ns 最大脈寬失真
  • 10μs 最大 VDD 上電延遲
• 所有電源的 UVLO 保護
• 快速禁用電源排序

參數(shù)

方框圖

1. 產品概述

UCC0-Q是一款AEC-Q0認證的隔離型雙通道門極驅動器，具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍（-°C至+0°C）。它專為驅動功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT設計，支持雙低側、雙高側或半橋配置。輸入側與兩個輸出驅動器之間通過5kV RMS隔離屏障隔離，最小共模瞬態(tài)免疫（CMTI）為5V/ns。

2. 主要特性

• ?認證?：AEC-Q0認證，適用于高可靠性汽車應用。
• ?輸出能力?：高達A的峰值源電流和6A的峰值沉電流。
• ?隔離與免疫?：kV RMS隔離屏障，最小CMTI為V/ns。
• ?UVLO保護?：所有電源均具備欠壓鎖定（UVLO）保護。
• ?快速禁用?：支持快速禁用功能，適用于電源排序。
• ?開關參數(shù)?：ns典型傳播延遲，ns最大脈沖寬度失真，μs最大VDD上電延遲。

3. 應用領域

• 車載電池充電器
• 高壓DC-DC轉換器
• 汽車HVAC和車身電子

4. 封裝與電源選項

• 提供SOIC（DW）6引腳和SOIC（DWK）4引腳封裝選項。
• 支持5V、V和V VDD UVLO選項，滿足不同應用需求。

5. 功能描述

5.1 VDD、VCCI和欠壓鎖定（UVLO）

• ?VDD UVLO?：當VDD電壓低于UVLO閾值時，受影響的輸出將被拉低。
• ?VCCI UVLO?：當VCCI電壓低于UVLO閾值時，設備將不激活。
• ?UVLO遲滯?：防止電源噪聲引起的抖動，允許設備在電源電壓略有下降時繼續(xù)正常工作。

5.2 輸入和輸出邏輯

• 輸入引腳（INA、INB、DIS）采用TTL和CMOS兼容邏輯。
• 輸出階段具有高速拉上和拉下結構，提供可靠的門極驅動能力。

5.3 可編程死區(qū)時間（DT）

• 通過在DT引腳和GND之間連接適當?shù)?a target="_blank">電阻來設置死區(qū)時間，防止射擊貫通。
• 死區(qū)時間控制有助于提高系統(tǒng)的可靠性和效率。

5.4 禁用引腳（DIS）

• 將DIS引腳置高或懸空將同時關閉兩個輸出。
• 接地DIS引腳允許設備正常工作。DIS引腳內部上拉，建議使用RC濾波器濾波高頻噪聲。

6. 典型應用

文檔提供了一個參考設計示例，展示了UCC-Q1在半橋配置中驅動SiC MOSFET的應用。詳細說明了設計要求、輸入濾波器設計、外部自舉二極管及其串聯(lián)電阻的選擇、門極驅動器輸出電阻的選擇等關鍵設計步驟。

7. 布局指南

• 強調了PCB布局中的關鍵點，包括組件放置、接地考慮、高壓考慮和熱考慮。
• 建議將低ESR和低ESL電容器靠近設備放置，以支持高峰值電流。
• 提供了布局示例，幫助工程師在設計中實現(xiàn)最佳性能。