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UCC21739-Q1 汽車級 3kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-17 10:27 ? 次閱讀
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UCC21739-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專為高達(dá) 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFETIGBT 而設(shè)計,具有先進(jìn)的保護功能、一流的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21739-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和吸收電流。

輸入側(cè)采用 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離,支持高達(dá) 636VRMS 的工作電壓、6kVPK 浪涌抗擾度基本隔離,隔離柵壽命超過 40 年,并提供低器件間偏移和 >150V/ns 共模噪聲抗擾度 (CMTI)。
*附件:ucc21739-q1.pdf

UCC21739-Q1 包括最先進(jìn)的保護功能,例如快速過流和短路檢測、分流電流傳感支持、故障報告、有源米勒鉗位以及輸入和輸出側(cè)電源 UVLO,以優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開關(guān)行為和穩(wěn)健性。隔離式模擬轉(zhuǎn) PWM 傳感器可用于更輕松地進(jìn)行溫度或電壓傳感,進(jìn)一步提高驅(qū)動器的多功能性,并簡化系統(tǒng)設(shè)計工作量、尺寸和成本。

特性

  • 3kVRMS 單通道隔離柵極驅(qū)動器
  • 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車應(yīng)用
    • 器件溫度等級 1:-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 3A
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C3
  • 高達(dá) 900Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大輸出驅(qū)動電壓 (VDD-VEE)
  • ±10A 驅(qū)動強度和分離輸出
  • 最小 CMTI 為 150V/ns
  • 270ns 響應(yīng)時間快速過流保護
  • 外部主動米勒夾具
  • 發(fā)生故障時內(nèi)部 2 級關(guān)斷
  • 帶 PWM 輸出的隔離模擬傳感器,用于
  • FLT 過流報警,并從 RST/EN 復(fù)位
  • RST/EN 上的快速啟用/禁用響應(yīng)
  • 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態(tài)和脈沖
  • 12V VDD UVLO,RDY 上電源正常
  • 具有過沖/下沖瞬態(tài)電壓的輸入/輸出抗擾度高達(dá) 5V
  • 130ns(最大)傳播延遲和 30ns(最大)脈沖/部件偏移
  • SOIC-16 DW 封裝,爬電距離和間隙距離> 8mm
  • 工作結(jié)溫 –40°C 至 150°C

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

一、產(chǎn)品概述

UCC-Q是一款專為SiC MOSFETs和IGBTs設(shè)計的汽車級A源/漏隔離單通道柵極驅(qū)動器,支持高達(dá)V DC的操作電壓,并具有先進(jìn)的保護功能和隔離模擬傳感功能。

二、主要特性

  • ?高隔離電壓?:kV RMS單通道隔離,適用于高電壓應(yīng)用。
  • ?寬溫度范圍?:-°C至+°C的AEC-Q認(rèn)證,適用于汽車電子應(yīng)用。
  • ?高輸出驅(qū)動能力?:±A峰值源和漏電流,支持高達(dá)V的最大輸出驅(qū)動電壓(VDD-VEE)。
  • ?先進(jìn)保護功能?:包括快速過流和短路檢測、分流電流傳感支持、故障報告、有源米勒鉗位、輸入和輸出側(cè)電源欠壓鎖定(UVLO)等。
  • ?隔離模擬傳感?:集成的隔離模擬到PWM傳感器,簡化系統(tǒng)設(shè)計,提高系統(tǒng)可靠性。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

四、功能描述

  • ?有源米勒鉗位?:防止因Miller效應(yīng)引起的虛假導(dǎo)通,提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。
  • ?過流和短路保護?:快速檢測并保護SiC MOSFETs和IGBTs免受損壞。
  • ?UVLO保護?:輸入和輸出側(cè)電源均具備UVLO保護功能,確保在電壓不足時關(guān)閉輸出。
  • ?隔離模擬到PWM傳感?:允許隔離的溫度檢測、高壓直流母線電壓檢測等,簡化系統(tǒng)設(shè)計。
  • ?級關(guān)斷?:在過流和短路故障時,通過兩級關(guān)斷減少能量耗散,防止功率半導(dǎo)體過壓擊穿。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了UCC-Q在IGBT模塊半橋電路中的典型應(yīng)用,包括設(shè)計要求、詳細(xì)設(shè)計步驟、輸入濾波器設(shè)計、PWM互鎖、FLT/RDY/RST/EN引腳電路、外部有源米勒鉗位、過流和短路保護、隔離模擬信號傳感等。

六、電源推薦

  • ? 輸入供電電壓(VCC) ?:推薦范圍為V至.V,需使用≥μF的電容旁路至GND。
  • ? 輸出供電電壓(VDD/VEE) ?:推薦范圍為V至V,需使用≥μF的電容旁路至COM。

七、布局指南

  • ?驅(qū)動器位置?:應(yīng)盡可能靠近功率半導(dǎo)體,以減少寄生電感。
  • ?電容放置?:旁路電容應(yīng)盡可能靠近VCC、VCC、VDD和VEE引腳放置。
  • ?隔離保護?:確保隔離屏障區(qū)域的PCB設(shè)計不會降低隔離性能,避免在隔離屏障下方放置PCB走線或銅層。
  • ?接地平面?:使用接地平面屏蔽輸入信號,減少高頻噪聲干擾。
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