納微GaNSafe、GeneSiC及 IntelliWeave技術(shù)助力打造下一代AI數(shù)據(jù)中心電源平臺，將為超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心展現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先的效率與功率密度

近日，納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣布將于5月21日晚（臺北國際電腦展Computex同期）在臺北舉辦“AI科技之夜”，數(shù)據(jù)中心上下游行業(yè)專家、供應(yīng)鏈合作伙伴以及技術(shù)開發(fā)者將齊聚一堂，通過主題演講、技術(shù)演示和互動討論等形式展開對最新AI數(shù)據(jù)中心能源基建技術(shù)發(fā)展的交流。

活動重點(diǎn)聚焦高功率GaNSafe和GeneSiC技術(shù)如何突破效率與功率密度挑戰(zhàn)，以滿足AI及超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心日益增長的電力需求，進(jìn)而推動AI數(shù)據(jù)中心能源基建的變革。納微半導(dǎo)體還將首次展示其專為下一代OCP數(shù)據(jù)中心打造的電源參考設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)在功率密度、性能和效率方面均達(dá)到世界領(lǐng)先水平。

當(dāng)單顆GPU功率突破1000W大關(guān)，當(dāng)AI集群算力需求每3個月翻倍增長，傳統(tǒng)電源技術(shù)已難以支撐AI基建的能效與密度升級。納微半導(dǎo)體的氮化鎵和碳化硅解決方案將展示對傳統(tǒng)架構(gòu)限制的突破，助力打造更高效、更高密度且更可持續(xù)發(fā)展的數(shù)據(jù)中心。

納微半導(dǎo)體于2023年率先于行業(yè)制定了“AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖”，聚焦下一代AI數(shù)據(jù)中心的電力傳輸。該路線圖推出的第一款方案是高速高效的CRPS 2.7kW電源，其功率密度是傳統(tǒng)方案的2倍，能量損耗降低了30%。隨后推出的CRPS 3.2kW電源，與同類最佳的傳統(tǒng)硅基解決方案相比，體積縮小了40%，適用于高功耗的AI和邊緣計(jì)算場景。緊接著發(fā)布了全球功率密度最高的CRPS 4.5kW電源，功率密度達(dá)到137W/in3，效率超過97%。

2024年11月，納微發(fā)布了全球首款由氮化鎵和碳化硅混合設(shè)計(jì)的8.5kW AI數(shù)據(jù)中心電源，效率可達(dá)98%，符合開放計(jì)算項(xiàng)目（OCP）和Open Rack v3（ORv3）規(guī)范。此外，納微還研發(fā)了IntelliWeave，這是一項(xiàng)獲得專利的新型數(shù)字控制技術(shù)，搭配高功率GaNSafe和第三代快速碳化硅MOSFET，可使PFC峰值效率達(dá)到99.3%，與現(xiàn)有解決方案相比，功率損耗降低30%。

納微半導(dǎo)體還將重點(diǎn)展示全球首款量產(chǎn)級650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片和IsoFast高速隔離柵極驅(qū)動器，二者將推動從傳統(tǒng)兩級電源拓?fù)湎騿渭夒娫赐負(fù)涞姆妒睫D(zhuǎn)變，可優(yōu)化數(shù)據(jù)中心電源設(shè)計(jì)，縮小外形尺寸，提高機(jī)架空間利用率。

納微半導(dǎo)體全球高級副總裁兼亞太區(qū)總經(jīng)理查瑩杰：“AI算力的爆發(fā)式增長，對數(shù)據(jù)中心能源基建提出了嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。納微半導(dǎo)體即將亮相的最新AI數(shù)據(jù)中心電源方案，實(shí)現(xiàn)了能效與功率密度的雙重突破，展現(xiàn)了納微在氮化鎵和碳化硅技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新和對數(shù)據(jù)中心行業(yè)的深刻理解。

深耕亞太市場多年，納微始終以本地需求為核心，將前沿技術(shù)與區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈有機(jī)結(jié)合。期待通過此次交流，與行業(yè)伙伴共探半導(dǎo)體創(chuàng)新如何驅(qū)動AI數(shù)據(jù)中心能效升級，讓算力發(fā)展與可持續(xù)未來并行。”

納微半導(dǎo)體“AI科技之夜”的活動將于2025年5月21日（Computex同期）在臺北六福萬怡酒店舉辦，如需參加請聯(lián)系China_Distributor@navitassemi.com或聯(lián)系您的銷售代表。

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動、控制、感應(yīng)及保護(hù)集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補(bǔ)的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點(diǎn)市場包括移動設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導(dǎo)體擁有超過300項(xiàng)已經(jīng)獲頒或正在申請中的專利。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。