在服務器電源、工業(yè)驅動及新能源領域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強型MOS)憑借3.5mΩ低導通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術，為同步整流、電機驅動等場景提供高效解決方案。

01極低導通電阻Trench MOS

MDDG03R04Q采用MDD的Trench工藝，結合屏蔽柵結構，通過優(yōu)化載流子遷移路徑與電場分布，實現：

1、極低導通電阻:RDS(on)低至3.5mΩ(VGS=10VID=20A)，顯著降低導通損耗。

2、快速開關性能：優(yōu)化柵極電荷(Qg)與軟恢復體二極管，支持高頻應用。

3、工業(yè)級可靠性：100% UIS測試認證，確保雪崩能量耐受能力。

02核心性能與關鍵參數

超低導通電阻

RDS(on)@10V=3.5mΩ：MDDG03R04Q相比傳統(tǒng)MOSFET，導通損耗降低，提升電源轉換效率。

低反向恢復電荷(Qrr)：減少同步整流中的反向導通損耗，優(yōu)化系統(tǒng)能效。

快速開關響應：開啟/關斷延遲時間優(yōu)化，適配高頻PWM控制。

可靠性認證與環(huán)保標準

100% UIS測試：單脈沖雪崩能量(EAS)通過嚴格驗證，保障感性負載場景穩(wěn)定性。

RoHS合規(guī)：無鉛環(huán)保工藝，符合全球環(huán)保法規(guī)。

熱性能與封裝設計

PDFN3*3-8L封裝：貼片式金屬背板設計提升散熱能力，支持持續(xù)高電流工況。

寬溫工作范圍：-55℃~150℃，適應嚴苛環(huán)境。

03測試電路和波形

04應用場景

1、同步整流(ATX/服務器/電信PSU)

MDDG03R04Q的低RDS(on)與Qrr特性：優(yōu)化DC/DC轉換效率，減少同步整流損耗，適用于鈦金級電源設計。

高頻開關能力：適配LLC諧振拓撲，提升功率密度。

2、工業(yè)電機驅動與不間斷電源(UPS)

80A持續(xù)電流能力：支持伺服電機、AGV小車驅動需求。

高雪崩能量耐受：應對電機啟停與電池切換瞬態(tài)沖擊，系統(tǒng)可靠性提升25%。

3、微型太陽能逆變器(Micro Solar Inverter)

高效MPPT控制：低導通損耗提升光伏能量轉換效率。

寬溫工作范圍：適應戶外極端溫度波動，保障長期穩(wěn)定運行。

04選型推薦表

除MDDG03R04Q之外，MDD新推出的低壓大電流系列MOS針對不同的應用場景，推出不同的型號，以滿足各行業(yè)匹配需求。

關 于 我 們

深圳辰達半導體有限公司(簡稱MDD辰達半導體)是一家專注于半導體分立器件研發(fā)設計、封裝測試及銷售的國家高新技術企業(yè)。

公司深耕半導體領域17載，始終堅持以產品技術為驅動，以客戶需求為核心，打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產品服務矩陣，產品廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)控制、消費電子、通信、家電、醫(yī)療、照明、安防、儀器儀表等多個領域，服務于全球40多個國家與地區(qū)。