LM5111 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器以更高的峰值輸出電流和效率取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器。每個(gè)復(fù)合輸出驅(qū)動(dòng)器級(jí)都包括并聯(lián)工作的 MOS 和雙極晶體管，它們共同從容性負(fù)載中吸收超過(guò) 5A 的峰值電流。結(jié)合 MOS 和雙極器件的獨(dú)特特性，減少了驅(qū)動(dòng)電流隨電壓和溫度的變化。還提供欠壓鎖定保護(hù)。驅(qū)動(dòng)器可以在輸入和輸出連接的情況下并聯(lián)運(yùn)行，以實(shí)現(xiàn)雙倍的驅(qū)動(dòng)電流能力。該器件采用 SOIC 封裝或熱增強(qiáng)型
MSOP-PowerPAD 封裝。
*附件：lm5111.pdf

特性

• 獨(dú)立驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET
• 復(fù)合 CMOS 和雙極輸出可減小輸出電流變化
• 5A 灌電流和 3A 拉電流能力
• 兩個(gè)通道可以并聯(lián)，以實(shí)現(xiàn)雙倍的驅(qū)動(dòng)電流
• 獨(dú)立輸入（TTL 兼容）
• 快速傳播時(shí)間（典型值為 25 ns）
• 快速上升和下降時(shí)間（2nF 負(fù)載時(shí)，上升和下降分別為 14 ns 和 12 ns）
• 提供雙通道同相、雙通道反相和組合配置
• 電源軌欠壓鎖定保護(hù) （UVLO）?
• LM5111-4 UVLO 配置為通過(guò) OUT_A 驅(qū)動(dòng) PFET，通過(guò) OUT_B 驅(qū)動(dòng) NFET
• 引腳與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器兼容

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LM1是一款雙通道5A復(fù)合柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器結(jié)合了MOS和雙極晶體管，以提供穩(wěn)定的輸出電流并減少隨電壓和溫度變化的電流波動(dòng)。LM1適用于同步整流器柵極驅(qū)動(dòng)、開關(guān)模式電源供應(yīng)器柵極驅(qū)動(dòng)以及電磁鐵和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。

二、主要特性

• ?雙通道獨(dú)立驅(qū)動(dòng)?：可獨(dú)立驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。
• ?復(fù)合輸出?：MOS和雙極晶體管并聯(lián)，提供A峰值漏電流和A峰值源電流。
• ?多種配置選項(xiàng)?：提供雙非反相、雙反相和組合配置選項(xiàng)。
• ?快速開關(guān)速度?：典型傳播延遲ns，上升/下降時(shí)間分別為4ns和2ns（帶2nF負(fù)載）。
• ?欠壓鎖定保護(hù)?（UVLO）：防止因供電電壓不足而損壞MOSFET。
• ?引腳兼容?：與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的柵極驅(qū)動(dòng)器引腳兼容。

三、引腳功能

• ?IN_A/IN_B?：控制輸入A/B，TTL兼容閾值。
• ?OUT_A/OUT_B?：輸出A/B，能夠提供源或漏電流以驅(qū)動(dòng)MOSFET柵極。
• ?VCC?：正電源電壓輸入。
• ?VEE?：輸入和輸出的公共地。
• ?NC?：未連接引腳。
• ?Exposed Pad?：暴露的熱焊盤，建議焊接到PCB的地平面上以輔助散熱。

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VCC相對(duì)于VEE為3.5V至4V。
• ?UVLO閾值?：VCC相對(duì)于VEE的欠壓鎖定閾值為2.3V至.V，具有mV的遲滯。
• ?輸入閾值?：高電平閾值.V至2.2V，低電平閾值0.8V至.5V。
• ?輸出電阻?：高電平輸出電阻Ω至Ω，低電平輸出電阻1.4Ω至.Ω。

五、功能描述

• ?復(fù)合輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)?：優(yōu)化寬輸出電壓和操作溫度范圍內(nèi)的電流能力。
• ?UVLO保護(hù)?：當(dāng)VCC低于UVLO閾值時(shí)，禁用驅(qū)動(dòng)器輸出。
• ?獨(dú)立輸入?：允許兩個(gè)通道獨(dú)立工作，或通過(guò)并聯(lián)輸入和輸出引腳以加倍驅(qū)動(dòng)電流能力。

六、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用?：包括同步整流器驅(qū)動(dòng)、開關(guān)模式電源供應(yīng)器中的柵極驅(qū)動(dòng)等。
• ?設(shè)計(jì)指南?：提供了VCC選擇、旁路電容配置、布局和熱管理等方面的設(shè)計(jì)建議。

七、布局與熱管理

• ?布局指南?：推薦使用低ESR/ESL電容靠近IC，并保持短而寬的接地路徑以減少寄生電感和電阻。
• ?熱管理?：通過(guò)估算最壞情況下的結(jié)溫來(lái)確?？煽康拈L(zhǎng)期操作，利用暴露的熱焊盤進(jìn)行有效散熱。

八、封裝與訂購(gòu)信息

• ?封裝類型?：提供SOIC（8引腳）和MSOP-PowerPAD（8引腳）封裝選項(xiàng)。
• ?訂購(gòu)代碼?：包括不同配置和封裝選項(xiàng)的訂購(gòu)代碼，如LM-M/NOPB（SOIC封裝）和LM1-1MY/NOPB（MSOP-PowerPAD封裝）。