據消息，在近日于合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進安徽活動”中，長鑫存儲技術有限公司董事長、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國介紹了合肥長鑫存儲器項目的 5 年規(guī)劃：2018 年 1 月一廠廠房建設完成，并開始設備安裝；2018 年底量產 8Gb DDR4 工程樣品；2019 年 3 季度量產 8Gb LPDDR4；2019 年底實現產能 2 萬片/月；2020 年開始規(guī)劃二廠建設；2021 年完成 17 納米技術研發(fā)。王寧國表示，希望 2018 年底第一個中國自主研發(fā)的 DRAM 芯片能夠在合肥誕生。

長鑫睿力起源于“506項目”。“506項目”起源于2016年5月6日兆易創(chuàng)新朱一明董事長和合肥市及經開區(qū)主要領導研討合肥的存儲器項目發(fā)展戰(zhàn)略，因而得名?！?06”項目包含合肥長鑫、長鑫存儲、睿力集成三個運營主體。項目的目標為自主發(fā)展主流 DRAM 存儲器 IDM。

中國 DRAM 存儲器的發(fā)展離不開“天時地利人和”

王寧國表示，存儲器尤其是 DRAM 存儲器是非常難的技術，項目的成功離不開“天時地利人和”，首先在“天時”方面：存儲器的應用非常多樣化，從最早的臺式電腦、個人電腦、智能手機、平板電腦、大數據，再到將來的人工智能應用都離不開存儲器，而 DRAM 更是無所不在。因為這個原因，DRAM 的市場蓬勃發(fā)展，去年 2017 年已經達到 700 億美元，今年有可能突破 1000 億美元，中國在這個市場消耗的量至少占1/2到1/3，也就是將近 300 億-500 億美元，但是我們現在自主生產的 DRAM 芯片為零。

除此之外，由于技術轉換比較困難，DRAM 提升的速度也逐步放緩，九十年代的時候，存儲密度每 3 年增加 4 倍，而現在是每 4 年增加 1.5-2 倍。技術更新速度的降低，事實上對后進者來說是好事，有機會實現彎道超車，因此技術的推遲對我們是有意義的。

其次在“地利”方面，王寧國表示，合肥是一個非常有趣的地方。一個大規(guī)模的芯片制造企業(yè)，如果沒有完整的產業(yè)鏈（設備、配件、維修、材料、和服務）的話，這個企業(yè)是不可能有效的生產低成本、高質量的芯片，因此合肥變成了一個幾何的中心。

同時，王寧國呼吁更多的設備、配件和材料公司下決心在合肥落地生根，只要跟合肥的產業(yè)合作，那么一定會快速發(fā)展，只有在合肥建立起完整的產業(yè)鏈，中國集成電路產業(yè)才能壯大起來，否則沒有辦法成長。

最后在“人和”方面，王寧國表示，睿力集成于 2016 7 月 13 日成立，當時只有 1 個人，經過 21 個月 630 天之后，目前員工已達到 1539 人，相當于每一天有 2.5 個人報道，在不到兩年的時間里這是一個非?？斓某砷L。目前公司員工中，***同胞有 447 位，中國大陸員工有 1013 人，占比達三分之二，而安徽省員工又占大陸員工的三分之二。

長鑫睿力專注于自主研發(fā)，已與北方華創(chuàng)簽約

據王寧國介紹，實際上長鑫睿力的研發(fā)工作已經有 1 年半的時間，在元件方面，自主開發(fā)了元件模組規(guī)格；在設計方面，設計了新的修補線路（E-Fuse），產生自有專利；在光罩方面，自主開發(fā)了光學鄰近效應修正（OPC）；在制造方面，有 450 位平均 15 年 DRAM 工作經驗的工程師做制程最佳化以快速提升良率，并自主開發(fā)最有效率的 IT 系統(tǒng)（大數據分析）；在測試方面，跟幾家公司合作自主開發(fā)了測試程式（low cost RDBI wafer flow），幫助他們制造最廉價的測試設備，降低成本。

值得一提的是，長鑫睿力自主開發(fā)的光學鄰近效應修正（OPC）項目由公司 7 位資深工程師和 12 位 ASML 資深工程師，經過 3 個月的時間一起工作完成的。

同時，長鑫睿力還自主研發(fā)了智能制造系統(tǒng)，能夠實現良率、產能和質量的提升，目前有 70 多位員工服務于該系統(tǒng)。此外，長鑫睿力已經跟中科大簽訂協(xié)議，將與 15 位中科大學生一起合作，將智能制造系統(tǒng)做的更好。

截止 2017 年底，長鑫睿力已申請 354 件專利，2018 年計劃申請 1155 件，因此截止 2018 年底，預計申請專利總數將達 1509 件。

最后，王寧國透露，長鑫睿力已經與北方華創(chuàng)簽約，未來還會與更多的國內設備和材料廠商簽約合作。希望用長鑫睿力 DRAM IDM 平臺大力扶持國產半導體設備與材料的研發(fā)和產業(yè)化進程。