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ROHM開發(fā)出適用于AI服務(wù)器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET

皇華ameya ? 來源:年輕是一場旅行 ? 作者:年輕是一場旅行 ? 2025-06-05 13:15 ? 次閱讀
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~兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻,被全球知名云平臺企業(yè)認證為推薦器件~

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)于6月3日宣布,開發(fā)出100V耐壓的功率MOSFET*1“RY7P250BM”,是AI服務(wù)器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護的工業(yè)設(shè)備電源等應(yīng)用的理想之選。

RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET,預計該尺寸產(chǎn)品未來需求將不斷增長,可以輕松替代現(xiàn)有產(chǎn)品。另外, 新產(chǎn)品同時實現(xiàn)了更寬SOA范圍*3( 條件:VDS=48V、Pw= 1ms/10ms) 和更低導通電阻(RDS(on))*4,由此既可確保熱插拔(電源啟動)工作時的更高產(chǎn)品可靠性,又能優(yōu)化電源效率,降低功耗并減少發(fā)熱量。

為了兼顧服務(wù)器的穩(wěn)定運行和節(jié)能,熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍,以承受大電流負載。特別是AI服務(wù)器的熱插拔電路,與傳統(tǒng)服務(wù)器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時可達16A、1ms時也可達50A,實現(xiàn)業(yè)界超優(yōu)性能,能夠應(yīng)對以往MOSFET難以支持的高負載應(yīng)用。

RY7P250BM是具有業(yè)界超寬SOA范圍的MOSFET,并且實現(xiàn)了更低導通電阻,從而大幅降低了通電時的功率損耗和發(fā)熱量。具有寬SOA范圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導通電阻絕大多數(shù)約為2.28mΩ ,而RY7P250BM 的導通電阻則降低了約18% —— 僅有1.86mΩ ( 條件: VGS=10V 、ID=50A 、 Tj=25℃)。這種低導通電阻有助于提升服務(wù)器電源的效率、減輕冷卻負荷并降低電力成本。

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與此同時,RY7P250BM還被全球知名云平臺企業(yè)認證為推薦器件,預計未來將在AI服務(wù)器領(lǐng)域得到更廣泛的應(yīng)用。在注重可靠性與節(jié)能的服務(wù)器領(lǐng)域中,RY7P250BM更寬SOA范圍與更低導通電阻的平衡在云應(yīng)用中得到了高度好評。

新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)(樣品價格800日元/個,不含稅)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHMCo., Ltd.(日本滋賀工廠),后道工序的生產(chǎn)基地為OSAT(泰國)。另外,新產(chǎn)品已經(jīng)開始通過電商進行銷售,通過電商平臺均可購買。

未來,ROHM將繼續(xù)擴大適用于服務(wù)器和工業(yè)設(shè)備48V電源的產(chǎn)品陣容,通過提供效率高且可靠性高的解決方案,為建設(shè)可持續(xù)ICT基礎(chǔ)設(shè)施和節(jié)能貢獻力量。

<開發(fā)背景>

隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)中心的負載急劇增加,服務(wù)器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的服務(wù)器日益普及,如何兼顧進一步提升電力效率和支持大電流這兩個相互沖突的需求,一直是個難題。在此背景下,相較傳統(tǒng)12V電源系統(tǒng)具有更高轉(zhuǎn)換效率的48V電源系統(tǒng)正在加速擴大應(yīng)用。另外, 在服務(wù)器運行狀態(tài)下實現(xiàn)模塊更換的熱插拔電路中, 需要兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻的 MOSFET,以防止浪涌電流*5和過載時造成損壞。新產(chǎn)品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時具備業(yè)界超寬SOA范圍和超低導通電阻,有助于降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗、減輕冷卻負荷,從而提升服務(wù)器的可靠性并實現(xiàn)節(jié)能。

<產(chǎn)品主要特性>

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<應(yīng)用示例>

?AI(人工智能)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的48V系統(tǒng)電源熱插拔電路

?工業(yè)設(shè)備48V系統(tǒng)電源(叉車、電動工具、機器人、風扇電機等)

?AGV(自動導引車)等電池驅(qū)動的工業(yè)設(shè)備

?UPS、應(yīng)急電源系統(tǒng)(電池備份單元)

<電商銷售信息>

發(fā)售時間:2025年5月起

新產(chǎn)品在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

產(chǎn)品型號:RY7P250BM

<關(guān)于EcoMOS?品牌>

EcoMOS?是ROHM開發(fā)的Si功率MOSFET品牌,非常適用于功率元器件領(lǐng)域?qū)?jié)能要求高的應(yīng)用。 EcoMOS?產(chǎn)品陣容豐富,已被廣泛用于家用電器、工業(yè)設(shè)備和車載等領(lǐng)域。客戶可根據(jù)應(yīng)用需求,通過噪聲性能和開關(guān)性能等各種參數(shù)從產(chǎn)品陣容中選擇產(chǎn)品。

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?EcoMOS?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

<術(shù)語解說>

*1)功率MOSFET

適用于功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用的一種MOSFET。目前,通過給柵極施加相對于源極的正電壓而導通的Nch MOSFET是主流產(chǎn)品,相比Pch MOSFET,具有導通電阻小、效率高的特點。因其可實現(xiàn)低損耗和高速開關(guān)而被廣泛用于電源電路、電機驅(qū)動電路和逆變器等應(yīng)用。

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*2)熱插拔電路

可在設(shè)備電源運轉(zhuǎn)狀態(tài)下實現(xiàn)元器件插入或拆卸的、支持熱插拔功能的整個電路。由MOSFET、保護元件和接插件等組成,負責抑制元器件插入時產(chǎn)生的浪涌電流并提供過流保護,從而確保系統(tǒng)和所連接元器件的安全工作。

*3)SOA(Safe Operating Area)范圍

元器件不損壞且可安全工作的電壓和電流范圍。超出該安全工作區(qū)工作可能會導致熱失控或損壞,特別是在會發(fā)生浪涌電流和過電流的應(yīng)用中,需要考慮SOA范圍。

*4)導通電阻(RDS(on))

MOSFET工作(導通)時漏極與源極間的電阻值。該值越小,工作時的損耗(功率損耗)越少。

*5)浪涌電流(Inrush Current)

在電子設(shè)備接通電源時,瞬間流過的超過額定電流值的大電流。因其會給電源電路中的元器件造成負荷,所以通過控制浪涌電流,可防止設(shè)備損壞并提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。

審核編輯 黃宇

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