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詳解EV中的主動(dòng)放電功能

力特奧維斯Littelfuse ? 來(lái)源:御用小威的后花園 ? 2025-06-07 14:27 ? 次閱讀
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來(lái)源:御用小威的后花園;作者:御用小威

EV中的主動(dòng)放電功能一般都用于給電驅(qū)系統(tǒng)的DC link電容放電。

DC link電容的電壓很高(400V或800V)并且容值較大(mf級(jí)別),所以需要在EV駐車或發(fā)生碰撞事故時(shí),盡快把存儲(chǔ)在電容內(nèi)的能量釋放掉,以避免對(duì)人造成危害。

大致的電路如下,pyro-fuse的觸發(fā)信號(hào)或者車輛的駐車信號(hào)發(fā)送給SCR,使SCR導(dǎo)通形成主動(dòng)放電回路。涉及的元器件就是DC link cap、放電電阻R、放電開關(guān)SCR這三個(gè)。

de6c1cd8-41aa-11f0-b715-92fbcf53809c.png

我們把SCR導(dǎo)通后看作是短路,那么放電時(shí)間的長(zhǎng)短就只取決于R、C的大小。根據(jù)電容充放電的公式:

de8900b4-41aa-11f0-b715-92fbcf53809c.png

V(t):t時(shí)刻電容兩端的電壓(取人體的安全電壓48V)

V(0):電容的初始電壓(以400V為例)

t:放電時(shí)間(需要求的參數(shù))

R:放電電阻的阻值(取100ohm)

C:電容的容值(取1000uf,電驅(qū)中的DC link電容一般都比較大)

OK,用excel表格來(lái)算一下放電時(shí)間 t = 0.212s

de9a4464-41aa-11f0-b715-92fbcf53809c.png

借用一下某大廠的資料,在ISO 6469 Part 4的標(biāo)準(zhǔn)中,要求高壓需要在車輛熄火后5s內(nèi)降低到60V以下的安全電壓以下。原文如下:

dead5928-41aa-11f0-b715-92fbcf53809c.png

因此,我們計(jì)算得到的放電時(shí)間t=0.212s << 5s, 可以滿足要求。

當(dāng)然,這只是車輛熄火時(shí)的要求。在車輛發(fā)生碰撞事故時(shí),我們會(huì)希望放電時(shí)間t盡可能的短,以保證安全。假設(shè)我們以t=1ms為設(shè)計(jì)目標(biāo)再計(jì)算一下,我們就需要把放電電阻的阻值減小到0.5ohm。

dec69050-41aa-11f0-b715-92fbcf53809c.png

同時(shí)我們還可以計(jì)算得到一些SCR選型時(shí)需要關(guān)注的參數(shù):

Ip=800A(放電時(shí)的峰值電流

I^2t=136A^2s(放電電流所產(chǎn)生的脈沖能量)

di/dt=1.6A/us(放電電流的電流變化率)

Littelfuse的SJxx40xxA Series SCR是一款非常適用于EV主動(dòng)放電應(yīng)用的SCR,讓我們來(lái)對(duì)比一下參數(shù)。

dee404be-41aa-11f0-b715-92fbcf53809c.png

*電容放電波形是指數(shù)波形,SCR規(guī)格書中的測(cè)試波形是正弦波,所以需要乘以校正系數(shù)K=0.503,然后再和規(guī)格書中的值做比較。

可以看出上述關(guān)鍵參數(shù)都能滿足選型要求附上規(guī)格書供參考

littelfuse-thyristor-SJxx40xxA-datasheet.pdf

OK,最后跑個(gè)LTspice看看仿真的結(jié)果。

def5f142-41aa-11f0-b715-92fbcf53809c.png

t=1.27ms;Ip=658A; I^2t=133A^2s。

可以看到,仿真的結(jié)果和計(jì)算的結(jié)果還是比較接近的。造成差異的原因,可能是電容的ESR、SCR的導(dǎo)通壓降等參數(shù)在計(jì)算中都被忽略了。

最后再補(bǔ)充說(shuō)幾點(diǎn):

1. 主動(dòng)放電不僅會(huì)作用于DC Link電容,還有可能會(huì)作用于電機(jī)中所存儲(chǔ)能量的釋放,就像前文ISO 6469 Part4標(biāo)準(zhǔn)的那張圖中的藍(lán)色部分,指的就是電機(jī)能量的釋放。所以,對(duì)于SCR的I^2t的選擇需要留有足夠大的余量。

2. 其實(shí)本質(zhì)上SCR就是起一個(gè)開關(guān)的作用,需要放電時(shí)導(dǎo)通一下;不需要時(shí)一直是截止?fàn)顟B(tài)。所以MOSFET、IGBT、SiC都是可以選擇的器件。

3. 選擇SCR主要有2個(gè)好處

(1)SCR是半控器件,只需要給G端一個(gè)開啟信號(hào),放電過(guò)程結(jié)束后SCR可自行關(guān)斷。控制非常簡(jiǎn)單。

(2)相對(duì)來(lái)說(shuō)SCR的抗浪涌電流能力(I^2t)要比MOSFET、IGBT等更強(qiáng),在電容放電的應(yīng)用場(chǎng)景會(huì)更適用。

4. 既然有主動(dòng)放電,那相對(duì)的也有被動(dòng)放電。即通過(guò)電機(jī)和回路自身的阻抗來(lái)放電,在電壓比較低電容容量比較小的場(chǎng)景,這也是一種可行的方案。

5. 800V系統(tǒng)的主動(dòng)放電需要用1200V的SCR,目前市面上1200V的SCR相對(duì)較少。Littelfuse的CLA50E1200HB有很高的浪涌電流耐受能力,從參數(shù)上看可以滿足要求,目前正在進(jìn)行AEC-Q101的認(rèn)證。附上規(guī)格書供參考

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原文標(biāo)題:【技術(shù)淺談】談?wù)凟V中的主動(dòng)放電

文章出處:【微信號(hào):Littelfuse_career,微信公眾號(hào):力特奧維斯Littelfuse】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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