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電源設(shè)計小貼士 設(shè)計 CCM 反激式轉(zhuǎn)換器

flyingstar01 ? 來源:flyingstar01 ? 作者:flyingstar01 ? 2025-06-18 17:20 ? 次閱讀
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連續(xù)導通模式 (CCM) 反激式轉(zhuǎn)換器通常用于中等功耗的隔離型應(yīng)用。與不連續(xù)導通模式 (DCM) 運行相比,CCM 運行的特點是具有更低的峰值開關(guān)電流、更低的輸入和輸出電容、更低的 EMI以及更窄的工作占空比范圍。由于具有這些優(yōu)點并且成本低廉,它們已廣泛應(yīng)用于商業(yè)和工業(yè)領(lǐng)域。本文將提供反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計注意事項中,53Vdc至12V/5A CCM反激式轉(zhuǎn)換器的功率級設(shè)計公式。

圖 1 展示了工作頻率為 250kHz 的 60W 反激式轉(zhuǎn)換器的詳細原理圖。所選占空比在最低輸入電壓 (51V) 和最大負載時最大,為 50%。雖然也可以在超過 50% 占空比的情況下運行,但在本設(shè)計中無此必要。由于 57V 的高壓線路輸入電壓相對較低,因此在 CCM 運行時,占空比只會降低幾個百分點。但如果負載大幅降低,轉(zhuǎn)換器進 DCM 運行模式,占空比就會顯著降低。

wKgZPGhShMWAd-PWAAF-_YUwOQY206.png

圖 1. 60W CCM 反激式轉(zhuǎn)換器原理圖

設(shè)計規(guī)格

為防止磁芯飽和,繞組開/關(guān)時間的伏秒積必須保持平衡。這等于方程式 1:

wKgZO2hShMaAYPxnAACCXQU1MZA811.png

方程式 1

dmax設(shè)置為 0.5 并計算Nps12(Npri: N12V)和Nps14(Npri: N14V)的匝數(shù)比,如方程式 2 和方程式 3所示:

wKgZPGhShMaAWWL2AAB-OwlNTAc695.png

方程式 2

wKgZO2hShMaAQFEmAAB94woeABI085.png

方程式 3

變壓器匝數(shù)比現(xiàn)已設(shè)定(方程式 4 和方程式 5),因此可計算出工作占空比和 FET 電壓。

wKgZPGhShMeACwN_AACLEKHZHq0474.png

方程式 4

wKgZO2hShMeAfNH4AABxOotv4kw970.png

方程式5

Vdsmax 表示 FET Q2 漏極上無振鈴的“平頂”電壓。振鈴通常與變壓器漏電感、寄生電容(T1、Q1、D1)和開關(guān)速度有關(guān)。選擇 200V FET 時,F(xiàn)ET 電壓會再降低 25% 至 50%。變壓器繞組之間必須實現(xiàn)良好耦合,如有可能,最大漏電感必須為 1% 或更低,以更大限度地減少振鈴。

當 Q2 導通時,二極管 D1 的反向電壓應(yīng)力等于方程式 6:

wKgZPGhShMeAA4DGAACRT7kmd0Y901.png

方程式 6

由于漏電感、二極管電容和反向恢復特性的影響,當次級繞組擺幅為負時,振鈴現(xiàn)象很常見。具體請參閱方程式 7:

wKgZO2hShMiAcQUMAAC1qNf9OEA835.png

方程式 7

我們選擇了額定值為 30A/45V 的 D2PAK 封裝,以便在 10A 電流下將正向壓降減至 0.33V。功率耗散等于方程式 8:

wKgZPGhShMiAAxrMAACDb660mmQ794.png

方程式 8

建議使用散熱器或氣流進行適當?shù)臒峁芾?。初級電感的計算公式為方程?9:

wKgZO2hShMiASEKgAACjPtxSxO4091.png

方程式 9

POUTMIN是轉(zhuǎn)換器進入 DCM 的位置,通常為POUTMAX的 20% 至 30%。

初級峰值電流出現(xiàn)在 VINMIN時,等于:

wKgZPGhShMmAOi-SAACASNxESaE439.png

方程式 10

這對于確定最大電流檢測電阻 (R18) 值而言是必要的,能夠防止控制器的初級過流 (OC) 保護電路跳閘。對于 UCC3809,R18 兩端的電壓不能超過 0.9V,以保證全輸出功率。在本例中,我們選擇 0.18Ω。也可以使用更小的電阻,以減少功率損耗。但過小的電阻會增加噪聲靈敏度,并使 OC 閾值處于高電平,有可能導致變壓器飽和,更糟糕的是,甚至會導致 OC 故障期間出現(xiàn)與應(yīng)力相關(guān)的電路故障。電流檢測電阻耗散的功率為方程式 11:

wKgZO2hShMmAGFh3AACFW5atgqU520.png

方程式 11

根據(jù)方程式 12 和方程式 13 估算 FET 導通損耗和關(guān)斷開關(guān)損耗:

wKgZPGhShMqAEsDNAACCQS9MC5Y064.png

方程式 12

wKgZO2hShMqAQfy2AABxYs4RMMU269.png

方程式 13

與 Coss 相關(guān)的損耗計算有些模糊,因為該電容具有相當高的非線性度,會隨著 Vds 的增加而降低,在本設(shè)計中估計為 0.2W。

電容器要求通常包括計算最大均方根電流、獲得預期紋波電壓所需的最小電容以及瞬態(tài)保持。輸出電容和 IOUTRMS 的計算公式為方程式 14 和方程式 15:

wKgZPGhShMqAVoETAACVUNZzyc0256.png

方程式 14

wKgZO2hShMuAMLQTAACKjLiZLm4181.png

方程式 15

可以僅使用陶瓷電容器,但在直流偏置效應(yīng)后需要 7 個陶瓷電容器才能實現(xiàn) 83μF。因此,我們只選擇了足以處理均方根電流的電容器,然后使用了電感器—電容器濾波器來降低輸出紋波電壓并改善負載瞬態(tài)。如果存在較大的負載瞬態(tài),可能需要額外的輸出電容來減少壓降。

輸入電容等于方程式 16:

wKgZPGhShMuAQFQ1AACgSCfsix8702.png

方程式 16

同樣,您必須考慮會損耗電容的直流偏置效應(yīng)。如方程式 17 所示,均方根電流約為:

wKgZO2hShMuAXAtNAACQXWpsCxA599.png

方程式 17

圖 2 展示了原型轉(zhuǎn)換器的效率。

wKgZPGhShMyAQdDZAAG0OYe4r58443.png

圖 2. 轉(zhuǎn)換器的效率和損耗決定了封裝的選擇和散熱要求

結(jié)語

本設(shè)計示例介紹了功能性 CCM 反激式設(shè)計的基本元件計算。然而,初始估算通常需要反復計算,以便進行微調(diào)。不過,為了獲得運行良好且優(yōu)化的反激式轉(zhuǎn)換器,在變壓器設(shè)計和控制環(huán)路穩(wěn)定等方面,往往還需要做更多的細節(jié)工作。

審核編輯 黃宇

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