100G光模塊中DML（直接調(diào)制激光器） 與 EML（電吸收調(diào)制激光器）的對比解析，結合技術原理、性能差異及應用場景進行說明：

一、技術原理對比

特性DML（直接調(diào)制激光器）EML（電吸收調(diào)制激光器）調(diào)制方式直接控制激光器電流，改變光強激光器恒定發(fā)光，通過外置電吸收片調(diào)制光信號核心組件單一激光二極管DFB激光器 + 電吸收調(diào)制器（EA）集成工作狀態(tài)電流變化導致激光器溫度波動，產(chǎn)生頻率啁啾激光器穩(wěn)定工作，啁啾效應極低。

二、應用場景選擇

DML適用場景

短距離傳輸：數(shù)據(jù)中心機柜內(nèi)互聯(lián)（≤500m）、企業(yè)局域網(wǎng)。

成本敏感場景：如100G QSFP28 SR4（850nm多模，100m）。

典型方案：25Gbps DML激光器用于100G 光模塊的4通道并行傳輸 。

100G光模塊

EML適用場景

長距離及高速率：城域網(wǎng)骨干、100G LR4/ER4（單模，10km~120km）。

高密度波分復用：DWDM系統(tǒng)中窄譜線傳輸 。

下一代技術：400G DR4/FR4模塊（單波100G PAM4調(diào)制）。

三、技術演進與挑戰(zhàn)

DML局限：頻率啁啾限制長距傳輸，高速率下信號失真 。

EML突破：

無制冷EML技術降低功耗，適配數(shù)據(jù)中心。

調(diào)制速率達80~100Gbps，支持800G光模塊演進。

國產(chǎn)化進展：國內(nèi)已突破40Gbps EML芯片技術，加速替代進口 。

審核編輯 黃宇