TPS53313 提供集成兩個(gè) N 溝道 MOSFET 的 5V 或 12V 同步降壓轉(zhuǎn)換器。由于低 R DS（開） 和 TI 專有的 SmoothPWM 跳躍作模式，它可以優(yōu)化輕負(fù)載條件下的效率，而不會(huì)影響輸出電壓紋波。

TPS53313具有可編程（從 250 kHz 到 1.5 MHz）開關(guān)頻率，可選擇跳躍模式或強(qiáng)制 CCM 模式作。該器件提供預(yù)偏置啟動(dòng)、軟停止、集成自舉開關(guān)、電源良好功能和 EN/輸入 UVLO 保護(hù)。它支持 4.5 V 至 16 V 的輸入電壓，無需額外的偏置電壓。輸出電壓可在 0.6 V 至 0.7 × V 范圍內(nèi)調(diào)節(jié) 在 .
*附件：tps53313.pdf

TPS53313 采用 4 mm × 4 mm、24 引腳 VQFN 封裝（符合 Green RoHs 標(biāo)準(zhǔn)且無鉛），工作溫度范圍為 –40°C 至 85°C。

特性

• 4.5V 至 16V 轉(zhuǎn)換電壓范圍
• 可調(diào)輸出電壓范圍為 0.6 V 至 0.7 × V在
• 連續(xù) 6A 輸出電流
• 支持所有 MLCC 輸出電容器
• 可選 SKIP 模式或強(qiáng)制 CCM
• 可選軟啟動(dòng)時(shí)間（1 ms、3 ms 或 6 ms）
• 可選的 4-5A、6A 或 9A 峰值電流限制
• 優(yōu)化輕負(fù)載和重負(fù)載下的效率
• 電壓模式控制
• 250 kHz 至 1.5 MHz 的可編程開關(guān)頻率
• 與 External Clock 同步
• R DS（開） 用于過零檢測和過流保護(hù)的傳感
• 禁用期間的軟停止輸出放電
• 帶打嗝的過流、過壓和欠壓保護(hù)
• 過熱保護(hù)
• 漏極開路，電源良好指示
• 內(nèi)部自舉開關(guān)
• 4 mm × 4 mm、24 引腳 VQFN 封裝

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

TPS53313是一款高效率的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，集成了兩個(gè)N溝道MOSFET，適用于4.5V至16V的寬輸入電壓范圍，并提供可調(diào)節(jié)的輸出電壓，范圍為0.6V至0.7倍輸入電壓。該器件支持高達(dá)6A的連續(xù)輸出電流，并適用于所有MLCC輸出電容器。

二、關(guān)鍵特性

• ?寬輸入電壓范圍?：4.5V至16V。
• ?可調(diào)輸出電壓?：0.6V至0.7×VIN。
• ?高輸出電流?：連續(xù)6A輸出電流。
• ?效率優(yōu)化?：采用TI專有的SmoothPWM?跳頻模式和可選的跳頻模式，在輕載和重載條件下均能實(shí)現(xiàn)高效率。
• ?多保護(hù)功能?：包括過流保護(hù)、過壓保護(hù)、欠壓保護(hù)、過熱保護(hù)和軟停止輸出放電功能。
• ?靈活的配置選項(xiàng)?：可選的軟啟動(dòng)時(shí)間、峰值電流限制和同步外部時(shí)鐘功能。

三、引腳功能

• ?VIN?：門驅(qū)動(dòng)電源和功率轉(zhuǎn)換電壓輸入。
• ?SW?：輸出電感連接到集成功率器件的節(jié)點(diǎn)。
• ?VBST?：高側(cè)MOSFET的供電輸入（自舉端子）。
• ?EN?：使能引腳，控制器件的開關(guān)。
• ?PG?：電源良好輸出標(biāo)志，開漏輸出。
• ?FB?：電壓反饋引腳，用于過壓、欠壓和電源良好判定。
• ?MODE/SS?：模式配置引腳，設(shè)置不同的工作模式和軟啟動(dòng)時(shí)間。
• ?COMP?：誤差放大器補(bǔ)償端子。
• ?RT/SYNC?：同步至外部時(shí)鐘，通過連接電阻到地來編程開關(guān)頻率。

四、工作模式

• ? 強(qiáng)制連續(xù)導(dǎo)通模式（FCCM） ?：在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)保持恒定的開關(guān)頻率。
• ?跳頻模式?：在輕載條件下自動(dòng)降低開關(guān)頻率，以減少功率損耗并提高效率。
• ?軟啟動(dòng)?：提供可選的軟啟動(dòng)時(shí)間（1ms、3ms或6ms），以減少啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流。
• ?電源良好指示?：監(jiān)測輸出電壓，并在輸出電壓超出正常范圍時(shí)通過PG引腳指示。

五、應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

• ?典型應(yīng)用?：包括5V和12V降壓軌的POL應(yīng)用。
• ?設(shè)計(jì)步驟?：包括輸出電感選擇、輸出電容選擇、輸入電容選擇、輸出電壓設(shè)置電阻選擇和補(bǔ)償設(shè)計(jì)。
• ?布局指南?：為了優(yōu)化性能，建議將電源地和模擬地平面分開，并使用多個(gè)過孔將熱焊盤連接到電源地。

六、保護(hù)特性

• ?過流保護(hù)?：監(jiān)測高側(cè)和低側(cè)MOSFET的電流，并在超過限制時(shí)關(guān)閉器件。
• ?過壓和欠壓保護(hù)?：監(jiān)測反饋電壓，并在超出正常范圍時(shí)關(guān)閉器件。
• ?過熱保護(hù)?：監(jiān)測結(jié)溫，并在超過閾值時(shí)關(guān)閉器件。

七、封裝與訂購信息

TPS53313采用4mm×4mm的24引腳VQFN封裝，具體封裝尺寸和訂購信息請參考數(shù)據(jù)手冊中的封裝選項(xiàng)附錄。