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近日，英特爾在電子元件技術(shù)大會(huì)上披露了EMIB-T（Embedded Multi-die Interconnect Bridge with TSV）技術(shù)。這是是英特爾在原有EMIB技術(shù)基礎(chǔ)上引入硅通孔（TSV）的重大升級(jí)，旨在解決高性能計(jì)算、AI加速器和數(shù)據(jù)中心芯片的異構(gòu)集成挑戰(zhàn)。其核心是通過垂直互連提升封裝密度和性能，同時(shí)降低功耗和延遲。

傳統(tǒng)EMIB利用嵌入在封裝基板中的硅橋，實(shí)現(xiàn)多顆裸晶之間的高速互連。而EMIB-T在硅橋中引入TSV通孔結(jié)構(gòu)，讓信號(hào)能夠垂直穿越橋接芯片本體，達(dá)成更高密度、更短路徑的垂直互連 。簡單來說，它把硅通孔技術(shù)融入到已有的嵌入式多芯片互連橋技術(shù)里，提升了芯片間連接的性能。

EMIB-T支持UCIe-A協(xié)議，數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)32 Gb/s以上，相比英偉達(dá)的H100也要提升20%。同時(shí)TSV提供低電阻垂直供電路徑，解決懸臂式供電的電壓降問題，電源傳輸電阻減少30%，滿足HBM4的高功耗需求。

該技術(shù)還配套分解式散熱器技術(shù)，減少25%熱界面材料（TIM）空隙，支持微通道液冷，應(yīng)對(duì)1000W TDP芯片功耗。而新型熱壓粘合工藝減少基板翹曲，可以提升大型封裝的良率和可靠性。

同時(shí)，EMIB-T可實(shí)現(xiàn)更大的芯片封裝尺寸，達(dá)到120 x 180 mm，并在單個(gè)大型芯片封裝中支持超過38個(gè)橋接器和超過12個(gè)矩形大小的裸片，提升了芯片集成度。

還支持35μm的凸塊間距，25μm間距也在開發(fā)之中，遠(yuǎn)勝于初代EMIB的55μm和第二代 EMIB的45μm，且兼容有機(jī)或玻璃基板，其中玻璃基板是英特爾未來芯片封裝業(yè)務(wù)的關(guān)鍵戰(zhàn)略方向，為芯片設(shè)計(jì)提供了更多選擇和可能。

該技術(shù)預(yù)計(jì)在2025年下半年量產(chǎn)，客戶包括AWS、思科及美國政府項(xiàng)目，Cadence、西門子EDA等已推出協(xié)同設(shè)計(jì)流程，加速產(chǎn)品落地。

伴隨著TSV 結(jié)構(gòu)的引入，使得硅材料在垂直互連方面的性能要求提高。需要硅材料具備更高的純度和質(zhì)量，以保障信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性和可靠性，降低信號(hào)損耗。同時(shí)，在制造TSV過程中，對(duì)硅的加工工藝精度要求更嚴(yán)格，如刻蝕、填充等工藝都需要更先進(jìn)的技術(shù)來滿足EMIB-T的需求。

由于EMIB-T兼容有機(jī)或玻璃基板，玻璃基板將成為關(guān)鍵戰(zhàn)略方向，這將推動(dòng)玻璃基板材料的研發(fā)和生產(chǎn)，推動(dòng)玻璃基板供應(yīng)鏈的發(fā)展，如日本電氣硝子、康寧等。玻璃基板在絕緣性、平整度等方面有獨(dú)特優(yōu)勢，有望替代部分傳統(tǒng)有機(jī)基板。這會(huì)促使材料廠商加大對(duì)玻璃基板材料的研究投入，開發(fā)出更適合EMIB-T技術(shù)的玻璃基板產(chǎn)品，提升其在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的應(yīng)用比例。

此外，隨著芯片集成度提高和性能增強(qiáng)，產(chǎn)生的熱量增多，對(duì)熱管理材料提出更高要求。配合全新的分解式散熱器技術(shù)，需要熱界面材料（TIM）具備更好的散熱性能和更低的熱阻，能夠更有效地將芯片產(chǎn)生的熱量傳遞出去，減少 TIM 耦合焊料中的空隙，提高散熱效率，以保障芯片在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。

小結(jié)

EMIB-T不僅是英特爾對(duì)標(biāo)臺(tái)積電CoWoS的技術(shù)反擊，更通過三維垂直互連、超大封裝尺寸和材料革新，為AI芯片、Chiplet生態(tài)提供高性價(jià)比解決方案。隨著2025年量產(chǎn)落地，EMIB-T或成為異構(gòu)集成的新標(biāo)準(zhǔn)，重構(gòu)高性能計(jì)算芯片的競爭格局。