SiC功率元器件大家都不會陌生，但是許多粉絲反應有些技術(shù)點還一知半解。ROHM君特地搬運來相關(guān)知識點，從最基礎(chǔ)的介紹到終極使用方法應有盡有，無論您是小白還是“老司機”，一樣可以溫故而知新。

今天ROHM君來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。

何謂全SiC功率模塊

羅姆在全球率先實現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點，根據(jù)這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點與性能，可以很容易理解。

目前，羅姆正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊是二合一型模塊，包括半橋型和升壓斬波型兩種。

另外產(chǎn)品陣容中還有搭載NTC熱敏電阻的產(chǎn)品類型。

以下整理了現(xiàn)有機型產(chǎn)品陣容和主要規(guī)格。1200 V耐壓80A～600A的產(chǎn)品種類齊全，400A和600A的兩種機型近期剛剛開發(fā)出來。產(chǎn)品陣容擁有覆蓋IGBT模塊市場主要額定電流100 A～600 A的豐富產(chǎn)品。

進步明顯的全SiC功率模塊

最新的全SiC功率模塊采用最新的SiC-MOSFET-（即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），以進一步降低損耗。以下為示例。

關(guān)鍵點小黑板:

?全SiC功率模塊由羅姆自主生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD組成。

?與Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。

?全SiC功率模塊正在不斷進化，最新產(chǎn)品搭載了最新的第三代SiC-MOSFET。