我本次調試用的主控IC是來自成都啟臣微及深圳思睿達的CR52168SG，輸出規(guī)格24V0.5A，該芯片采用原邊檢測和調整的拓撲結構，因此在應用時無需TL431 和光耦。芯片內置恒流/恒壓兩種控制方式。接下來我把我的調試過程全程分享給大家

【應用】燈

【規(guī)格】24V0.5A

【問題描述】調試時發(fā)現EMI傳導余量不足

上圖可以發(fā)現，0-800K處傳導余量不足，此方案做燈，有PF要求。所以用了一個填谷線路，填谷線路前端傳導相對來說是較為難調。0-800K處有以下四點常見的地方可調：

①X電容 ②整流橋橋前后電感 ③變壓器 ④PCB布局干擾

首先我先嘗試最簡單的先改外圍電路，X電容和色環(huán)電感已經用了330nF和1mH，已經夠大了，所以先把整流橋后負極RL2的0R改成4.7uH貼片電感或1K磁珠，發(fā)現沒有什么作用。將薄膜電容放大后，效果也不好。

看來跟外圍元件關系不是很大，因為平常用這種配置，傳導余量都有很大。于是第二步先檢查一下變壓器，把Y電容去掉后，測量Y電壓，如下圖

可以看到除開尖峰，Y電壓平臺只有3V左右，已經很小了，大概率不是變壓器的原因。但是由于我設計的變壓器并沒有屏蔽以及磁芯接地，如上圖。所以我決定嘗試加一層屏蔽和磁芯接地分開嘗試。嘗試后發(fā)現磁芯接地及加屏蔽，傳導會變得更差，Y電壓也越高，對應的上，證明不是變壓器的問題。（沒存圖）

那接下來只有嘗試改PCB了，前方傳導超標最大的可能就是AC干擾

由于變壓器是3+2+2的，看板子貼片面可以看到AC部分距離高壓動點部分距離還是很遠的，我一時半會還確實看不出來是什么問題，包括吸收環(huán)路也不錯。唯一有疑點的就是這根線離得太近了，距離只有1mm如下圖

抱著試一試的心理，我嘗試把交流這根線隔開，把整流橋斜一點飛起來，把X電容也飛起來放在貼片面，發(fā)現效果很好，如下圖

但事情實際沒有那么簡單，我正以為大功告成，于是我直接改板，把這根線離遠一點，改成以下板子，貼完之后測試發(fā)現還是不行，如下圖

可以看到，余量只有2db，跟之前飛線的效果差異巨大，于是我懷疑根本不是那根線的問題，難道是插件面干擾了？以下是我嘗試的方法

一，改用方形保險絲，傳導余量6dB左右

二，使用銅箔包裹變壓器，傳導余量10dB左右

三，將X電容與壓敏電阻換位，傳導余量10dB左右

于是我用原板子嘗試了以上步驟，發(fā)現均可以達到效果，說明不是那根線太近的原因，大概率是變壓器對交流部分的X電容以及保險絲產生的干擾！

以下是一些思考

①關于保險絲與變壓器之間的干擾

*繞線電阻保險絲

螺旋結構相當于一個 小電感線圈，會通過 磁場耦合 吸收變壓器泄漏的開關噪聲（尤其是MOSFET的di/dt噪聲）。

這些噪聲通過繞線電阻的寄生電感與PCB走線電容形成諧振，傳導到輸入端口（LISN檢測到的噪聲升高）。

*方形直插保險絲

直線熔絲結構無顯著磁場耦合效應，且寄生電感極低，高頻噪聲直接通過輸入濾波電容回流，不會被放大。

*結論

根本原因是：繞線電阻的螺旋結構引入的寄生電感和磁場耦合，盡管體積相同，但其高頻特性與直插保險絲截然不同

②關于X電容與變壓器之間的干擾

1. 變壓器漏磁場的直接耦合

變壓器在開關過程中會產生 高頻漏磁場（尤其是反激電源的變壓器，因氣隙存在漏磁較強）。

若X電容 靠近變壓器（尤其是氣隙或繞組邊緣），其金屬極板或引腳會成為 磁場接收天線，感應出高頻共模電壓，并通過L/N線傳導到LISN。

飛線到貼片面后改善：因物理距離增加，磁場耦合強度隨距離平方衰減，噪聲被抑制。

2. X電容的“共模噪聲轉化”效應

X電容本應濾除 差模噪聲，但若其位置被變壓器漏磁場干擾，會 將共模噪聲轉化為差模噪聲：

磁場在X電容兩極板感應出 不對稱電壓，導致L-N之間出現本應被濾除的高頻差模噪聲。

這種“污染”后的差模噪聲會直接通過傳導測試超標。

3. PCB布局的隱性環(huán)路

即使X電容在交流側，其與變壓器、整流橋、輸入線仍可能形成 隱性高頻環(huán)路：

例如：變壓器 → 空間磁場 → X電容 → 整流橋 → 變壓器，構成共模噪聲的閉合路徑。

飛線貼片布局可能打破了這一環(huán)路，阻斷了噪聲耦合。

結論

核心問題：X電容因靠近變壓器，被漏磁場耦合，從“濾波器”變成“噪聲接收器”。

飛線改善的原因：

距離增加 → 磁場耦合減弱。

可能無意中避開了隱性噪聲環(huán)路。

優(yōu)化方向：

空間隔離 > 屏蔽 > 濾波增強。

希望以上的調試對你有幫助！

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