chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

采用扇出晶圓級(jí)封裝的柔性混合電子

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:學(xué)習(xí)那些事??? ? 2025-07-24 14:41 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

文章來源:學(xué)習(xí)那些事

原文作者:小陳婆婆

本文介紹了在柔性混合電子領(lǐng)域中使用的扇出晶圓級(jí)封裝技術(shù)。

在柔性混合電子(FHE)系統(tǒng)中,柔性實(shí)現(xiàn)的難點(diǎn)在于異質(zhì)材料的協(xié)同工作。硅基芯片、金屬互連、聚合物基板等組件的彈性模量差異巨大,硅的脆性與金屬的延展性形成鮮明對(duì)比,而聚合物的低模量雖有利于彎曲,卻可能因黏彈性導(dǎo)致性能衰減。

52ec892a-6551-11f0-a6aa-92fbcf53809c.jpg

復(fù)合體系彎曲應(yīng)力的分布規(guī)律:基板與薄膜的厚度比、曲率半徑共同決定薄膜中的應(yīng)力水平,當(dāng)彎曲半徑縮小至毫米級(jí)時(shí),硅芯片需減薄至70微米以下方可避免屈服失效,但減薄工藝本身會(huì)降低材料剛度,甚至引發(fā)DRAM數(shù)據(jù)保留時(shí)間縮短、CMOS載流子遷移率下降等電學(xué)性能退化。

這種矛盾促使轉(zhuǎn)向芯片級(jí)封裝(CSP)技術(shù),通過聚合物包封為薄型芯片提供機(jī)械保護(hù),雖犧牲了部分輕薄優(yōu)勢(shì),卻有效平衡了柔性與可靠性。

封裝的發(fā)展

近年來,微電子領(lǐng)域正經(jīng)歷一場(chǎng)封裝技術(shù)的深刻變革,其發(fā)展軌跡雖曾滯后于摩爾定律驅(qū)動(dòng)的硅工藝縮放,但如今已呈現(xiàn)出加速追趕的態(tài)勢(shì)?;仡櫄v史,摩爾定律的核心在于通過晶體管尺寸的持續(xù)縮小實(shí)現(xiàn)集成度與性能的指數(shù)級(jí)提升,這一趨勢(shì)在下圖中以納米級(jí)特征尺寸的縮放為標(biāo)志,功能結(jié)構(gòu)尺寸縮減超千倍,晶體管密度突破百萬(wàn)級(jí)。

52f9cc48-6551-11f0-a6aa-92fbcf53809c.jpg

然而,封裝技術(shù)長(zhǎng)期停留在微米級(jí)尺度,直到近年才通過技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)與硅工藝的協(xié)同演進(jìn)。

封裝技術(shù)加速發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力主要源于兩方面:其一,借鑒硅工藝的加工方法對(duì)封裝材料進(jìn)行精細(xì)化處理,例如硅轉(zhuǎn)接板的引入,將半導(dǎo)體制造中的光刻、蝕刻技術(shù)應(yīng)用于封裝基板,實(shí)現(xiàn)了互連節(jié)距的顯著縮小;其二,扇出晶圓級(jí)封裝(FO-WLP)的成熟,該技術(shù)通過重構(gòu)晶圓工藝,將芯片嵌入模塑材料后直接構(gòu)建互連層,突破了傳統(tǒng)封裝中芯片與基板連接的物理限制,大幅提升了封裝密度與電氣性能。

擴(kuò)展封裝技術(shù)的重要性在于其對(duì)系統(tǒng)級(jí)性能的關(guān)鍵影響。封裝尺寸通常是芯片尺寸的10至100倍,直接影響設(shè)備的整體尺寸、重量與功耗(SWaP)。尤為關(guān)鍵的是,芯片間通信功耗占系統(tǒng)總功耗的30%-40%,而封裝技術(shù)的進(jìn)步能有效縮短互連長(zhǎng)度、降低信號(hào)延遲與功耗,這一提升對(duì)SWaP的優(yōu)化效果遠(yuǎn)超單純依賴硅工藝縮放。對(duì)于柔性混合電子(FHE)而言,這一變化尤為重要——FHE設(shè)備多為可移動(dòng)式,依賴電池供電,封裝技術(shù)的進(jìn)步直接決定了其能否在保持柔性的同時(shí),實(shí)現(xiàn)更緊湊的尺寸、更低的功耗與更高的集成度。

在此背景下,異構(gòu)集成(HI)成為先進(jìn)封裝的核心特征。盡管傳統(tǒng)封裝早已通過基板集成多芯片實(shí)現(xiàn)“異構(gòu)”,但先進(jìn)封裝中的HI特指一級(jí)封裝層面的裸芯片直接集成,即通過有機(jī)、陶瓷或硅轉(zhuǎn)接板作為基底,以超細(xì)節(jié)距(≤50μm)、短芯片間距(≤2mm)與精細(xì)布線節(jié)距(≤5μm)實(shí)現(xiàn)芯片間的高密度互連。這種集成方式不僅簡(jiǎn)化了信號(hào)路徑,更突破了傳統(tǒng)封裝中芯片與基板連接的物理瓶頸,為高性能計(jì)算、人工智能引擎與內(nèi)存模擬計(jì)算等邊緣應(yīng)用提供了硬件基礎(chǔ)。

530b644e-6551-11f0-a6aa-92fbcf53809c.png

與HI緊密關(guān)聯(lián)的是“小芯片”(Chiplet)與“芯?!备拍?。復(fù)雜系統(tǒng)或大型芯片被分解為多個(gè)小型實(shí)體(小芯片),每個(gè)小芯片獨(dú)立設(shè)計(jì)并實(shí)例化為芯粒,再通過細(xì)節(jié)距凸點(diǎn)與短間距互連重新集成為子系統(tǒng)或模塊。這種模塊化設(shè)計(jì)不僅降低了單顆芯片的制造難度與成本,更通過靈活組合實(shí)現(xiàn)了功能定制化——例如將高性能處理器芯粒與低功耗內(nèi)存芯粒集成,滿足邊緣計(jì)算對(duì)能效的嚴(yán)苛要求。

值得關(guān)注的是,扇出晶圓級(jí)封裝(FO-WLP)正是實(shí)現(xiàn)上述擴(kuò)展的關(guān)鍵技術(shù)路徑。該技術(shù)通過模塑工藝重構(gòu)晶圓,將芯片嵌入高分子材料后直接構(gòu)建互連層,無(wú)需傳統(tǒng)基板即可實(shí)現(xiàn)芯片間的超細(xì)間距互連。對(duì)于FHE而言,F(xiàn)O-WLP的優(yōu)勢(shì)在于其兼容柔性基材的特性——通過調(diào)整模塑材料與互連工藝,可在聚酰亞胺等柔性基板上實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)距互連,同時(shí)保持封裝整體的柔性與可靠性。此外,F(xiàn)O-WLP的晶圓級(jí)加工模式天然適合規(guī)?;a(chǎn),為FHE從原型走向量產(chǎn)提供了工藝基礎(chǔ)。

封裝技術(shù)的演進(jìn)將進(jìn)一步推動(dòng)FHE的應(yīng)用邊界。隨著HI、小芯片與FO-WLP的深度融合,F(xiàn)HE設(shè)備有望在保持柔性的同時(shí),集成更高性能的處理器、更密集的傳感器陣列與更高效的能源管理模塊。這不僅將優(yōu)化SWaP參數(shù),更可能催生全新的應(yīng)用場(chǎng)景——例如生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域中,集成AI引擎的柔性可穿戴設(shè)備可實(shí)時(shí)處理本地?cái)?shù)據(jù),減少云端依賴;工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)中,柔性傳感器網(wǎng)絡(luò)可貼合復(fù)雜曲面,實(shí)現(xiàn)更精準(zhǔn)的環(huán)境監(jiān)測(cè)。這些變革的背后,正是封裝技術(shù)從“滯后者”向“驅(qū)動(dòng)者”的角色轉(zhuǎn)變,為柔性電子的未來打開了無(wú)限可能。

FO-WLP的FHE—FlexTrate

FlexTrate工藝作為扇出晶圓級(jí)封裝(FO-WLP)在柔性混合電子(FHE)領(lǐng)域的典型應(yīng)用,其技術(shù)路徑緊密圍繞著“高密度集成”與“柔性適配”兩大核心目標(biāo)展開。從設(shè)計(jì)到制造的全流程,每一步都體現(xiàn)了對(duì)傳統(tǒng)封裝技術(shù)的突破與對(duì)柔性需求的針對(duì)性優(yōu)化。

工藝的起點(diǎn)是系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)考量。與傳統(tǒng)封裝不同,F(xiàn)HE系統(tǒng)往往需要集成多類異質(zhì)芯片——如傳感器、處理器、無(wú)線通信模塊等,這些芯片的電氣特性、尺寸差異顯著,因此平面布局需兼顧信號(hào)完整性、電源傳輸效率及熱管理。設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC)與布圖到原理圖(LVS)驗(yàn)證在此階段尤為重要,尤其當(dāng)芯片間距縮小至毫米級(jí)以下時(shí),微小的布局偏差都可能導(dǎo)致互連失效或電磁干擾。值得關(guān)注的是,盡管異構(gòu)集成(HI)的概念已被廣泛討論,但FlexTrate的獨(dú)特性在于其將HI從“概念”落地為“可制造的實(shí)體”,通過細(xì)節(jié)距(≤50μm)與短芯片間距(≤2mm)的物理實(shí)現(xiàn),真正實(shí)現(xiàn)了多芯粒在柔性基板上的緊密協(xié)作。

53222f94-6551-11f0-a6aa-92fbcf53809c.jpg

進(jìn)入制造環(huán)節(jié),第一層臨時(shí)載板的制備是工藝的基礎(chǔ)。選用玻璃載板的優(yōu)勢(shì)在于其透明性——當(dāng)芯片以正面朝下的方式貼裝時(shí),光學(xué)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)可通過載板直接觀測(cè)芯片與基板的標(biāo)記,實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)的貼裝精度。這種“所見即所得”的對(duì)準(zhǔn)方式,對(duì)后續(xù)互連的可靠性至關(guān)重要。臨時(shí)膠黏劑層的應(yīng)用則暗含巧思:熱釋膠帶通過溫度控制實(shí)現(xiàn)分層,既保證了貼裝階段的粘附力,又避免了固化后難以剝離的問題。不過,膠帶的表面粗糙度曾是技術(shù)瓶頸——在顯示屏等對(duì)表面平整度要求極高的應(yīng)用中,需額外引入平面化層以消除粗糙度對(duì)光刻工藝的影響,這體現(xiàn)了工藝對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景的適配能力。

芯片貼裝環(huán)節(jié)的核心是精度與效率的平衡。雙面紅外相機(jī)系統(tǒng)可同時(shí)檢測(cè)芯片與載板的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,實(shí)現(xiàn)1μm級(jí)的貼裝精度。這一精度不僅滿足了細(xì)線寬互連的需求,更從根本上減少了后續(xù)工藝中的修正需求。值得注意的是,芯片厚度的控制(通?!?00μm)在此階段同樣關(guān)鍵——過厚的芯片易在壓縮成型時(shí)產(chǎn)生應(yīng)力集中,導(dǎo)致偏移或翹曲,而過薄的芯片則可能因機(jī)械強(qiáng)度不足在貼裝過程中破損。

基板重構(gòu)是FlexTrate工藝中最具創(chuàng)新性的步驟之一。選用PDMS(聚二甲基硅氧烷)作為成型材料,既利用了其柔性與生物相容性,又通過低溫固化(室溫24小時(shí))顯著降低了芯片偏移的風(fēng)險(xiǎn)。壓縮成型過程中,特氟龍環(huán)的引入巧妙解決了基板尺寸控制的問題——通過調(diào)整環(huán)的高度與形狀,可精確控制重構(gòu)基板的厚度與邊緣輪廓,這對(duì)后續(xù)多層金屬化的堆疊至關(guān)重要。實(shí)踐數(shù)據(jù)顯示,通過優(yōu)化PDMS的固化參數(shù)與壓縮壓力,芯片偏移可控制在6μm以內(nèi),這一水平已能滿足大多數(shù)FHE應(yīng)用的需求。

應(yīng)力緩沖層的沉積是解決柔性基板與剛性金屬互連矛盾的關(guān)鍵。PDMS表面因臨時(shí)膠黏劑剝離產(chǎn)生的粗糙度,若直接進(jìn)行光刻,易導(dǎo)致光刻膠開裂。通過化學(xué)氣相沉積(CVD)保形涂覆聚氯代對(duì)二甲苯(一種生物相容性聚合物),并在其上旋涂SU-8層,既實(shí)現(xiàn)了表面的平面化,又通過復(fù)合結(jié)構(gòu)的應(yīng)力緩沖作用,避免了金屬化層在柔性變形時(shí)的開裂。這一步驟的巧妙之處在于,它并未試圖“消除”柔性基板的特性,而是通過材料與結(jié)構(gòu)的協(xié)同設(shè)計(jì),讓剛性金屬互連“適應(yīng)”基板的柔性變形。

532f3496-6551-11f0-a6aa-92fbcf53809c.jpg

SU-8波紋結(jié)構(gòu)的引入,則是針對(duì)金屬導(dǎo)線在柔性基板上易彎曲問題的創(chuàng)新解決方案。當(dāng)PDMS從第二層載板剝離時(shí),其因粘附力產(chǎn)生的拉伸應(yīng)力會(huì)突然釋放,導(dǎo)致金屬導(dǎo)線承受壓縮應(yīng)力。傳統(tǒng)長(zhǎng)導(dǎo)線在此場(chǎng)景下易發(fā)生彎曲甚至斷裂,而通過將長(zhǎng)導(dǎo)線分解為垂直波紋的短段,有效縮短了導(dǎo)線的有效長(zhǎng)度,將臨界彎曲應(yīng)力提升了數(shù)倍。實(shí)驗(yàn)表明,這種波紋結(jié)構(gòu)可使彎曲振幅降低5倍,顯著提高了導(dǎo)線的機(jī)械可靠性。這一設(shè)計(jì)思想,本質(zhì)上是通過“預(yù)變形”抵消后續(xù)應(yīng)力,體現(xiàn)了對(duì)材料力學(xué)特性的深刻理解。

RDL(再分布層)制造環(huán)節(jié),F(xiàn)lexTrate展現(xiàn)了其在高密度互連上的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。通過半加成電鍍(SAP)工藝,結(jié)合防反射層與基板感知掩模技術(shù),已實(shí)現(xiàn)40μm節(jié)距互連,并探索了10μm以下節(jié)距的可能性。兩層金屬化的設(shè)計(jì)(銅/鈦種子層+電鍍銅),配合SU-8介質(zhì)層通孔,為復(fù)雜系統(tǒng)(如集成AI引擎的傳感器陣列)提供了足夠的布線資源。值得注意的是,這種高密度互連并非單純追求線寬的縮小,而是通過工藝優(yōu)化(如電鍍參數(shù)調(diào)整、光刻膠選擇)在柔性基板上實(shí)現(xiàn)了傳統(tǒng)剛性封裝才具備的電氣性能。

鈍化與最終釋放步驟,則聚焦于FHE的長(zhǎng)期可靠性。聚氯代對(duì)二甲苯的CVD沉積不僅增強(qiáng)了基板的生物相容性(這對(duì)可穿戴設(shè)備至關(guān)重要),更通過其致密結(jié)構(gòu)阻擋了水分與腐蝕性離子的滲透。在此基礎(chǔ)上疊加氧化鋁或二氧化硅無(wú)機(jī)層,進(jìn)一步提升了防潮性能。最終釋放時(shí),通過精確控制熱釋膠帶的溫度(170℃),既保證了載板的順利剝離,又避免了高溫對(duì)已成型金屬互連的影響。

回顧整個(gè)工藝流程,F(xiàn)lexTrate的成功在于其對(duì)“柔性”與“高性能”矛盾的精準(zhǔn)把握。通過材料選擇(如PDMS的柔性與SU-8的剛性)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)(如波紋導(dǎo)線)、工藝創(chuàng)新(如細(xì)節(jié)距貼裝與應(yīng)力緩沖層),該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了在柔性基板上集成高密度、高性能異構(gòu)芯粒的目標(biāo)。對(duì)于FHE而言,這種工藝不僅提升了系統(tǒng)的集成度與柔韌性,更通過降低芯片間通信功耗(占系統(tǒng)總功耗的30%-40%),顯著優(yōu)化了SWaP參數(shù)。

FlexTrate的應(yīng)用


FlexTrate技術(shù)作為扇出晶圓級(jí)封裝在柔性電子領(lǐng)域的集大成者,其應(yīng)用場(chǎng)景的拓展正深刻改變著多個(gè)行業(yè)的技術(shù)邊界。從消費(fèi)級(jí)可穿戴設(shè)備到醫(yī)療植入物,從高密度顯示到環(huán)境監(jiān)測(cè),這項(xiàng)技術(shù)通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化,將"柔性"與"高性能"的矛盾轉(zhuǎn)化為協(xié)同優(yōu)勢(shì),其應(yīng)用實(shí)踐可歸納為五大方向,每個(gè)方向均體現(xiàn)了對(duì)傳統(tǒng)電子制造范式的突破。

在可折疊顯示領(lǐng)域,F(xiàn)lexTrate首次實(shí)現(xiàn)了毫米級(jí)彎曲半徑下的可靠運(yùn)行。通過將市售InGaN LED與自研硅芯片集成于0.5mm厚基板,七段式顯示屏在1mm半徑折疊1000次后仍保持零分層、零性能衰減。這一成就得益于40μm節(jié)距垂直波紋互連的機(jī)械強(qiáng)化設(shè)計(jì)——波紋結(jié)構(gòu)將金屬導(dǎo)線有效長(zhǎng)度縮短至微米級(jí),使臨界彎曲應(yīng)力提升5倍,即便在極端變形時(shí)也能避免導(dǎo)線斷裂。更值得注意的是,LED與硅芯片的異構(gòu)集成通過亞微米級(jí)對(duì)位精度實(shí)現(xiàn),這種精度在柔性基板上達(dá)成,標(biāo)志著封裝技術(shù)從"被動(dòng)適配"向"主動(dòng)設(shè)計(jì)"的轉(zhuǎn)型。

柔性無(wú)機(jī)uLED顯示器的突破則體現(xiàn)在材料與工藝的雙重創(chuàng)新。采用激光剝離(LLO)技術(shù)從藍(lán)寶石基板轉(zhuǎn)移GaN LED至FlexTrate基板,通過鎳鍍層緩沖應(yīng)力,實(shí)現(xiàn)99%良率的單步轉(zhuǎn)移。200PPI像素密度在5mm彎曲半徑下仍保持穩(wěn)定發(fā)光,證明該技術(shù)可同時(shí)滿足高分辨率與柔性的雙重需求。這一成果的意義不僅在于顯示性能的提升,更在于其構(gòu)建了"剝離-轉(zhuǎn)移-集成"的全流程解決方案,為未來全彩柔性顯示的大規(guī)模生產(chǎn)奠定了工藝基礎(chǔ)。

無(wú)線大腦植入系統(tǒng)的開發(fā)則凸顯了FlexTrate在生物電子領(lǐng)域的潛力。系統(tǒng)集成無(wú)線供電線圈、二極管、電容陣列與LED,通過40μm節(jié)距互連實(shí)現(xiàn)無(wú)焊料集成,總厚度僅535μm,直徑20mm。在10mm耦合距離下,15%的功率傳輸效率雖低于剛性植入物,但5mm彎曲半徑下的千次循環(huán)測(cè)試證明其可靠性,這為光遺傳學(xué)等需要長(zhǎng)期植入的醫(yī)療應(yīng)用提供了新選擇。值得注意的是,該系統(tǒng)的成功依賴于PDMS基板的生物相容性與應(yīng)力緩沖層的協(xié)同作用——聚氯代對(duì)二甲苯與SU-8的復(fù)合結(jié)構(gòu)既阻擋了體液侵蝕,又緩解了金屬互連的應(yīng)力集中。

個(gè)人環(huán)境監(jiān)測(cè)器的案例則展示了FlexTrate在傳感器集成方面的優(yōu)勢(shì)。通過將MEMS氣體傳感器與模數(shù)轉(zhuǎn)換器、藍(lán)牙模塊集成于同一基板,系統(tǒng)厚度控制在1mm以內(nèi),重量?jī)H5g。關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新在于聚合物保護(hù)層的引入,使傳感器良率從10%提升至90%,同時(shí)5V加熱器電壓下的300秒恢復(fù)時(shí)間與50秒響應(yīng)時(shí)間,驗(yàn)證了柔性基板對(duì)微熱管理的有效性。這種高度集成的系統(tǒng)設(shè)計(jì),本質(zhì)上是通過扇出工藝將分立元件轉(zhuǎn)化為"系統(tǒng)級(jí)芯片",為可穿戴設(shè)備的小型化提供了新范式。

最后,F(xiàn)lexsEMG多通道表面肌電系統(tǒng)的開發(fā),揭示了FlexTrate在醫(yī)療監(jiān)測(cè)領(lǐng)域的擴(kuò)展能力。20通道金包銅電極以12mm間距排布,通過40μm互連與處理芯片連接,系統(tǒng)總重5g,卻能采集與商用Ag/AgCl電極相當(dāng)?shù)男盘?hào)質(zhì)量。8通道評(píng)估肌肉參數(shù)的能力,結(jié)合無(wú)線傳輸設(shè)計(jì),使其在脊柱手術(shù)監(jiān)測(cè)等場(chǎng)景中具有替代傳統(tǒng)有線系統(tǒng)的潛力。這一應(yīng)用的突破點(diǎn)在于,通過垂直波紋互連與柔性基板的結(jié)合,解決了多電極陣列的信號(hào)完整性與機(jī)械柔性的矛盾。

縱觀這些應(yīng)用,F(xiàn)lexTrate的核心價(jià)值在于其構(gòu)建了"材料-工藝-設(shè)計(jì)"三位一體的創(chuàng)新體系:PDMS基板提供本質(zhì)柔性,垂直波紋互連解決機(jī)械可靠性,細(xì)節(jié)距集成提升系統(tǒng)密度,而生物相容性涂層則拓展了應(yīng)用邊界。

這種體系化的創(chuàng)新,不僅推動(dòng)了柔性電子從"概念驗(yàn)證"向"產(chǎn)品落地"的跨越,更預(yù)示著未來電子系統(tǒng)將更深度地融入人體與環(huán)境,實(shí)現(xiàn)真正的"人機(jī)物"三元共融。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    462

    文章

    53499

    瀏覽量

    458570
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5342

    瀏覽量

    131632
  • 封裝技術(shù)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    12

    文章

    594

    瀏覽量

    69142

原文標(biāo)題:采用扇出晶圓級(jí)封裝的柔性混合電子

文章出處:【微信號(hào):bdtdsj,微信公眾號(hào):中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    傳iPhone7采用扇出級(jí)封裝 PCB市場(chǎng)恐遭沖擊

    傳蘋果(Apple)決定在下一款iPhone上采用扇出級(jí)封裝(Fan-out WLP;FO
    發(fā)表于 05-06 09:05 ?2113次閱讀

    一文詳解扇出級(jí)封裝技術(shù)

    扇出級(jí)封裝技術(shù)采取在芯片尺寸以外的區(qū)域做I/O接點(diǎn)的布線設(shè)計(jì),提高I/O接點(diǎn)數(shù)量。采用RD
    發(fā)表于 09-25 09:38 ?3075次閱讀
    一文詳解<b class='flag-5'>扇出</b>型<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)

    級(jí)封裝的基本流程

    介紹了級(jí)封裝的基本流程。本篇文章將側(cè)重介紹不同級(jí)
    的頭像 發(fā)表于 11-08 09:20 ?1.1w次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>封裝</b>的基本流程

    什么是級(jí)扇出封裝技術(shù)

    級(jí)扇出封裝(FO-WLP)通過環(huán)氧樹脂模塑料(EMC)擴(kuò)展芯片有效面積,突破了扇入型封裝的I
    的頭像 發(fā)表于 06-05 16:25 ?1920次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>扇出</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)

    什么是級(jí)封裝?

    `級(jí)封裝(WLP)就是在其上已經(jīng)有某些電路微結(jié)構(gòu)(好比古董)的晶片(好比座墊)與另一塊經(jīng)腐蝕帶有空腔的晶片(好比玻璃罩)用化學(xué)鍵結(jié)合在一起。在這些電路微結(jié)構(gòu)體的上面就形成了一個(gè)帶有
    發(fā)表于 12-01 13:58

    級(jí)封裝的方法是什么?

    級(jí)封裝技術(shù)源自于倒裝芯片。級(jí)
    發(fā)表于 03-06 09:02

    用于扇出級(jí)封裝的銅電沉積

      隨著集成電路設(shè)計(jì)師將更復(fù)雜的功能嵌入更狹小的空間,異構(gòu)集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術(shù)的一種更為實(shí)用且經(jīng)濟(jì)的方式。作為異構(gòu)集成平臺(tái)之一,高密度扇出
    發(fā)表于 07-07 11:04

    iPhone7采用扇出級(jí)封裝技術(shù)是什么?

    傳蘋果在2016年秋天即將推出的新款智能型手機(jī)iPhone 7(暫訂)上,將搭載采用扇出級(jí)封裝
    發(fā)表于 05-06 17:59 ?5066次閱讀

    華天科技昆山廠級(jí)先進(jìn)封裝項(xiàng)目投產(chǎn)

    作為華天集團(tuán)級(jí)先進(jìn)封裝基地,華天昆山2008年6月落戶昆山開發(fā)區(qū),研發(fā)的
    的頭像 發(fā)表于 01-09 10:16 ?5379次閱讀

    FuzionSC提升扇出級(jí)封裝的工藝產(chǎn)量

    扇出級(jí)封裝最大的優(yōu)勢(shì),就是令具有成千上萬(wàn)I/O點(diǎn)的半導(dǎo)體器件,通過二到五微米間隔線實(shí)現(xiàn)無(wú)縫連接,使互連密度最大化,實(shí)現(xiàn)高帶寬數(shù)據(jù)傳輸,
    的頭像 發(fā)表于 03-23 14:02 ?2817次閱讀

    三星電子已加緊布局扇出型(FO)級(jí)封裝領(lǐng)域

    據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,三星電子已加緊布局扇出型(FO)級(jí)封裝領(lǐng)域,并計(jì)劃在日本設(shè)立相關(guān)生產(chǎn)線。
    的頭像 發(fā)表于 04-10 09:06 ?2756次閱讀

    激光解鍵合在扇出級(jí)封裝中的應(yīng)用

    來源;《半導(dǎo)體芯科技》雜志 作者:黃泰源、羅長(zhǎng)誠(chéng)、鐘興進(jìn),廣東鴻浩半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 摘要 扇出級(jí)封裝廣泛應(yīng)用于手機(jī)、車載等
    的頭像 發(fā)表于 04-28 17:44 ?2618次閱讀
    激光解鍵合在<b class='flag-5'>扇出</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>封裝</b>中的應(yīng)用

    扇出級(jí)封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)分析

    扇出級(jí)封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于能夠利用高密度布線制造工藝,形成功率損耗更低、功能性更強(qiáng)的芯片封裝
    發(fā)表于 10-25 15:16 ?1915次閱讀
    <b class='flag-5'>扇出</b>型<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)的優(yōu)勢(shì)分析

    一文看懂級(jí)封裝

    分為扇入型級(jí)芯片封裝(Fan-In WLCSP)和扇出
    的頭像 發(fā)表于 03-05 08:42 ?3344次閱讀
    一文看懂<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>封裝</b>

    詳解不同級(jí)封裝的工藝流程

    在本系列第七篇文章中,介紹了級(jí)封裝的基本流程。本篇文章將側(cè)重介紹不同
    的頭像 發(fā)表于 08-21 15:10 ?4110次閱讀
    詳解不同<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>封裝</b>的工藝流程