光阻去除（即去膠工藝）屬于半導體制造中的光刻制程環(huán)節(jié)，是光刻技術流程中不可或缺的關鍵步驟。以下是其在整個制程中的定位和作用：

1. 在光刻工藝鏈中的位置

典型光刻流程為：
涂膠 → 軟烘 → 曝光 → 硬烘 → 顯影 → 后烘 → 光阻去除

• 核心目的：清除完成圖案轉(zhuǎn)移后剩余的光刻膠層，暴露出需要進一步加工（如蝕刻、離子注入或金屬沉積）的芯片區(qū)域。
• 承上啟下作用：連接前期的光刻圖案化與后續(xù)的材料改性/沉積工序，確保精細結(jié)構(gòu)的準確傳遞。

2. 所屬技術節(jié)點分類

根據(jù)應用場景的不同層級可分為：

3. 跨領域延伸應用

該工藝不僅局限于傳統(tǒng)半導體行業(yè)，還拓展至：
微機電系統(tǒng)（MEMS）：釋放可動部件時需完全去除支撐用的光刻膠模板；
光子學器件：波導芯區(qū)加工后必須徹底清潔以保證光傳輸效率；
量子計算芯片：超導材料沉積前的基底預處理依賴精準去膠技術。

4. 工藝演進趨勢

隨著先進制程的發(fā)展，光阻去除技術呈現(xiàn)三大方向：

智能化升級

集成AI算法實時監(jiān)控去膠速率與形貌演變（如應用材料公司的Enlight光學檢測系統(tǒng)）；

自適應調(diào)節(jié)化學試劑配比以應對不同厚度的光刻膠堆疊結(jié)構(gòu)。

環(huán)保轉(zhuǎn)型

開發(fā)水性無VOC溶劑替代傳統(tǒng)有機溶液（例如基于超臨界CO?流體的新型去膠方案）；

回收再利用含貴金屬催化劑的反應廢液降低處置成本。

原子級控制

結(jié)合原子層沉積（ALD）實現(xiàn)保形去除，用于GAA晶體管納米片結(jié)構(gòu)的精密釋放；

低溫等離子體活化輔助分解頑固性光刻膠殘留物。

5. 工藝重要性量化指標

光阻去除作為光刻工藝的“收官之作”，其工藝窗口直接影響最終器件的性能與可靠性。在7nm以下先進節(jié)點中，該步驟的時間占比已從傳統(tǒng)的5%提升至12%，成為制約良率提升的關鍵瓶頸之一。未來通過多物理場耦合建模與智能閉環(huán)控制，有望實現(xiàn)亞埃米級的精準去膠控制。