chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

介紹 SiC 新功率元器件

ROHM視頻 ? 作者:工程師余飛宇 ? 2018-06-26 17:56 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 元器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    113

    文章

    4938

    瀏覽量

    98107
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3469

    瀏覽量

    67985
  • Rohm
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    397

    瀏覽量

    67603
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件功率模塊規(guī)格書深度解析與應(yīng)用指南

    傾佳電子碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件功率模塊規(guī)格書深度解析與應(yīng)用指南 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中
    的頭像 發(fā)表于 11-24 09:00 ?271次閱讀
    碳化硅 (<b class='flag-5'>SiC</b>) MOSFET 分立<b class='flag-5'>器件</b>與<b class='flag-5'>功率</b>模塊規(guī)格書深度解析與應(yīng)用指南

    數(shù)明半導(dǎo)體SiC功率器件驅(qū)動(dòng)器系列介紹

    在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下,SiC(碳化硅)功率器件憑借高頻、高效、耐高溫的核心優(yōu)勢(shì),在新能源汽車、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)變頻等高端領(lǐng)域加速替代傳統(tǒng)硅基器件,不僅提升了系統(tǒng)的
    的頭像 發(fā)表于 10-21 16:49 ?950次閱讀

    BASiC_SiC分立器件產(chǎn)品介紹

    BASiC_SiC分立器件產(chǎn)品介紹
    發(fā)表于 09-01 16:16 ?0次下載

    深愛半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

    深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊 IPM(Intelligent Power Module,智能功率模塊) 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可
    發(fā)表于 07-23 14:36

    常用電子元器件介紹

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《常用電子元器件介紹.pptx》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 06-24 16:54 ?40次下載

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑

    在Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來了替代其市場(chǎng)份額的重大機(jī)遇。
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:43 ?675次閱讀

    功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例

    隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率
    的頭像 發(fā)表于 06-03 15:43 ?956次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以<b class='flag-5'>SiC</b>與IGBT為例

    元器件及單元電路介紹-610頁

    元器件及單元電路介紹放大電路基礎(chǔ),電源電路,正弦波振蕩電路,調(diào)制與解調(diào)電路,混頻電路與變頻電路,集成運(yùn)算放大電路,數(shù)字集成電路等。 純分享貼,有需要可以直接下載附件獲取完整資料! (如果內(nèi)容有幫助可以關(guān)注、點(diǎn)贊、評(píng)論支持一下哦~)
    發(fā)表于 05-19 15:41

    GaN與SiC功率器件深度解析

    本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。基于對(duì)市售GaN與SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-15 15:28 ?1476次閱讀
    GaN與<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>深度解析

    全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起

    功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基
    的頭像 發(fā)表于 03-13 00:27 ?670次閱讀

    基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開關(guān)器件綜述

    拿到一個(gè)ST的宣傳材料,該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過渡到全SiC的中間方案,也找了文章了解了一下原理。資料有限,標(biāo)題的問題沒
    的頭像 發(fā)表于 03-01 14:37 ?1965次閱讀
    基于Si IGBT/<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET的混合開關(guān)<b class='flag-5'>器件</b>綜述

    SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法介紹

    碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。
    的頭像 發(fā)表于 02-05 14:34 ?1423次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>雙脈沖測(cè)試方法<b class='flag-5'>介紹</b>

    SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

    BASiC國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
    發(fā)表于 01-16 14:32 ?2次下載

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件功率端子

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率
    的頭像 發(fā)表于 01-06 17:05 ?1213次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>功率</b>端子

    SiC功率器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

    SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)日益
    的頭像 發(fā)表于 12-05 15:07 ?1832次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)