測(cè)量FMD芯片（假設(shè)為充電管理或電源管理芯片）的好壞需要結(jié)合硬件檢測(cè)、功能測(cè)試和協(xié)議驗(yàn)證。以下是具體方法，分步驟說(shuō)明：

1. 目測(cè)檢查

物理?yè)p壞
觀察芯片表面是否有燒焦、裂紋、鼓包或焊點(diǎn)脫落（尤其是輸入/輸出引腳）。

外圍元件檢查
檢查與芯片連接的電容、電阻、電感是否損壞（如電容漏液、電感燒毀）。

2. 基本電壓測(cè)試

輸入電壓檢測(cè)
用萬(wàn)用表測(cè)量芯片輸入引腳（如VIN）電壓是否正常（例如：220V AC整流后的300V DC，或12V DC輸入）。

輸出電壓檢測(cè)
測(cè)試芯片輸出端（如VOUT）是否有目標(biāo)電壓（如5V/9V/12V）。若輸出電壓為0或波動(dòng)異常，芯片可能損壞。

基準(zhǔn)電壓（VREF）
部分芯片有基準(zhǔn)電壓引腳（如1.2V/2.5V），若偏離正常值，說(shuō)明內(nèi)部電路故障。

3. 協(xié)議握手驗(yàn)證

快充協(xié)議觸發(fā)測(cè)試
使用USB協(xié)議測(cè)試儀（如Power-Z KT002）連接充電器，檢測(cè)是否能正確觸發(fā)PD、QC等協(xié)議，并輸出協(xié)議標(biāo)稱的電壓/電流（如20V/5A）。

負(fù)載能力測(cè)試
接入電子負(fù)載儀，逐步增加電流，觀察輸出電壓是否穩(wěn)定（如標(biāo)稱20V/5A時(shí)，電壓跌落不超過(guò)5%）。

4. 發(fā)熱與保護(hù)機(jī)制測(cè)試

溫度檢測(cè)
在空載和滿載狀態(tài)下，用紅外測(cè)溫槍測(cè)量芯片溫度。異常高溫（如超過(guò)85°C）可能表明內(nèi)部短路或效率低下。

保護(hù)功能觸發(fā)
人為制造過(guò)壓、過(guò)流或短路，測(cè)試芯片是否觸發(fā)保護(hù)（如自動(dòng)切斷輸出，并在故障解除后恢復(fù)）。

5. 動(dòng)態(tài)波形分析（專業(yè)設(shè)備）

示波器檢測(cè)
觀察芯片關(guān)鍵引腳波形（如PWM控制信號(hào)、同步整流信號(hào)）：

若PWM占空比異常或無(wú)信號(hào)，可能是芯片內(nèi)部控制器失效。

同步整流波形混亂可能導(dǎo)致效率下降。

開關(guān)頻率驗(yàn)證
高頻開關(guān)芯片（如GaN器件）需驗(yàn)證開關(guān)頻率是否正常（例如65kHz或MHz級(jí)）。

6. 替代法與對(duì)比測(cè)試

替換芯片
若外圍電路正常，可更換同型號(hào)芯片驗(yàn)證是否恢復(fù)功能。

對(duì)比參數(shù)
將疑似故障芯片與正常芯片對(duì)比測(cè)量引腳電阻（斷電狀態(tài)）或電壓（通電狀態(tài)）。

7. 常見故障現(xiàn)象

完全無(wú)輸出：芯片供電異?；騼?nèi)部短路。

輸出電壓不穩(wěn)：反饋環(huán)路損壞（如FB引腳外圍電阻失效）。

無(wú)法觸發(fā)快充：協(xié)議通信模塊故障（如CC1/CC2引腳損壞）。

異常發(fā)熱：內(nèi)部MOS管擊穿或驅(qū)動(dòng)電路失效。

注意事項(xiàng)

安全操作：高壓測(cè)試時(shí)斷電操作，避免觸電。

防靜電措施：芯片敏感，需佩戴防靜電手環(huán)。

外圍電路排除：先確認(rèn)外圍元件（如電容、電感、二極管）正常，避免誤判芯片問(wèn)題。

通過(guò)以上步驟，可系統(tǒng)性判斷FMD芯片是否損壞。若缺乏專業(yè)設(shè)備，優(yōu)先通過(guò)輸出電壓、協(xié)議握手和溫度檢測(cè)進(jìn)行初步診斷，復(fù)雜故障建議交由專業(yè)維修人員處理。

審核編輯 黃宇