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Texas Instruments UCC44273單通道柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

科技觀察員 ? 2025-08-11 14:49 ? 次閱讀
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Texas Instruments UCC44273單通道柵極驅(qū)動(dòng)器是一款高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng)MOSFETIGBT功率開關(guān)。該驅(qū)動(dòng)器在12VDD 下提供4A源和4A匯(對稱驅(qū)動(dòng))峰值驅(qū)動(dòng)電流能力。UCC44273柵極驅(qū)動(dòng)器可以向電容負(fù)載提供和吸收高峰值電流脈沖,從而提供軌到軌驅(qū)動(dòng)能力和13ns的小傳播延遲。該單通道柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓范圍為4.5V至18V,工作溫度范圍為-40°C至140°C。UCC44273驅(qū)動(dòng)器非常適合功率因數(shù)校正(PFC)級、住宅空調(diào)(HVAC)、開關(guān)模式電源(SMPS)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments UCC44273單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

  • 4A峰值源灌對稱驅(qū)動(dòng)器
  • 能夠在輸入端處理負(fù)電壓 (-5V)
  • 快速傳播延遲:13ns(典型值)
  • 快速上升和下降時(shí)間(9ns和7ns典型值)
  • 4.5V至18V單電源范圍
  • 工作溫度范圍:-40°C至+140°C
  • 磁滯邏輯閾值,實(shí)現(xiàn)高抗噪性
  • 在VDD UVLO期間,輸出保持低電平(確保加電和斷電時(shí)無干擾運(yùn)行)
  • TTL和CMOS兼容輸入邏輯閾值(與電源電壓無關(guān))
  • 當(dāng)輸入引腳懸空時(shí)輸出保持低電平
  • 輸入引腳絕對最大電壓電平不受 VDD 引腳偏置電源電壓的限制
  • 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳排列
  • 5引腳DBV(SOT-23)封裝選項(xiàng)

典型應(yīng)用圖

1.png

Texas Instruments UCC44273單通道柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

一、產(chǎn)品核心特性

UCC44273是德州儀器(TI)推出的工業(yè)級單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,具有以下突出特性:

?驅(qū)動(dòng)性能?:

  • 對稱驅(qū)動(dòng)能力:4A峰值源電流/4A峰值灌電流
  • 超快開關(guān)特性:
    • 典型傳播延遲:13ns
    • 典型上升時(shí)間:9ns@12V
    • 典型下降時(shí)間:7ns@12V
  • 寬供電范圍:4.5V至18V單電源
  • 支持-5V負(fù)壓輸入容限

?保護(hù)特性?:

  • 集成VDD欠壓鎖定(UVLO)保護(hù)
    • 啟動(dòng)閾值4.2V(典型值)
    • 300mV典型滯回電壓
  • 輸入懸空時(shí)自動(dòng)拉低輸出
  • 工作結(jié)溫范圍-40°C至140°C

?邏輯兼容性?:

  • TTL/CMOS兼容輸入閾值
    • 高電平閾值2.2V(典型)
    • 低電平閾值1.2V(典型)
    • 1V寬滯回電壓增強(qiáng)抗噪能力
  • 輸入電壓不受VDD偏置電壓限制

二、關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新

1. 混合輸出級架構(gòu)

  • ?并聯(lián)MOSFET結(jié)構(gòu)?:采用P溝道與N溝道MOSFET并聯(lián)設(shè)計(jì)
    • 導(dǎo)通瞬間激活N-MOSFET提供瞬時(shí)大電流(米勒平臺區(qū))
    • 穩(wěn)態(tài)時(shí)由P-MOSFET維持導(dǎo)通狀態(tài)
  • ?有效阻抗優(yōu)化?:
    • 下拉電阻(ROL):0.5Ω(典型值@12V)
    • 上拉等效電阻:1.4×ROL(約0.7Ω)

2. 增強(qiáng)型保護(hù)機(jī)制

  • ?三級電源監(jiān)控系統(tǒng)?:
    • VDD UVLO閾值:4.2V(典型值)
    • 輸入負(fù)壓鉗位:-5V容限
    • 輸出級有源下拉:UVLO時(shí)鎖定輸出低電平
  • ?故障安全設(shè)計(jì)?:
    • 輸入開路保護(hù):內(nèi)部230kΩ下拉電阻
    • 輸出互鎖防穿通:死區(qū)時(shí)間<5ns

三、典型應(yīng)用設(shè)計(jì)

1. 開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)方案

?關(guān)鍵參數(shù)配置?:

  • 柵極電阻選擇:
    • Rg=2.2Ω(實(shí)現(xiàn)約2.4A峰值電流)
    • 無外部關(guān)斷電阻(Rg_off=0Ω)
  • 自舉電路設(shè)計(jì)
    • 推薦100nF+1μF并聯(lián)去耦電容
    • 緊貼VDD引腳布局(距離<3mm)

2. PCB布局規(guī)范

模塊設(shè)計(jì)要求參數(shù)指標(biāo)
功率回路回路面積≤5mm22oz銅厚
柵極走線長度≤25mm避免90°拐角
熱設(shè)計(jì)使用4×0.3mm過孔陣列散熱θJA=197.9°C/W

四、性能參數(shù)詳解

1. 電氣特性(12V供電典型值)

  • ?靜態(tài)電流?:
    • 關(guān)斷模式:40μA
    • 工作模式:1mA(無負(fù)載)
  • ?開關(guān)特性?:
    • 輸入到輸出延遲:13ns
    • 上升時(shí)間:9ns(1.8nF負(fù)載)
    • 下降時(shí)間:7ns(1.8nF負(fù)載)

2. 熱性能參數(shù)

參數(shù)值(DBV封裝)單位
結(jié)到環(huán)境熱阻(θJA)197.9°C/W
結(jié)到板熱阻(θJB)92.6°C/W
結(jié)到頂部特征參數(shù)(ψJT)70.8°C/W

五、應(yīng)用場景推薦

1. 工業(yè)電源系統(tǒng)

2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

3. 寬禁帶器件驅(qū)動(dòng)

  • GaN功率開關(guān)驅(qū)動(dòng)
  • SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)
  • 低壓大電流應(yīng)用場景
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