ISOM8110DFGEVM光耦模擬器評估模塊技術解析
Texas Instruments ISOM8110DFGEVM評估模塊評估ISOM8110單通道光電仿真器，具有模擬晶體管輸出，采用4引腳DFG SOIC封裝。 此模塊具有適用于光電晶體管光電耦合器的直接升級和引腳兼容，各種溫度條件下穩(wěn)定的CTR性能，并提供用于基本修改的無源器件和封裝。
數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments ISOM8110DFGEVM 驅(qū)動評估模塊用戶指南.pdf
特性
- 適用于光電晶體管光電耦合器的直接升級和引腳兼容
- 多個測試點和連接接頭可實現(xiàn)快速器件評估
- 1通道二極管仿真器輸入
- 包括無源元件和焊盤，用于基本修改
- 最大集電極－發(fā)射極電壓：80VCEO
- 在寬溫度范圍內(nèi)具有穩(wěn)定的CTR性能
- 用于基本修改的無源器件和封裝
原理圖
ISOM8110DFGEVM光耦模擬器評估模塊技術解析
一、產(chǎn)品核心特性
ISOM8110DFGEVM是德州儀器(TI)推出的單通道光耦模擬器評估模塊，具有以下突出特性：
?性能優(yōu)勢?：
- 帶寬高達1MHz，關斷延遲<100ns
- 電流傳輸比(CTR)：100%-155%(IF=5mA, VCE=5V)
- 集電極-發(fā)射極電壓VCEO最高達80V
- 工作溫度范圍：-40°C至125°C
?技術創(chuàng)新?：
- 采用硅氧化物(SiO2)隔離屏障技術
- 消除傳統(tǒng)光耦老化效應和溫度漂移
- 輸入二極管模擬器功耗降低30%
?封裝與兼容性?：
- 4引腳DFG SOIC封裝
- 引腳兼容主流光電晶體管輸出型光耦
- 評估板尺寸：76.2mm×63.5mm
二、評估模塊硬件設計
1. 電路架構
2. 關鍵接口說明
| 接口 | 類型 | 功能描述 |
|---|---|---|
| J1 | 端子臺 | 陽極/陰極輸入 |
| J2 | 排針 | 集電極輸出 |
| J5 | 排母 | 電源/地連接 |
| J6 | 端子臺 | 完整引腳引出 |
3. 典型測試配置
三、應用方案詳解
1. 工業(yè)控制系統(tǒng)
- ?PLC數(shù)字輸入隔離?：
- 配置為低邊輸出(J4短接)
- R1調(diào)整為2.2kΩ(IF≈2mA)
- 增加C2=100pF改善噪聲抑制
2. 汽車電子系統(tǒng)
- ? 電池管理系統(tǒng)(BMS) ?：
- 采用高邊輸出配置(J3短接)
- 工作電壓12V/24V兼容
- 通過AEC-Q100認證
- ?布局建議?：
- 輸入/輸出地平面分離
- 隔離帶下方避免走線
- 高壓側保持3mm爬電距離
四、性能測試數(shù)據(jù)
1. 時序特性
| 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 傳輸延遲 | IF=5mA, RL=1kΩ | - | 0.8 | 1.2 | μs |
| 上升時間 | VCC=5V, CL=15pF | - | 0.3 | 0.5 | μs |
| 帶寬 | VCE=5V | - | 1.0 | - | MHz |
2. 可靠性參數(shù)
五、設計資源
1. PCB布局指南
- 頂層布局(圖3-2)：
- 輸入電路居左
- 隔離屏障居中
- 輸出電路居右
- 底層布局(圖3-3)：
- 完整地平面
- 隔離區(qū)域開槽
2. BOM關鍵器件
| 位號 | 型號 | 規(guī)格 | 數(shù)量 |
|---|---|---|---|
| Q1 | ISOM8110DFG | 光耦模擬器 | 1 |
| R1 | ERJ-6ENF1001V | 1kΩ 1% | 1 |
| C3 | C1608X5R1H105K | 1μF 50V | 1 |
該評估模塊通過創(chuàng)新的光耦模擬技術，為工程師提供了傳統(tǒng)光耦升級換代的理想解決方案。其優(yōu)異的時序性能和汽車級可靠性，使其特別適合工業(yè)自動化和汽車電子領域的隔離應用需求。
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