只有正電源電壓的應(yīng)用通常需要在模數(shù)轉(zhuǎn)換器 （ADC） 輸入范圍的中間提供額外的穩(wěn)定電壓，以偏置輸入雙極性信號。REF20xx 提供參考電壓 （V 裁判 ）和第二個高精度電壓（V 偏見 ）可用于對輸入雙極性信號進行偏置。

REF20xx 在 V 上均具有出色的溫度漂移（最大值 8 ppm/°C）和初始精度 （0.05%）裁判和 V偏見輸出時，靜態(tài)電流小于430 μA。此外，V裁判和 V偏見輸出在 –40°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)以 6 ppm/°C（最大值）的精度相互跟蹤。 與分立式解決方案相比，所有這些特性都提高了信號鏈的精度并減少了電路板空間，同時降低了系統(tǒng)成本。僅 10 mV 的極低壓差允許在非常低的輸入電壓下工作，這在電池供電系統(tǒng)中非常有用。
*附件：ref2041.pdf

兩個 V裁判和 V偏見電壓具有相同的出色規(guī)格，并且可以同樣很好地吸收和提供電流。非常好的長期穩(wěn)定性和低噪聲水平使這些器件非常適合高精度工業(yè)應(yīng)用。

特性

• 兩個輸出，V裁判和 V 裁判 / 2、方便在單電源系統(tǒng)中使用
• 優(yōu)異的溫漂性能：
  • 8 ppm/°C（最大值），–40°C 至 125°C
• 初始精度高：±0.05%（最大值）
• V裁判和 V偏見跟蹤過溫：
  • –40°C 至 85°C 范圍內(nèi)為 6 ppm/°C（最大值）
  • 7 ppm/°C（最大值），–40°C 至 125°C
• 微型封裝：SOT23-5
• 低壓差電壓：10 mV
• 高輸出電流：±20 mA
• 低靜態(tài)電流：360 μA
• 線路調(diào)節(jié)：3 ppm/V
• 負載調(diào)節(jié)：8 ppm/mA
• 啞光鋤版本 （REF2025AISDDCR） 可提高 Battelle III 級和類似惡劣環(huán)境中的耐腐蝕性

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
REF20xx是德州儀器（TI）推出的低漂移、低功耗雙輸出（VREF和VBIAS）電壓參考芯片系列，包含REF2025（2.5V）、REF2030（3.0V）、REF2033（3.3V）和REF2041（4.096V）四款型號。其核心特性包括：

• ?雙輸出設(shè)計?：提供主參考電壓VREF及半值偏置電壓VBIAS（VREF/2），適用于單電源系統(tǒng)。
• ?高精度?：初始精度±0.05%（最大值），溫度漂移低至8 ppm/°C（-40°C至125°C）。
• ?低功耗?：靜態(tài)電流僅360 μA，關(guān)斷模式下降至5 μA。
• ?微型封裝?：SOT23-5封裝，節(jié)省空間。

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?溫度穩(wěn)定性?：VREF與VBIAS輸出在-40°C至125°C范圍內(nèi)跟蹤精度達7 ppm/°C（最大值）。
• ?負載能力?：支持±20 mA輸出電流，短路電流限制為50 mA。
• ?低噪聲?：0.1 Hz至10 Hz頻段噪聲密度為12 μVpp。
• ?長期穩(wěn)定性?：1000小時老化漂移典型值為25 ppm。

?3. 應(yīng)用場景?

• 電表、模擬輸入/輸出模塊
• 伺服驅(qū)動控制、斷路器（ACB/MCCB）
• 醫(yī)療設(shè)備（如臨床數(shù)字溫度計）
• 電池測試及工業(yè)儀器

?4. 功能框圖與原理?
芯片內(nèi)部采用帶隙基準(zhǔn)源結(jié)構(gòu)，通過e-Trim?技術(shù)實現(xiàn)封裝級微調(diào)，確保初始精度和溫度系數(shù)優(yōu)化。VREF和VBIAS由同一基準(zhǔn)源生成，通過精密電阻分壓實現(xiàn)VBIAS = VREF/2的嚴格匹配。

?5. 電氣參數(shù)?

• ?輸入電壓范圍?：VREF + 0.02V至5.5V
• ?壓差電壓?：10 mV（典型值，20 mA負載）
• ?線性/負載調(diào)整率?：3 ppm/V和8 ppm/mA（典型值）

?6. 典型應(yīng)用電路?
文檔提供了低邊雙向電流檢測方案示例，結(jié)合INA213電流檢測放大器，利用REF2030的3.0V（VREF）和1.5V（VBIAS）輸出實現(xiàn)±2.5A電流檢測，輸出范圍250 mV至2.75V。

?7. 封裝與可靠性?

• ?封裝信息?：SOT23-5（DDC），尺寸2.9 mm × 1.6 mm
• ?環(huán)境適應(yīng)性?：支持-40°C至125°C工業(yè)溫度范圍，Matte-Sn版本（REF2025AISDDCR）增強腐蝕環(huán)境耐受性。

?8. 設(shè)計建議?

• ?布局優(yōu)化?：建議使用0.1 μF陶瓷電容就近旁路VIN/VREF/VBIAS引腳，縮短敏感模擬走線。
• ?熱管理?：需注意負載電流下的結(jié)溫計算（RθJA=193.6°C/W）。

?9. 修訂歷史?
文檔版本SBOS600E（2022年2月修訂）更新了ESD等級、長期穩(wěn)定性數(shù)據(jù)及腐蝕環(huán)境應(yīng)用說明。

?附件說明?
當(dāng)前附件為REF20xx完整數(shù)據(jù)手冊，涵蓋特性、參數(shù)、應(yīng)用電路及封裝細節(jié)，未提供網(wǎng)頁搜索結(jié)果或歷史附件補充信息。