?1. 核心特性?

• ?完全浮置設(shè)計(jì)?：無需電源或接地連接，各模塊通過介質(zhì)隔離實(shí)現(xiàn)電氣獨(dú)立。
• ?高精度輸出?：提供兩路100 μA電流源（精度±0.5%）及一個電流鏡像模塊，支持50 μA至400 μA多檔配置。
• ?寬電壓兼容范圍?：2.5 V至40 V工作電壓，溫度系數(shù)低至±25 ppm/°C。
• ?封裝與尺寸?：SOIC-8封裝，尺寸3.91 mm × 4.90 mm。

?2. 關(guān)鍵應(yīng)用場景?

• 傳感器激勵、偏置電路設(shè)計(jì)
• 電流環(huán)偏移補(bǔ)償、低壓基準(zhǔn)源
• 電荷泵電路、混合微電路

?3. 功能模塊詳解?

• ?電流源/接收器?：兩路獨(dú)立100 μA源，可并聯(lián)實(shí)現(xiàn)更高電流（如200 μA、400 μA）。
• ?電流鏡像?：增益0.995–1.005，支持0–250 μA線性范圍，帶寬5 MHz。
• ?保護(hù)機(jī)制?：反向電壓耐受6 V/350 μA，建議添加二極管保護(hù)（如1N4148）。

?4. 典型電路設(shè)計(jì)?

• ?RTD溫度測量?：3線制RTD配100 μA激勵，通過INA326放大器實(shí)現(xiàn)電阻-電壓轉(zhuǎn)換（圖11）。
• ?可調(diào)電流源?：結(jié)合運(yùn)放（如OPA602）擴(kuò)展輸出至1 nA–1 mA（圖25）。
• ?波形生成?：三角波/方波發(fā)生器（圖27）、精密占空比調(diào)制器（圖28）。

?5. 性能參數(shù)?

• ?電流源?：輸出阻抗20 MΩ（典型），噪聲0.1–10 Hz帶寬下100 nA峰峰值。
• ?鏡像模塊?：非線性度±0.05%，輸入電壓1.4 V（典型）。

?6. 布局與散熱建議?

• 縮短敏感信號走線，避免數(shù)字/模擬交叉。
• 采用實(shí)心接地層降低EMI（圖42）。

?7. 文檔支持?

• 關(guān)聯(lián)設(shè)計(jì)指南：RTD至電壓參考設(shè)計(jì)（TIDU969）、電流源應(yīng)用手冊（SBOA046）。

*附件：ref200.pdf