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LMQ644A2QEVM評估板技術解析與應用指南

科技觀察員 ? 2025-08-21 14:36 ? 次閱讀
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Texas Instruments LMQ644A2QEVM評估板設計用于評估帶有集成功率MOSFET的LMQ644A2-Q1雙路降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。該評估板是一款單輸出、雙相、同步降壓轉(zhuǎn)換器板,可提供 12A的輸出電流。輸出電壓可以單獨編程為3.3V和5V固定電壓,也可以使用外部反饋電阻進行調(diào)節(jié)。 LMQ644A2QEVM板支持高達36V的輸入浪涌電壓和低至3V的驟降電壓。該器件的開關頻率可通過RT引腳從100kHz調(diào)整到2.2MHz,也可與外部時鐘同步,以消除跳頻。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments LMQ644A2QEVM 評估板數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

  • 12A輸出雙相交錯同步降壓轉(zhuǎn)換器
  • 寬工作電壓范圍:6 V至36 V
  • 輸出電壓:3.3 V和5 V
  • 2.1MHz默認開關頻率
  • 每個通道的額定功率為6A
  • 負載電流范圍廣,效率高
  • 輸入EMI濾波器,帶用于并聯(lián)阻尼的電解電容(輸入濾波器可處理高達8A的輸入電流)
  • 時鐘同步和FPWM模式可在整個負載范圍內(nèi)提供恒定的開關頻率
  • 集成輸入電容器可實現(xiàn)低噪聲開關性能
  • 引腳可選擴頻
  • 帶外部環(huán)路補償?shù)姆逯惦娏髂J娇刂萍軜?/li>
  • 帶斷續(xù)模式過流保護的峰值電流限制功能
  • 帶遲滯的熱關斷保護
  • PGOOD指示器
  • 編程輸入UVLO
  • 6層2盎司PC板設計

EVM測試設置

1.png

LMQ644A2QEVM評估板技術解析與應用指南

一、評估板概述

LMQ644A2QEVM-S2100是針對LMQ644A2-Q1雙路降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器的評估模塊,該器件屬于TI的LM(Q)644xx(-Q1)系列降壓轉(zhuǎn)換器家族。該評估板采用雙相交錯配置,提供單路12A輸出,主要特性包括:

  • ?寬輸入電壓范圍?:3V至36V(支持36V浪涌電壓)
  • ?輸出配置?:默認3.3V輸出(可調(diào)至5V或通過外部電阻設置)
  • ?高頻開關?:默認2.1MHz開關頻率(可調(diào)范圍100kHz-2.2MHz)
  • ?工作模式?:支持FPWM強制PWM和AUTO自動模式切換
  • ?EMI優(yōu)化設計?:集成輸入旁路電容、擴頻調(diào)制技術

二、核心器件特性

1. LMQ644A2-Q1主要參數(shù)

  • ?輸出電流?:6A/通道(雙相合計12A)
  • ?封裝?:增強型QFN-25(5.0mm×4.0mm)
  • ?控制架構?:峰值電流模式控制,支持外部環(huán)路補償
  • ?保護功能?:
    • 打嗝模式過流保護
    • 帶滯回的熱關斷保護
    • 可編程輸入欠壓鎖定(UVLO)

2. 電氣性能指標

參數(shù)測試條件典型值
輸入電壓范圍工作范圍3-36V
輸出電流最大持續(xù)輸出12A
全載效率VIN=12V, IOUT=12A87%
開關頻率默認設置2.1MHz
輸出電壓精度3.3V輸出±3%

三、評估板硬件設計

1. 電源架構

  • ?輸入濾波?:兩級LC濾波設計(1μH電感+2.2μF陶瓷電容)
  • ?功率級?:雙相交錯拓撲,集成MOSFET驅(qū)動器
  • ?輸出濾波?:多相陶瓷電容陣列(22μF×4 + 47μF×2)

2. 關鍵電路設計

  • ?時鐘同步?:支持外部時鐘同步消除拍頻噪聲
  • ?擴頻調(diào)制?:通過跳線選擇啟用/禁用
  • ?模式選擇?:
    • FPWM模式:輕載時保持固定頻率
    • AUTO模式:輕載時自動切換為脈沖跳躍

3. PCB布局特點

  • ?6層板設計?:2oz銅厚所有層
  • ?熱管理?:
    • 大面積銅皮散熱
    • 關鍵元件布局考慮熱對稱性
  • ?信號完整性?:
    • 獨立電源層和地平面
    • 敏感模擬走線屏蔽保護

四、測試數(shù)據(jù)與性能曲線

1. 效率測試結果

  • ?FPWM模式?:
    • VIN=12V時峰值效率87%
    • 10mA輕載效率>50%
  • ?AUTO模式?:
    • 1A負載效率較FPWM提升5-8%
    • 待機功耗優(yōu)化顯著

2. 熱性能表現(xiàn)

測試條件最高溫度點
VIN=12V, IOUT=12A88°C(電感)
VIN=24V, IOUT=10A92°C(MOSFET)
85°C環(huán)境溫度芯片結溫<110°C

3. EMI測試結果

  • ?傳導發(fā)射?:滿足CISPR 25 Class 5限值
  • ?輻射發(fā)射?:
    • 30-200MHz頻段余量>6dB
    • 開關諧波通過擴頻技術有效抑制

五、典型應用場景

  1. ?汽車電子系統(tǒng)?:
    • 信息娛樂系統(tǒng)電源
    • ADAS模塊供電
  2. ?工業(yè)設備?:
  3. ?通信基礎設施?:
    • 基站射頻單元供電
    • 網(wǎng)絡交換設備電源
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