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TPS53832A DDR5內(nèi)存電源管理IC技術(shù)解析

科技觀察員 ? 2025-08-27 11:24 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPS53832A低電流PMIC提供用于DDR5 DIMM上電源的D-CAP+?模式。TPS53832A提供VDD、VDDQ和VPP電源給具有可配置電流能力的DIMM模塊上的DRAM芯片。 該器件的大電流軌可以配置為2相或兩個(gè)輸出。用D-CAP+模式控制提供高達(dá)7A(或3.5A + 3.5A)電流。轉(zhuǎn)換器還采用了內(nèi)部補(bǔ)償,以方便使用和減少外部組件。

數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Texas Instruments TPS53832A低電流PMIC數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

TI TPS53832A PMIC提供全套遙測(cè)功能,包括輸入電壓、輸出電壓和輸出電流。還提供過電壓、欠電壓、過電流限制和過熱保護(hù)。

TPS53832A采用熱增強(qiáng)型35引腳QFN封裝,工作在-40°C至+105°C溫度范圍內(nèi)。

特性

  • 支持DDR5應(yīng)用的單硅設(shè)計(jì)
  • 3個(gè)輸出提供VDD (1.1V)、VDDQ (1.1V) 和VPP (1.8V),以及可選的第4個(gè)輸出 (VDD2)
  • 對(duì)于3個(gè)輸出,VDD(SWA雙相) 為7A,VDDQ(SWC) 為3.5A,VPP(SWD) 為3.5A,具有3路輸出
  • 對(duì)于4個(gè)輸出,VDD1(SWA) 為3.5A,VDD2(SWB) 為3.5A,VDDQ(SWC) 為3.5A,VPP(SWD) 為3.5A
  • VDD、VDDQ和VPP的差分遠(yuǎn)程感測(cè)
  • D-CAP+?控制實(shí)現(xiàn)快速瞬時(shí)響應(yīng)
  • 寬輸入電壓范圍:4.5V至15V
  • 編程內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償
  • 每相逐周期電流限制
  • 可編程頻率:500kHz至1.375MHz
  • 支持I^2^C和I^3^C總線接口,用于電壓、電流、功率、溫度和故障條件的遙測(cè)
  • 過電流、過電壓和過熱保護(hù)
  • 永久性寄存器(黑盒)功能
  • 低靜態(tài)電流
  • 5mm x 5mm、35引腳、QFN PowerPad?封裝

簡(jiǎn)化應(yīng)用

1.png

TPS53832A DDR5內(nèi)存電源管理IC技術(shù)解析

一、產(chǎn)品核心特性

TPS53832A是德州儀器(TI)專為DDR5內(nèi)存模組(On-DIMM)設(shè)計(jì)的數(shù)字降壓轉(zhuǎn)換器,具有以下突出特點(diǎn):

?電源輸出能力?:

  • 支持3/4路輸出配置:
    • 3輸出模式:VDD(7A雙相)、VDDQ(3.5A)、VPP(3.5A)
    • 4輸出模式:VDD1(3.5A)、VDD2(3.5A)、VDDQ(3.5A)、VPP(3.5A)
  • 寬輸入電壓范圍:4.5V至15V
  • 輸出電壓精度:±1%基準(zhǔn)電壓

?控制架構(gòu)?:

  • 采用D-CAP+?自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間控制模式
  • 可編程開關(guān)頻率(500kHz-1.375MHz)
  • 集成內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)
  • 支持I2C/I3C總線接口實(shí)現(xiàn)遙測(cè)功能

二、關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新

1. 智能電源管理

  • ?差分遠(yuǎn)程檢測(cè)?:對(duì)VDD/VDDQ/VPP實(shí)現(xiàn)閉環(huán)電壓調(diào)節(jié)
  • ?相位電流平衡?:雙相架構(gòu)自動(dòng)均流控制
  • ?動(dòng)態(tài)響應(yīng)增強(qiáng)?:負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間<10μs

2. 全面保護(hù)機(jī)制

  • ?三級(jí)過流保護(hù)?:
    • 周期逐周期限制(硬件級(jí))
    • 平均值限制(固件級(jí))
    • 打嗝模式保護(hù)(系統(tǒng)級(jí))
  • ?故障記錄功能?:
    • 持久寄存器(黑匣子)記錄故障事件
    • 支持電壓/電流/溫度異常追溯

3. 汽車級(jí)可靠性

  • 符合AEC-Q100認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)
  • 工作溫度范圍-40°C至+105°C
  • 35引腳QFN PowerPad?封裝(5mm×5mm)

三、典型應(yīng)用設(shè)計(jì)

1. DDR5內(nèi)存模組電源方案

?推薦外圍配置?:

  • 輸入電容:2×22μF陶瓷電容(1206封裝)
  • 輸出電感:0.47μH飽和電流≥10A
  • 自舉電容:100nF X7R介電

?PCB布局要點(diǎn)?:

  • 采用4層板設(shè)計(jì)(信號(hào)-地-電源-信號(hào))
  • 功率路徑使用短而寬的走線
  • 敏感信號(hào)遠(yuǎn)離高頻開關(guān)節(jié)點(diǎn)

2. 遙測(cè)功能實(shí)現(xiàn)

通過I2C接口可讀?。?/p>

  • 實(shí)時(shí)電壓/電流值(12位ADC)
  • 功率計(jì)算值(每秒更新)
  • 器件溫度(內(nèi)置傳感器)
  • 故障狀態(tài)寄存器

四、性能測(cè)試數(shù)據(jù)

參數(shù)測(cè)試條件典型值
轉(zhuǎn)換效率VIN=12V, VOUT=1.1V@7A92%
靜態(tài)電流無(wú)負(fù)載狀態(tài)2.3mA
啟動(dòng)時(shí)間軟啟動(dòng)周期=1ms1.8ms
溫度漂移-40°C~105°C±0.5%

五、選型與開發(fā)支持

?器件型號(hào)?:

  • TPS53832ARWZR:標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)(3000片卷裝)
  • TPS53832ARWZR.A:同規(guī)格替代型號(hào)
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