Texas Instruments TPS7H3302EVM評(píng)估模塊設(shè)計(jì) 用于評(píng)估TPS7H3302-SEP 抗輻射3A DDR 終端穩(wěn)壓器的性能。TPS7H3302EVM評(píng)估模塊的工作輸出電流高達(dá)3A，支持測(cè)試DDR、DDR2、 DDR3、DDR3L和DDR4。該評(píng)估模塊配有方便的測(cè)試點(diǎn)和跳線，用于評(píng)估TPS7H3302-SEP DDR端子。TPS7H3302EVM評(píng)估模塊非常適合用于抗輻射DDR電源應(yīng)用以及用于DDR、DDR2、DDR3和DDR4的存儲(chǔ)器終端穩(wěn)壓器。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments TPS7H3302EVM評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 支持測(cè)試DDR、DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4
• 內(nèi)置瞬態(tài)負(fù)載測(cè)試電路
• 輸入內(nèi)核電壓VDD 支持2.5V電源軌和3.3V電源軌
• VLDOIN和VDDQ電壓范圍：0.9V至3.5V
• 動(dòng)態(tài)性能評(píng)估特性：
  • 灌電流和拉電流集成負(fù)載開關(guān)，用于瞬態(tài)負(fù)載步進(jìn)仿真
  • 可通過(guò)板載電阻器實(shí)現(xiàn)可配置的負(fù)載步進(jìn)和轉(zhuǎn)換率控制
• 跳線J14（引腳1和2），用于器件使能（無(wú)需安裝J14即啟用）
• 方便的測(cè)試點(diǎn)，用于探測(cè)PGOOD、CLK_IN和環(huán)路響應(yīng)測(cè)試
• 不使用獨(dú)立VDDQSNS源時(shí)，用于VDDQSNS至VLDOIN濾波器的可選預(yù)留位置
• 高達(dá)3A輸出電流
• 方便的測(cè)試點(diǎn)和跳線，用于評(píng)估TPS7H3302-SEP DDR端子

模塊俯視圖

示意圖

TPS7H3302EVM評(píng)估模塊技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述

TPS7H3302EVM是德州儀器(TI)推出的DDR終端穩(wěn)壓器評(píng)估模塊，用于評(píng)估TPS7H3302-SEP的性能特性。該器件是一款3A吸/源DDR終端LDO穩(wěn)壓器，專為空間級(jí)DDR/DDR2/DDR3/DDR3L/DDR4內(nèi)存終端應(yīng)用設(shè)計(jì)。

核心特性

• ?輻射耐受設(shè)計(jì)?：滿足空間應(yīng)用嚴(yán)苛環(huán)境要求
• ?寬工作范圍?：支持0.9V至3.5V輸入電壓
• ?高精度輸出?：VTT輸出電壓精度達(dá)VDDQSNS的1/2
• ?快速瞬態(tài)響應(yīng)?：優(yōu)化DDR讀寫操作穩(wěn)定性
• ?集成保護(hù)功能?：包含使能控制(EN)和電源良好指示(PGOOD)

二、關(guān)鍵電路設(shè)計(jì)

1. 電源架構(gòu)

模塊采用多電源輸入設(shè)計(jì)：

• ?VIN? (2.375-3.5V)：核心電源，電流<100mA
• ?VLDOIN? (0.9-3.5V)：主功率輸入，支持3A持續(xù)電流
• ?VDDQSNS? (1.2-3.5V)：參考電壓輸入

?獨(dú)特設(shè)計(jì)?：通過(guò)J5跳線可選VLDOIN與VDDQSNS連接方案，平衡功耗與性能需求。

2. 瞬態(tài)測(cè)試電路

評(píng)估板集成創(chuàng)新瞬態(tài)負(fù)載開關(guān)：

• 可配置負(fù)載階躍(通過(guò)R6-R9,R17-R20電阻調(diào)整)
• 支持±1.875A(DDR3)瞬態(tài)測(cè)試
• 獨(dú)立源/沉負(fù)載選擇跳線(J14/J15)

三、性能參數(shù)

電氣規(guī)格

典型應(yīng)用表現(xiàn)

• ?相位裕度?：>60°(負(fù)載500mA-3A全范圍)
• ?建立時(shí)間?：<1μs(1.875A負(fù)載階躍)
• ?跟蹤誤差?：<20mV(VTT與VTTREF偏差)

四、評(píng)估指南

1. 基礎(chǔ)測(cè)試配置

1. 連接VIN(3V)、VLDOIN(1.5V)
2. 設(shè)置VDDQSNS=1.5V(DDR3)
3. 通過(guò)J10監(jiān)測(cè)VTT輸出電壓
4. 使用J11/J12接入負(fù)載

?注意事項(xiàng)?：

• 默認(rèn)配置支持DDR3 ±1.875A測(cè)試
• 需調(diào)整R6-R9電阻值適配不同DDR標(biāo)準(zhǔn)

2. 波特圖測(cè)試

1. 使用Bode 100環(huán)路分析儀
2. 注入點(diǎn)：TP4(VTTSNS)
3. 檢測(cè)點(diǎn)：TP5(反饋節(jié)點(diǎn))
4. 測(cè)試頻率范圍：100Hz-1MHz

?關(guān)鍵發(fā)現(xiàn)?：

• 負(fù)載電流增加時(shí)增益裕度保持>10dB
• 建議輸出配置4x4.7μF陶瓷電容優(yōu)化穩(wěn)定性

五、應(yīng)用設(shè)計(jì)建議

PCB布局要點(diǎn)

1. 功率路徑：
   • 使用≥1mm線寬(1oz銅)
   • VIN/VLDOIN去耦電容貼近引腳(<3mm)
2. 熱管理：
   • HTSSOP封裝RθJA=45.1°C/W(2層板)
   • 建議4層板設(shè)計(jì)提升散熱能力

系統(tǒng)集成

• ?使能時(shí)序?：通過(guò)EN引腳控制VTT放電
• ?故障監(jiān)測(cè)?：PGOOD開漏輸出支持多器件并聯(lián)監(jiān)測(cè)
• ?VTTREF濾波?：可選R4/C3組成RC濾波器(C3=1μF)

六、典型應(yīng)用場(chǎng)景

1. ?空間電子系統(tǒng)?
   • 星載計(jì)算機(jī)內(nèi)存電源
   • 航天器數(shù)據(jù)記錄裝置
2. ?高可靠計(jì)算?
   • 加固型服務(wù)器內(nèi)存模塊
   • 軍工級(jí)處理平臺(tái)