Texas Instruments UCCx8C5x/UCCx8C5x-Q1電流模式PWM控制器提供了一個高性能的解決方案，可以在多種應用中驅動Si和SiC MOSFET。UCCx8C5x/UCCx8C5x-Q1是UCCx8C4x/UCCx8C4x-Q1的更高效、更強大版本。這些器件提供獨特的UVLO閾值，使SiC MOSFET能夠可靠地運行 (UCC28C56-59)，并提供現(xiàn)有的UVLO閾值以繼續(xù)支持Si MOSFET(UCCx8C50-55)。

數(shù)據(jù)手冊：

TI UCCx8C5x/UCCx8C5x-Q1電流模式PWM控制器采用8引腳 VSSOP (DGK) 和 8引腳SOIC (D) 封裝。

特性

支持Si和SiC MOSFET應用的欠壓鎖定選項
1MHz最大固定頻率運行
50μA啟動電流，最大75μA
1.3mA的低工作電流（f~~OSC~~ =52kHz時）
快速35ns逐周期過電流限制
±1A峰值驅動電流
軌至軌輸出
- 25ns上升時間
- 20ns下降時間
絕對最大電壓：30V VDD
±1%精確2.5V誤差放大器基準
引腳對引腳兼容并可直接替代
具有功能安全能力
可提供相關文檔以幫助功能安全系統(tǒng)設計
符合AEC-Q100標準，具有以下特性 (-Q1)
- 器件溫度等級1：-40°C至+125°C
- 器件HBM分類等級2：±2kV
- 器件CDM分類電平等級C4B：750V

簡化應用

典型的汽車應用

UCCx8C5x系列低功耗電流模式PWM控制器技術解析

產(chǎn)品概述

德州儀器(TI)推出的UCCx8C5x系列是專為硅(Si)和碳化硅(SiC)MOSFET應用設計的高性能電流模式PWM控制器家族，包含UCC28C50至UCC28C59以及UCC38C50至UCC38C55等多個型號。該系列在繼承UCCx8C4x系列優(yōu)點的同時，通過多項關鍵改進為電源轉換系統(tǒng)提供了更高效率和更強魯棒性的解決方案。

核心特性

?寬范圍工作能力?：
- 支持30V絕對最大VDD電壓（較前代提升50%）
- 提供1MHz最大固定頻率操作
- 極低啟動電流：50μA（典型值），75μA（最大值）
?高效驅動性能?：
- 低工作電流：1.3mA（fOSC=52kHz時）
- 快速35ns逐周期過流限制
- ±1A峰值驅動電流
- 軌到軌輸出，25ns上升時間/20ns下降時間
?精準控制?：
- ±1%精度的2.5V誤差放大器參考
- 針對Si和SiC MOSFET優(yōu)化的欠壓鎖定(UVLO)選項
- 擴展頻譜調制支持
?封裝兼容性?：
- 提供8引腳VSSOP(DGK)和8引腳SOIC(D)封裝
- 與UCCx8C4x系列引腳兼容，可直接替換

關鍵性能提升

參數(shù)	UCCx8C4x	UCCx8C5x	改進幅度
52kHz時供電電流	2.3mA	1.3mA	降低43%
最大啟動電流	100μA	75μA	降低25%
VDD絕對最大值	20V	30V	提升50%
參考電壓精度	±2%	±1%	精度翻倍
SiC MOSFET UVLO選項	無	6種	新增支持

應用領域

?通用電源轉換?：
- 單端DC-DC或離線隔離式電源轉換器
- 太陽能逆變器、電機驅動的輔助電源
?工業(yè)系統(tǒng)?：
- 能量存儲系統(tǒng)電源管理
- 電動汽車充電站的隔離電源
?高性能需求場景?：
- 需要驅動SiC MOSFET的高壓應用
- 對效率有嚴格要求的電池供電設備

技術細節(jié)解析

1. 增強型UVLO設計

UCCx8C5x系列提供六組UVLO閾值配置，全面覆蓋不同應用場景：

?離線應用?：14.5V開啟/9V關閉（UCCx8C52/54）
?DC-DC應用?：8.4V開啟/7.6V關閉（UCCx8C53/55）
?電池應用?：7V開啟/6.6V關閉（UCCx8C50/51）
?SiC MOSFET應用?：
- GEN-I SiC：18.8V開啟/15.5V關閉（UCC28C56H/57H）
- GEN-II SiC：18.8V開啟/14.5V關閉（UCC28C56L/57L）
- GEN-III SiC：16V開啟/12.5V關閉（UCC28C58/59）

2. 振蕩器系統(tǒng)優(yōu)化

?精準頻率控制?：通過外部RT/CT引腳配置，支持1MHz高頻操作
?同步功能?：支持外部時鐘同步，便于多器件協(xié)調工作
?低抖動設計?：8.4mA（典型值）的穩(wěn)定放電電流，確保占空比精度

3. 電流檢測與保護

?3V/V電流檢測增益?：通過CS引腳實現(xiàn)精準的逐周期電流限制
?35ns快速響應?：過流保護延遲時間極短
?斜率補償?：內置支持，防止高頻下的次諧波振蕩

典型應用設計指南

1. 離線反激轉換器設計要點

?關鍵參數(shù)計算?：

變壓器匝數(shù)比(NPS)選擇需滿足：
VREFLECTED ≤ 0.8×VDS(rated) - 1.3×VBULK(max)
最大占空比(DMAX)計算：
DMAX = (NPS×VOUT)/(VBULK(min)+NPS×VOUT)

?布局建議?：

將定時電容(CCT)盡可能靠近RT/CT引腳放置
功率地和信號地采用星型連接
保持反饋走線遠離功率元件和高頻噪聲源

2. SiC MOSFET驅動配置

?設計考量?：

選擇匹配的UVLO型號（如UCC28C56H/L）
柵極電阻(RG)取值需平衡開關損耗和EMI
建議添加二級RC濾波抑制柵極振鈴

?熱管理?：

SOIC封裝熱阻θJA=128.9°C/W
高功率應用需確保PCB提供足夠散熱面積

性能對比與選型建議

?占空比選擇?：
- 需要>50%占空比：選擇UCCx8C50/52/53/56H/L/58
- 限至50%占空比：選擇UCCx8C51/54/55/57H/L/59
?溫度范圍?：
- 工業(yè)級：UCC28C5x（-40°C至125°C）
- 商業(yè)級：UCC38C5x（0°C至85°C）
?封裝選擇?：
- 空間受限：3mm×3mm VSSOP(DGK)
- 散熱優(yōu)先：SOIC(D)封裝

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