TPS92640和TPS92641器件是高壓同步NFET控制器，用于 降壓電流穩(wěn)壓器。輸出電流調(diào)節(jié)基于谷電流模式作，使用 受控準(zhǔn)時(shí)架構(gòu)。這種控制方法簡化了環(huán)路補(bǔ)償?shù)脑O(shè)計(jì)，同時(shí) 保持幾乎恒定的開關(guān)頻率。TPS92640和TPS92641設(shè)備包括一個(gè) 高壓啟動(dòng)穩(wěn)壓器，可在 7 V 至 85 V 的寬輸入范圍內(nèi)工作。The PWM 控制器專為高速能力而設(shè)計(jì)，包括高達(dá) 1 的振蕩器頻率范圍 兆赫。高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器之間的死區(qū)時(shí)間經(jīng)過優(yōu)化，可提供非常高的 在寬輸入工作電壓和輸出功率范圍內(nèi)的效率。TPS92640和TPS92641 器件同時(shí)接受模擬和 PWM 輸入信號，從而實(shí)現(xiàn)出色的調(diào)光控制范圍。 輸入命令和 LED 電流之間的線性響應(yīng)特性在真零時(shí)實(shí)現(xiàn) 使用低失調(diào)誤差放大器和專有 PWM 調(diào)光邏輯的 LED 電流。這兩種設(shè)備還 包括能夠?yàn)榈凸?a target="_blank">微控制器提供電流的精密基準(zhǔn)電壓源。保護(hù) 功能包括逐周期電流保護(hù)、過壓保護(hù)和熱關(guān)斷。 TPS92641器件包括一個(gè)分流FET調(diào)光輸入和用于高分辨率PWM的MOSFET驅(qū)動(dòng)器 變 暗。
*附件：tps92641.pdf

特性

• V在范圍為 7 V 至 85 V
• 寬調(diào)光范圍
  • 500：1 模擬調(diào)光
  • 2500：1 標(biāo)準(zhǔn) PWM 調(diào)光
  • 20000：1 分流 FET PWM 調(diào)光
• 可調(diào)LED電流檢測電壓
• 2-Ω，1-A峰MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器
• 分流調(diào)光 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 （TPS92641）
• 可編程開關(guān)頻率
• 精密基準(zhǔn)電壓源 3 V ±2%
• 輸入 UVLO 和輸出 OVP
• 低功耗關(guān)斷模式和熱關(guān)斷

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?

• ?型號?：TPS92640（14引腳HTSSOP）、TPS92641（16引腳HTSSOP，支持分流FET PWM調(diào)光）
• ?功能?：高壓同步NFET控制器，用于降壓電流調(diào)節(jié)器，專為LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，支持寬輸入電壓（7V至85V）和高精度調(diào)光控制。
• ?核心特性?：
  • ?調(diào)光范圍?：模擬調(diào)光500:1，標(biāo)準(zhǔn)PWM調(diào)光2500:1，分流FET PWM調(diào)光20000:1（僅TPS92641）。
  • ?控制架構(gòu)?：基于谷值電流模式的固定導(dǎo)通時(shí)間控制，無需斜率補(bǔ)償，簡化環(huán)路設(shè)計(jì)。
  • ?保護(hù)功能?：輸入欠壓鎖定（UVLO）、輸出過壓保護(hù)（OVP）、熱關(guān)斷及逐周期電流限制。

?2. 關(guān)鍵特性詳解?

• ?調(diào)光技術(shù)?：
  • ?模擬調(diào)光?：通過IADJ引腳電壓調(diào)節(jié)LED電流，支持真實(shí)零電流操作（需外接電容和電阻）。
  • ?PWM調(diào)光?：UDIM引腳支持外部PWM信號控制，TPS92641額外提供SDIM/SDRV引腳驅(qū)動(dòng)分流FET實(shí)現(xiàn)超高分辨率調(diào)光。
• ?開關(guān)頻率?：通過RON電阻和CON電容編程（最高1MHz），頻率隨輸入/輸出電壓自動(dòng)調(diào)整以保持近似恒定。
• ?電流檢測?：低偏移誤差放大器（±125μV）通過CS引腳檢測LED電流，精度高。

?3. 典型應(yīng)用設(shè)計(jì)?

• ?電路拓?fù)?/strong>?：同步降壓架構(gòu)，支持無輸出電容設(shè)計(jì)（減小尺寸）或添加電容降低LED紋波電流。
  • ?電感選擇?：根據(jù)輸入/輸出電壓、紋波電流及開關(guān)頻率計(jì)算，需確保飽和電流裕量。
  • ?MOSFET選型?：耐壓需高于1.2倍最大輸入電壓，電流能力需超過1.5倍最大平均電流。
• ?布局建議?：
  • 縮短高頻環(huán)路路徑（輸入電容、高低側(cè)MOSFET），減少寄生電感。
  • 敏感信號線（如CS、UDIM）遠(yuǎn)離開關(guān)節(jié)點(diǎn)以降低噪聲耦合。

?4. 保護(hù)機(jī)制?

• ?過流保護(hù)?：通過HS-NFET的RDS(ON)檢測，觸發(fā)后關(guān)閉HS-NFET并啟動(dòng)270μs閉鎖時(shí)間。
• ?過熱保護(hù)?：閾值165°C（滯回20°C），觸發(fā)后禁用所有驅(qū)動(dòng)輸出。

?5. 封裝與訂購信息?

• ?封裝尺寸?：
  • TPS92640：4.4mm×5.0mm（14引腳HTSSOP）
  • TPS92641：4.4mm×5.0mm（16引腳HTSSOP）
• ?訂購型號?：提供卷帶（Reel）和管裝（Tube）選項(xiàng)，如TPS92640PWPR（2500片卷帶）。