電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）近日，長(zhǎng)光華芯發(fā)布2025年半年報(bào)。上半年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入2.14億元，同比大幅增長(zhǎng)68.08%；歸母凈利潤(rùn)達(dá)897.45萬(wàn)元，成功實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，去年同期為虧損4248萬(wàn)元；扣非歸母凈利潤(rùn)雖仍為負(fù)，但虧損幅度大幅收窄，從去年同期的-7272萬(wàn)元減少至-1145.43萬(wàn)元。

長(zhǎng)光華芯始終專(zhuān)注于半導(dǎo)體激光芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)及制造，產(chǎn)品涵蓋高功率單管、高功率巴條、高效率VCSEL及光通信芯片等多個(gè)系列。通過(guò)緊跟下游市場(chǎng)趨勢(shì)，公司不斷推陳出新，優(yōu)化生產(chǎn)工藝，布局生產(chǎn)線，形成了由半導(dǎo)體激光芯片、器件、模塊及直接半導(dǎo)體激光器構(gòu)成的完整產(chǎn)品矩陣，成為半導(dǎo)體激光行業(yè)的垂直產(chǎn)業(yè)鏈公司。其產(chǎn)品應(yīng)用廣泛，涉及光纖激光器、固體激光器、激光智能制造裝備、醫(yī)學(xué)美容、激光雷達(dá)等眾多領(lǐng)域。

在研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化方面，長(zhǎng)光華芯成績(jī)卓著。公司建成了覆蓋芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、晶圓處理工藝（光刻）、解理/鍍膜、封裝測(cè)試、光纖耦合等IDM全流程工藝平臺(tái)，以及2吋、3吋、6吋量產(chǎn)線，突破一系列關(guān)鍵技術(shù)，成為少數(shù)能夠研發(fā)和量產(chǎn)高功率半導(dǎo)體激光芯片的公司之一。同時(shí)，依托高功率半導(dǎo)體激光芯片的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，公司橫向拓展建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片兩大產(chǎn)品平臺(tái)，縱向延伸開(kāi)發(fā)器件、模塊及終端直接半導(dǎo)體激光器，上下游協(xié)同發(fā)展，綜合實(shí)力逐步提升。

技術(shù)創(chuàng)新，引領(lǐng)高功率激光芯片發(fā)展

高功率半導(dǎo)體激光芯片領(lǐng)域，長(zhǎng)光華芯持續(xù)引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新。公司超高功率單管芯片在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與研制技術(shù)上取得突破，雙結(jié)單管芯片創(chuàng)室溫連續(xù)功率超132W的新紀(jì)錄（芯片條寬500μm，工作效率62%），打破此前行業(yè)最高水平，開(kāi)啟百瓦級(jí)單管芯片新紀(jì)元。在高功率和窄譜寬激光器方面，公司攻克光柵設(shè)計(jì)和材料生長(zhǎng)等技術(shù)難點(diǎn)，開(kāi)發(fā)的780nm寬條分布反饋（DFB）激光器室溫連續(xù)輸出功率超10W，創(chuàng)下780nm波段DFB激光器最高記錄。

公司推出的9XXnm 50W高功率半導(dǎo)體激光芯片，在330μm發(fā)光區(qū)內(nèi)產(chǎn)生50W激光輸出，光電轉(zhuǎn)化效率高（≥62%），已實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)出貨，是目前市場(chǎng)上量產(chǎn)功率最高的半導(dǎo)體激光芯片。此外，公司不斷提升9XXnm光纖激光器泵浦源和8XXnm固體激光器泵浦源功率，降低單瓦材料成本。在特殊波長(zhǎng)應(yīng)用方面，推出的激光除草應(yīng)用1470nm 300W光纖輸出半導(dǎo)體模塊、面部痤瘡治療應(yīng)用1726nm波長(zhǎng)鎖定100W光纖輸出半導(dǎo)體模塊已對(duì)外送樣，進(jìn)一步拓展了半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用領(lǐng)域。

VCSEL技術(shù)領(lǐng)域，長(zhǎng)光華芯同樣取得突破性進(jìn)展。公司攻克低損耗多結(jié)VCSEL結(jié)構(gòu)技術(shù)，將面發(fā)射芯片效率提升至74%，打破近20年VCSEL效率發(fā)展停滯局面，改變?nèi)藗儗?duì)VCSEL效率的固有認(rèn)知。公司構(gòu)建的多結(jié)VCSEL模式分析模型，解決了單模功率難以突破的難題，在直流驅(qū)動(dòng)下實(shí)現(xiàn)20.2mW的單基橫模激光輸出，功率轉(zhuǎn)換效率42%，刷新單模VCSEL功率效率世界紀(jì)錄。

公司的VCSEL芯片應(yīng)用廣泛，在消費(fèi)電子領(lǐng)域，主要用于手機(jī)、AR/VR等終端的3D傳感；在光通信領(lǐng)域，應(yīng)用于短距離傳輸?shù)臄?shù)據(jù)中心；在車(chē)載激光雷達(dá)芯片方面，已通過(guò)車(chē)規(guī)IATF16949和AECQ認(rèn)證。此外，公司還積極布局車(chē)載EEL邊發(fā)射激光器及1550nm光纖激光器的泵浦源產(chǎn)品，鞏固其全套激光雷達(dá)光源方案提供商的市場(chǎng)地位。隨著技術(shù)發(fā)展，VCSEL未來(lái)有望在眼動(dòng)追蹤、速度監(jiān)測(cè)、PM2.5空氣質(zhì)量監(jiān)測(cè)等新興領(lǐng)域得到應(yīng)用。

光通信產(chǎn)品崛起，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大

面對(duì)光通信市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)的需求和對(duì)高性能芯片的要求，長(zhǎng)光華芯利用IDM平臺(tái)優(yōu)勢(shì)加大研發(fā)投入，推出“國(guó)產(chǎn)替代”的高性能光通信芯片產(chǎn)品。公司擁有EML、VCSEL、CW Laser三種類(lèi)型的光通信芯片，為市場(chǎng)提供高端芯片解決方案。報(bào)告期內(nèi)，公司100G EML已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，200G EML開(kāi)始送樣，100G VCSEL、100mW CW DFB和70mW CWDM4 DFB芯片已達(dá)到量產(chǎn)出貨水平。

同時(shí)，公司超前布局硅光、薄膜鈮酸鋰等技術(shù)路線。通過(guò)全資子公司成立蘇州星鑰光子科技有限公司布局硅光方向，助力蘇州市打造光子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群；投資勻晶光電布局新材料方向，薄膜鈮酸鋰通過(guò)帶寬極限突破與集成工藝創(chuàng)新，重塑高速光通信架構(gòu)。

在氮化鎵方向，長(zhǎng)光華芯積極填補(bǔ)國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)化空白。全資子公司與中科院蘇州納米所成立“氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”，并與團(tuán)隊(duì)合資成立蘇州鎵銳芯光科技有限公司。氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，具有直接發(fā)光、高效率、高穩(wěn)定性等優(yōu)勢(shì)，其藍(lán)光和綠光波段的激光器產(chǎn)品在激光加工、激光顯示、激光照明、特殊通信等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，市場(chǎng)需求超百億元且呈高復(fù)合增長(zhǎng)趨勢(shì)。

鎵銳芯光團(tuán)隊(duì)是國(guó)內(nèi)最早從事氮化鎵基激光器研究的團(tuán)隊(duì)，曾研制出國(guó)內(nèi)首顆氮化鎵基藍(lán)光和綠光激光器芯片。目前，該公司研制的綠光激光器光功率已達(dá)1.2W，大功率藍(lán)光激光器光功率已達(dá)7.5W，均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。