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村田攜先進封裝與電容方案亮相2025 Andes RISC-V CON

科技訊息 ? 來源:科技訊息 ? 作者:科技訊息 ? 2025-09-02 14:45 ? 次閱讀
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近日,村田中國(以下簡稱“村田”)亮相2025 Andes RISC-V CON北京站,集中展示了面向RISC-V架構的一系列核心技術成果與產品布局,旨在推動下一代智能系統的發(fā)展。本屆展會聚焦AI、車用電子及應用處理器與信息安全等領域的最新發(fā)展,吸引了來自中國各地近 200 位產業(yè)領袖、技術專家與開發(fā)者參與。

當前,人工智能與車用電子應用場景不斷擴展,傳統處理器在功耗、性能及安全性方面面臨諸多挑戰(zhàn)。RISC-V 憑借其靈活、可擴展的開放架構,正幫助企業(yè)突破技術瓶頸,加速實現多樣化的創(chuàng)新應用。據The SHD Group預測,到2030年,基于RISC-V架構的SoC出貨量將達162億顆,市場營收預估達920億美元。

作為全球居先的電子元器件制造商,村田始終致力于通過高性能的封裝電容解決方案,助力RISC-V系統在AI服務器、邊緣計算和車載電子等應用中實現更優(yōu)的電源分配網絡(PDN)設計與電磁兼容性(EMC),強化芯片供電穩(wěn)定性與系統可靠性。

高性能硅電容:為AI與車載系統提供穩(wěn)定電源支持

隨著自動駕駛與AI服務器對算力需求的持續(xù)攀升,系統對電源濾波和去耦電容的性能提出更高要求。村田在展會中重點展示了硅電容與硅集成器件系列產品。該類產品憑借其小型化、低等效串聯電感(ESL)以及高可靠性的電源支持能力,在AI與汽車系統的不同應用中展現出高度的適配性。村田硅電容采用先進的3D納米多孔結構與高密度堆疊技術,在小于50μm的超薄厚度內實現高達1.3μF/mm3的容值密度,并顯著降低ESL,可有效抑制高頻噪聲與瞬時電源尖峰,提升系統的電源完整性。

此外,村田硅電容可在高達250°C的工作環(huán)境以及450V高壓環(huán)境下穩(wěn)定運行,同時在110GHz的高頻應用中依舊保持優(yōu)異的信號穩(wěn)定性。這些特性使其相比傳統方案更適合部署于芯片近端、高密度封裝區(qū)域或其他空間受限的應用場景,能夠更好地支持AI芯片在高負載算力下的瞬時供電響應。該系列產品也廣泛應用于車載激光雷達(LiDAR)等關鍵感知模塊中,為激光驅動與信號采集系統提供低噪穩(wěn)定的去耦支持,全面增強系統運行的可靠性與能效。

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先進封裝方案:優(yōu)化電源分配網絡設計

在AI服務器與車載系統持續(xù)邁向更高計算密度與能效比的背景下,芯片封裝內部的電源分配網絡設計變得尤為關鍵。針對這一趨勢,村田持續(xù)創(chuàng)新貼裝與封裝電容布局技術,推出多種適配于芯片不同位置的先進封裝方案。

本次展出的解決方案包括嵌入式安裝與倒裝焊封裝等,可廣泛適用于AI服務器、數據中心主板及車載自動駕駛系統。這些方案可實現更貼近芯片核心區(qū)域的電容布置,縮短供電路徑,有效降低電源分配網絡阻抗與功耗,同時抑制瞬時電壓下壓(V droop)現象,進而提升供電穩(wěn)定性與響應速度。

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全方位技術支持:從本地實驗室到數字服務平臺

村田不僅提供電子元器件產品,更是客戶設計階段的協同工程伙伴。村田在北京、上海、深圳、臺北等亞洲主要城市設立了本地電磁兼容性(EMC)應用實驗室與技術支持體系,貫穿客戶項目的全流程,支持其在RISC-V平臺開發(fā)過程中完成電磁兼容性、電源完整性等關鍵性能評估與優(yōu)化,為AI、汽車電子等創(chuàng)新應用提供一站式解決方案與協同服務。

此外,村田已將產品支持服務從線下拓展至線上,客戶可隨時隨地訪問全套設計工具與技術支持資源,構建了高效便捷的數字服務閉環(huán),為系統優(yōu)化與開發(fā)效率提升提供全面支撐。

未來,村田將繼續(xù)發(fā)揮技術優(yōu)勢,持續(xù)為產業(yè)生態(tài)注入創(chuàng)新動能,與客戶共同探索電子技術的更多可能性。

關于村田制作所

村田制作所是一家全球性的綜合電子元器件制造商,主要從事以陶瓷為基礎的電子元器件的開發(fā)、生產和銷售業(yè)務。致力于通過自身開發(fā)積累的材料開發(fā)、工藝開發(fā)、商品設計、生產技術以及對它們提供支持的軟件和分析評估等技術基礎,創(chuàng)造獨特產品,為電子社會的發(fā)展做出貢獻。

審核編輯 黃宇

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