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TMAG5115高速低抖動(dòng)霍爾效應(yīng)鎖存器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-09-02 14:52 ? 次閱讀
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Texas Instruments TMAG5115高速、低抖動(dòng)、霍爾效應(yīng)鎖存器具有快速傳播延遲和低抖動(dòng)。TMAG5115還在整個(gè)溫度范圍內(nèi)具有高靈敏度穩(wěn)定性,并為需要高RPM的應(yīng)用提供了集成保護(hù)功能。低抖動(dòng)和低傳播延遲相結(jié)合有助于提高功效并降低系統(tǒng)級(jí)寄生噪聲。

數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Texas Instruments TMAG5115高速低抖動(dòng)霍爾效應(yīng)鎖存器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

TI TMAG5115鎖存器具有開漏輸出級(jí),具有15mA灌電流能力。2.5V至26V的寬工作電壓范圍可用于各種工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用。針對(duì)輸出短路、過(guò)流和過(guò)熱情況提供內(nèi)部保護(hù)功能。

TMAG5115采用業(yè)界通用的SOT-23封裝。

特性

  • 高速數(shù)字雙極鎖存霍爾傳感器
    • 低傳播延遲:5μs
    • 低抖動(dòng):5μs
    • 帶寬 (BW) :60kHz
  • 支持寬電壓范圍
    • 2.5V至26V
    • 無(wú)需外部穩(wěn)壓器
  • 62.5μs快速上電時(shí)間
  • 多種BOP靈敏度選項(xiàng)
    • ±1mT
    • ±3mT
  • 開漏輸出(15mA灌電流)
  • 高精度閾值,在整個(gè)溫度和電壓范圍內(nèi)的最大變化為±1mT
  • 保護(hù)特性
    • 輸出短路保護(hù)
    • 輸出電流限制
    • 過(guò)熱保護(hù)
  • 寬工作溫度范圍:-40°C至+125°C
  • 表面貼裝3引腳SOT-23 2.92mm x 1.30mm小型封裝和占位

簡(jiǎn)化應(yīng)用

1.png

輸出狀態(tài)

2.png

功能框圖

3.png

TMAG5115高速低抖動(dòng)霍爾效應(yīng)鎖存器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述與核心特性

TMAG5115是德州儀器(TI)推出的高性能數(shù)字雙極鎖存型霍爾傳感器,具有以下突出特性:

  • ?高速響應(yīng)能力?:
    • 超低傳播延遲:5μs
    • 低抖動(dòng):5μs
    • 帶寬(BW):60kHz
  • ?寬電壓工作范圍?:2.5V至26V,無(wú)需外部穩(wěn)壓器
  • ?快速啟動(dòng)時(shí)間?:62.5μs
  • ?高精度閾值?:
    • ±3mT標(biāo)準(zhǔn)閾值(±1mT最大偏差)
    • ±1mT高精度閾值(±0.7mT最大偏差)
  • ?全面保護(hù)機(jī)制?:
    • 輸出短路保護(hù)
    • 輸出電流限制
    • 過(guò)溫保護(hù)
  • ?開漏輸出?:15mA灌電流能力
  • ?寬溫工作范圍?:-40°C至125°C
  • ?緊湊封裝?:3引腳SOT-23(2.92mm×2.37mm)

二、關(guān)鍵電氣參數(shù)

2.1 基本電氣特性

參數(shù)條件最小值典型值最大值單位
工作電壓-2.5-26V
靜態(tài)電流VCC=2.5-26V-68mA
輸出低電平IOL=5mA--0.7V
傳播延遲1kHz三角波±8mT-5-μs
短路電流-15-25mA

2.2 磁特性參數(shù)

型號(hào)工作點(diǎn)(BOP)釋放點(diǎn)(BRP)磁滯(BHYS)
A1C0.2-1.7mT-1.7--0.2mT0.4-3.4mT
B1C2-4mT-4--2mT4-8mT

三、功能原理與工作模式

3.1 磁場(chǎng)方向定義

  • ?正磁場(chǎng)?:S極靠近器件標(biāo)記面
  • ?負(fù)磁場(chǎng)?:N極靠近器件標(biāo)記面

3.2 輸出狀態(tài)邏輯

  • ?B > BOP?:輸出拉低(有效)
  • ?B < BRP?:輸出釋放(高阻)
  • ?BRP < B < BOP?:保持前一狀態(tài)

3.3 電源管理

  • ?啟動(dòng)時(shí)間?:62.5μs后輸出有效
  • ?電源序列?:上電期間輸出保持高阻,結(jié)束時(shí)產(chǎn)生指示脈沖

四、應(yīng)用場(chǎng)景與選型指南

4.1 典型應(yīng)用

4.2 型號(hào)選擇

型號(hào)閾值磁滯適用場(chǎng)景
A1C±1mT2mT高精度位置檢測(cè)
B1C±3mT6mT強(qiáng)磁場(chǎng)環(huán)境應(yīng)用

五、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

  1. ?磁場(chǎng)強(qiáng)度?:應(yīng)用磁場(chǎng)應(yīng)超過(guò)規(guī)格書最大BOP/BRP值,并考慮溫度漂移
  2. ?PCB材料?:避免使用鐵磁性PCB基材
  3. ?機(jī)械公差?:確保磁體與傳感器間距穩(wěn)定
  4. ?系統(tǒng)驗(yàn)證?:
    • 在不同溫度下測(cè)試磁閾值
    • 驗(yàn)證最大轉(zhuǎn)速下的信號(hào)完整性
    • 進(jìn)行EMC抗擾度測(cè)試
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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